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메모리 장치

  • 기술번호 : KST2015194571
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 강유전체를 이용한 1C 형(One Capacitor Type) 메모리 장치를 적층하여 메모리 용량을 최대화 할 수 있도록 된 메모리 장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 메모리 장치는 기판(30)상에 제1 메모리 셀(40)을 형성하고, 이 제1 메모리 셀(40) 상에 절연층(50)을 통해서 제2 메모리 셀(60)을 형성한다. 이때, 제1 메모리 셀(40)의 상부 전극(43)과 제2 메모리 셀(60)의 하부 전극(61)은 동일하게 접지 전극이나 데이터 전극으로서 형성된다.강유전체, 메모리, 적층
Int. CL H01L 27/11502 (2017.01.01) H01L 29/51 (2006.01.01) H01L 21/28 (2006.01.01) H01L 21/768 (2006.01.01)
CPC H01L 27/11502(2013.01) H01L 27/11502(2013.01) H01L 27/11502(2013.01) H01L 27/11502(2013.01)
출원번호/일자 1020060115850 (2006.11.22)
출원인 서울시립대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1286718-0000 (2013.07.10)
공개번호/일자 10-2008-0046419 (2008.05.27) 문서열기
공고번호/일자 (20130716) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.11.22)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울시립대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 동대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박병은 대한민국 서울특별시 양천구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 홍성훈 대한민국 전라북도 전주시 덕진구 안덕원로 **, *층 ***호(진북동,오피스밸리)(드림인국제특허법률사무소)
2 김유 대한민국 서울특별시 서초구 강남대로 ***, **층, **층(서초동, 태우빌딩)(특허법인세림)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울시립대학교 산학협력단 서울특별시 동대문구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2006.11.22 수리 (Accepted) 1-1-2006-0856888-14
2 [출원인코드정정]출원인코드 정보변경(경정), 정정신고서
[Applicant Code Correction] Report on Change (Correction), Correction to Applicant Code Information
2007.09.28 수리 (Accepted) 1-1-2007-0698583-66
3 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2007.10.26 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2007-0769274-17
4 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2007.11.08 수리 (Accepted) 1-1-2007-0803366-07
5 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2008.08.25 수리 (Accepted) 1-1-2008-0605118-36
6 [복대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Sub-agent] Report on Agent (Representative)
2009.01.30 수리 (Accepted) 1-1-2009-5003870-62
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.01.05 수리 (Accepted) 4-1-2011-5002044-04
8 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2011.11.22 수리 (Accepted) 1-1-2011-0926178-43
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.11.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0926172-70
10 보정요구서
Request for Amendment
2011.12.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2011-0112653-08
11 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)
2011.12.02 수리 (Accepted) 1-1-2011-0955463-20
12 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.10.23 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
13 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.11.15 수리 (Accepted) 9-1-2012-0085046-75
14 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.11.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0693758-07
15 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2013.01.21 수리 (Accepted) 1-1-2013-0055207-63
16 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.02.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0149283-49
17 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.02.19 수리 (Accepted) 1-1-2013-0149284-95
18 등록결정서
Decision to grant
2013.06.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0448411-24
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.03 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000287-10
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.01.17 수리 (Accepted) 4-1-2017-5009116-18
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.09.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5191631-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판상에 형성되는 제1 메모리 셀과,상기 제1 메모리 셀 상측에 형성되는 제2 메모리 셀을 구비하고,상기 제1 및 제2 메모리 셀은 도전성 재질로 이루어지는 하부 전극과, 상기 하부 전극상에 설치되는 강유전체층 및, 상기 강유전체층상에 설치됨과 더불어 도전성 재질로 이루어지는 상부 전극을 구비하여 구성되며,상기 제1 메모리 셀의 상부 전극과 제2 메모리 셀의 하부 전극이 접지 전극이고,상기 제1 메모리 셀의 상부 전극과 제2 메모리 셀의 하부 전극이 데이터 전극인 것을 특징으로 하는 메모리 장치
2 2
제1항에 있어서,상기 하부 및 상부 전극이 도전성 유기물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 메모리 장치
3 3
제1항에 있어서,상기 강유전체층이 β상의 결정구조를 갖는 유기물인 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리 장치
4 4
제1항에 있어서,상기 강유전체층이 PVDF를 포함하는 중합체, 공중합체 또는 삼원공중합체, 홀수의 나일론, 시아노중합체 및 이들의 중합체나 공중합체 중 하나인 것을 특징으로 하는 메모리 장치
5 5
제1항에 있어서,상기 기판은 Si 웨이퍼, Ge 웨이퍼, 종이, 파릴렌(Parylene)이 도포된 종이, 유기물 중 하나로 구성되는 것을 특징으로 하는 메모리 장치
6 6
삭제
7 7
제1항에 있어서,상기 제1 메모리 셀과 제2 메모리 셀 사이에 절연층이 형성되는 것을 특징으로 하는 메모리 장치
8 8
삭제
9 9
제1항에 있어서,상기 제1 메모리 셀과 제2 메모리 셀의 접지 전극이 일체로 형성되는 것을 특징으로 하는 메모리 장치
10 10
삭제
11 11
기판상에 형성되는 제1 메모리 셀과,상기 제1 메모리 셀 상측에 형성되는 제2 메모리 셀을 구비하고,상기 제1 및 제2 메모리 셀은 상기 기판상에 상호 평행하게 형성되는 다수의 하부 전극, 상기 하부 전극상에 형성되는 강유전체층 및, 상기 강유전체층상에 상호 평행하면서 상기 하부 전극과 직교하는 방향으로 형성되는 다수의 상부 전극을 포함하여 구성되며,상기 제1 메모리 셀의 상부 전극과 제2 메모리 셀의 하부 전극이 접지 전극이고,상기 제1 메모리 셀의 상부 전극과 제2 메모리 셀의 하부 전극이 데이터 전극인 것을 특징으로 하는 메모리 장치
12 12
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13 13
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14 14
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15 15
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16 16
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17 17
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18 18
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19 19
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20 20
제11항에 있어서,상기 제1 메모리 셀과 제2 메모리 셀의 접지 전극이 일체로 형성되는 것을 특징으로 하는 메모리 장치
21 21
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.