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강유전체 메모리장치의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015194570
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 메모리장치에 사용되는 강유전체의 히스테리시스(Hysteresis) 및 잔류분극 특성을 획기적으로 제고하여 안정적인 메모리 동작이 가능하도록 된 강유전체를 이용한 메모리장치의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 있어서는 강유전체 메모리에 사용되는 강유전 물질로서 β상의 결정구조를 갖는 PVDF를 이용한다. 본 발명에 따른 PVDF 박막은 대략 0~1V의 사이에서 인가전압이 상승함에 따라 극성이 상승하여 대략 1V 정도에서 대략 5μC/㎠ 이상의 극성을 나타내고, 다시 0~-1V의 사이에서 인가전압이 하강함에 따라 극성이 하강하여 대략 -1V정도에서 대략 -5μC/㎠ 이하의 극성을 나타내는 양호한 히스테리시스 특성을 갖는다. PVDF는 유기물이기 때문에 종래의 무기물 강유전 물질과 달리 제조공정이 간단해짐은 물론 제조가격을 대폭 낮출 수 있다. 특히, 본 발명에 따른 PVDF는 매우 낮은 전압에서 양호한 분극특성을 나타내므로, 매우 저전압에서 동작할 수 있는 강유전체 메모리장치를 실현할 수 있게 된다. 유기물, 메모리, PVDF, β상
Int. CL H01L 29/51 (2006.01.01) H01L 29/49 (2006.01.01) H01L 29/78 (2006.01.01) H01L 51/05 (2006.01.01)
CPC H01L 29/516(2013.01) H01L 29/516(2013.01) H01L 29/516(2013.01) H01L 29/516(2013.01)
출원번호/일자 1020060041814 (2006.05.10)
출원인 서울시립대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0966301-0000 (2010.06.18)
공개번호/일자 10-2006-0116726 (2006.11.15) 문서열기
공고번호/일자 (20100628) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020060003399   |   2006.01.12
대한민국  |   1020050039167   |   2005.05.11
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020100019916;
심사청구여부/일자 Y (2009.08.31)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울시립대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 동대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박병은 대한민국 서울특별시 양천구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 홍성훈 대한민국 전라북도 전주시 덕진구 안덕원로 **, *층 ***호(진북동,오피스밸리)(드림인국제특허법률사무소)
2 김유 대한민국 서울특별시 서초구 강남대로 ***, **층, **층(서초동, 태우빌딩)(특허법인세림)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울시립대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 동대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2006.05.10 수리 (Accepted) 1-1-2006-0326091-01
2 [출원인코드정정]출원인코드 정보변경(경정), 정정신고서
[Applicant Code Correction] Report on Change (Correction), Correction to Applicant Code Information
2007.09.28 수리 (Accepted) 1-1-2007-0698543-40
3 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2007.10.26 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2007-0769274-17
4 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2007.11.08 수리 (Accepted) 1-1-2007-0803366-07
5 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2008.08.25 수리 (Accepted) 1-1-2008-0605118-36
6 [복대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Sub-agent] Report on Agent (Representative)
2009.01.30 수리 (Accepted) 1-1-2009-5003870-62
7 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2009.08.31 수리 (Accepted) 1-1-2009-0534830-17
8 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2009.08.31 수리 (Accepted) 1-1-2009-0533104-10
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2009.11.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0458163-57
10 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2010.01.04 수리 (Accepted) 1-1-2010-0001677-95
11 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2010.02.05 수리 (Accepted) 1-1-2010-0079407-35
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.03.05 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0141701-43
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.03.05 수리 (Accepted) 1-1-2010-0141703-34
14 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application
2010.03.05 수리 (Accepted) 1-1-2010-0142701-11
15 등록결정서
Decision to grant
2010.04.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0185199-88
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.01.05 수리 (Accepted) 4-1-2011-5002044-04
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.03 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000287-10
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.01.17 수리 (Accepted) 4-1-2017-5009116-18
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.09.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5191631-69
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번호 청구항
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기판과, 게이트전극, 드레인 및 소오스전극, 채널형성층 및 강유전체층을 구비하는 반도체장치의 제조방법에 있어서, 게이트전극을 형성하는 단계와, 채널형성층을 형성하는 단계, 강유전체층으로서 PVDF층을 형성하는 단계, 드레인 및 소오스전극을 형성하는 단계 및, 상기 강유전체층을 β상으로 설정하는 강유전체층 상전이단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리장치의 제조방법
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제13항에 있어서, 상기 채널형성층을 게이트전극과 강유전체층 사이에 형성하는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리장치의 제조방법
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제13항에 있어서, 상기 강유전체층을 상기 게이트전극과 채널형성층 사이에 형성하는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리장치의 제조방법
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제13항에 있어서, 상기 강유전체층 상전이단계는 상기 강유전체층의 온도를 β상결정을 이루는 온도 이상으로 상승시키는 제1 단계와, 상기 강유전체층의 온도를 β상결정 온도까지 단조적으로 감소시키는 제2 단계 및, 상기 강유전체층의 온도를 급속도로 강하시키는 제3 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리장치의 제조방법
17 17
제13항에 있어서, 상기 강유전체층의 상전이단계는 상기 강유전체층의 온도를 β상결정을 이루는 온도로 상승시키는 제1 단계와, 상기 강유전체층의 온도를 급속도로 강하시키는 제2 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리장치의 제조방법
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제13항에 있어서, 상기 강유전체층 상전이단계가 게이트전극과 소오스 및 드레인전극을 형성한 이후에 실행되는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리장치의 제조방법
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1 JP05241489 JP 일본 FAMILY
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5 WO2006121294 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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1 JP2008541444 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 JP2008541444 JP 일본 DOCDBFAMILY
3 JP2008541444 JP 일본 DOCDBFAMILY
4 JP5241489 JP 일본 DOCDBFAMILY
5 US2008128682 US 미국 DOCDBFAMILY
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