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데이터를 비휘발적으로 저장하고, 그 저장된 데이터를 독출할 수 있는 메모리 장치에 있어서,기판과,상기 기판상에 형성됨과 더불어 인가 전압에 따라 온/오프가 결정되는 스위칭 수단 및,상기 스위칭 수단에 인가되는 인가 전압의 레벨을 설정하기 위한 저항 수단을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 메모리 장치
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제1항에 있어서,상기 스위칭 수단은 트랜지스터이고,상기 트랜지스터는 기판에 형성되는 드레인 및 소오스 영역과, 상기 드레인 및 소오스 영역 사이에 형성되는 채널 영역, 상기 드레인 영역, 소오스 영역 및 채널 영역상에 각각 형성되는 드레인 전극, 소오스 전극 및 게이트 전극을 포함하여 구성되며,상기 저항 수단은 상기 게이트 전극 상에 형성되는 저항층과, 상기 저항층 상에 형성되는 접지 전극을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 메모리 장치
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제2항에 있어서,상기 저항층이 상전이 물질을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 메모리 장치
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제3항에 있어서,상기 상전이 물질이 GexSbyTez을 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 장치
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제2항에 있어서,상기 저항층이 높은 저항값을 갖는 비결정 상태와 낮은 저항값을 갖는 결정상태의 안정적인 가역구조상태를 갖는 저항성 물질을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 메모리 장치
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제5항에 있어서,상기 저항성 물질이 칼코게나이트 합금을 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 장치
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데이터를 비휘발적으로 저장하고, 그 저장된 데이터를 독출할 수 있는 메모리 장치에 있어서,기판과,상기 기판에 형성되는 드레인 및 소오스 영역,상기 드레인 및 소오스 영역 사이에 형성되는 채널 영역,상기 드레인 영역, 소오스 영역 및 채널 영역상에 각각 형성되는 드레인 전극, 소오스 전극 및 게이트 전극,상기 게이트 전극 상에 형성되는 저항층 및,상기 저항층 상에 형성되는 접지 전극을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 메모리 장치
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제7항에 있어서,상기 저항층이 상전이 물질을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 메모리 장치
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제8항에 있어서,상기 상전이 물질이 GexSbyTez을 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 장치
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10
제7항에 있어서,상기 저항층이 높은 저항값을 갖는 비결정 상태와 낮은 저항값을 갖는 결정상태의 안정적인 가역구조상태를 갖는 저항성 물질을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 메모리 장치
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제10항에 있어서,상기 저항성 물질이 칼코게나이트 합금을 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 장치
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반도체 기판에 드레인 및 소오스 영역을 형성하는 단계와,상기 드레인 및 소오스 영역 사이에 채널 영역을 형성하는 단계,상기 드레인 영역, 소오스 영역 및 채널 영역상에 각각 드레인 전극, 소오스 전극 및 게이트 전극을 형성하는 단계,상기 게이트 전극 상에 저항층을 형성하는 단계 및,상기 저항층 상에 접지 전극을 형성하는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 메모리 장치의 제조방법
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제12항에 있어서,상기 저항층이 상전이 물질을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 메모리 장치의 제조방법
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제13항에 있어서,상기 상전이 물질이 GexSbyTez을 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 장치의 제조방법
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제12항에 있어서,상기 저항층이 높은 저항값을 갖는 비결정 상태와 낮은 저항값을 갖는 결정상태의 안정적인 가역구조상태를 갖는 저항성 물질을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 메모리 장치의 제조방법
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제15항에 있어서,상기 저항성 물질이 칼코게나이트 합금을 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 장치의 제조방법
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