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반도체 기판에 형성되는 드레인 및 소오스 영역과,상기 드레인 및 소오스 영역 사이에 형성되는 채널 영역,상기 드레인 영역, 소오스 영역 및 채널 영역상에 각각 형성되는 드레인 전극, 소오스 전극 및 게이트 전극,상기 게이트 전극 상에 형성되는 저항층 및,상기 저항층 상에 형성되는 접지 전극을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 구동전압 변경설정이 가능한 트랜지스터
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제1항에 있어서,상기 저항층이 상전이 물질을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 구동전압 변경설정이 가능한 트랜지스터
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제2항에 있어서,상기 상전이 물질이 GexSbyTez을 포함하는 것을 특징으로 하는 구동전압 변경설정이 가능한 트랜지스터
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제1항에 있어서,상기 저항층이 높은 저항값을 갖는 비결정 상태와 낮은 저항값을 갖는 결정상태의 안정적인 가역구조상태를 갖는 저항성 물질을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 구동전압 변경설정이 가능한 트랜지스터
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제4항에 있어서,상기 저항성 물질이 칼코게나이트 합금을 포함하는 것을 특징으로 하는 구동전압 변경설정이 가능한 트랜지스터
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반도체 기판에 드레인 및 소오스 영역을 형성하는 단계와,상기 드레인 및 소오스 영역 사이에 채널 영역을 형성하는 단계,상기 드레인 영역, 소오스 영역 및 채널 영역상에 각각 드레인 전극, 소오스 전극 및 게이트 전극을 형성하는 단계,상기 게이트 전극 상에 저항층을 형성하는 단계 및,상기 저항층 상에 접지 전극을 형성하는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 구동전압 변경설정이 가능한 트랜지스터의 제조방법
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제6항에 있어서,상기 저항층이 상전이 물질을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 구동전압 변경설정이 가능한 트랜지스터의 제조방법
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8
제7항에 있어서,상기 상전이 물질이 GexSbyTez을 포함하는 것을 특징으로 하는 구동전압 변경설정이 가능한 트랜지스터의 제조방법
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제6항에 있어서,상기 저항층이 높은 저항값을 갖는 비결정 상태와 낮은 저항값을 갖는 결정상태의 안정적인 가역구조상태를 갖는 저항성 물질을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 구동전압 변경설정이 가능한 트랜지스터의 제조방법
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제9항에 있어서,상기 저항성 물질이 칼코게나이트 합금을 포함하는 것을 특징으로 하는 구동전압 변경설정이 가능한 트랜지스터의 제조방법
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