맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

전계효과 트랜지스터 및 강유전체 메모리 장치와 그제조방법

  • 기술번호 : KST2015194574
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 MFMS(Metal-Ferroelectric-Metal-Semiconductor) 구조를 갖는 전계효과 트랜지스터와 강유전체 메모리 장치 및 이들의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 전계효과 트랜지스터 및 강유전체 메모리 장치는 소오스 및 드레인 영역(2, 3)과 그 사이에 채널영역(4)이 형성되는 기판(1)과, 상기 기판의 채널영역 상측에 형성되는 하부전극층(30), 상기 하부전극층상에 형성되는 강유전체층(31) 및, 상기 강유전체층상에 형성되는 상부전극층(32)을 구비하여 구성되는 것을 특징으로 한다. 그리고, 상기 강유전체층(31)은 무기물 강유전 물질이나 그 고용체와 유기물 또는 유기물 강유전 물질을 포함하는 혼합물로 구성된다.강유전체, 메모리, MFMS
Int. CL H01L 21/8247 (2006.01.01) H01L 27/115 (2017.01.01)
CPC H01L 27/1159(2013.01) H01L 27/1159(2013.01) H01L 27/1159(2013.01) H01L 27/1159(2013.01)
출원번호/일자 1020070057539 (2007.06.12)
출원인 서울시립대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0877428-0000 (2008.12.29)
공개번호/일자 10-2008-0063030 (2008.07.03) 문서열기
공고번호/일자 (20090108) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020060138737   |   2006.12.29
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.01.04)
심사청구항수 33

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 서울시립대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 동대문구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 박병은 대한민국 서울특별시 양천구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김유 대한민국 서울특별시 서초구 강남대로 ***, **층, **층(서초동, 태우빌딩)(특허법인세림)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 서울시립대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 동대문구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2007.06.12 수리 (Accepted) 1-1-2007-0425892-34
2 보정요구서
Request for Amendment		 2007.06.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2007-0087477-53
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2007.07.24 수리 (Accepted) 1-1-2007-0534992-25
4 [출원인코드정정]출원인코드 정보변경(경정), 정정신고서
[Applicant Code Correction] Report on Change (Correction), Correction to Applicant Code Information		 2007.09.28 수리 (Accepted) 1-1-2007-0698747-57
5 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status		 2007.10.26 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2007-0769274-17
6 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status		 2007.11.08 수리 (Accepted) 1-1-2007-0803366-07
7 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2008.01.04 수리 (Accepted) 1-1-2008-0007393-15
8 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2008.01.07 수리 (Accepted) 1-1-2008-0011588-50
9 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.01.21 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
10 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.02.13 수리 (Accepted) 9-1-2008-0006154-95
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.02.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0081617-18
12 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2008.04.21 수리 (Accepted) 1-1-2008-0281367-87
13 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2008.05.19 수리 (Accepted) 1-1-2008-0351453-81
14 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2008.06.18 수리 (Accepted) 1-1-2008-0434473-63
15 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.07.21 수리 (Accepted) 1-1-2008-0523768-92
16 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.07.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0523767-46
17 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.08.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0428472-78
18 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status		 2008.08.25 수리 (Accepted) 1-1-2008-0605118-36
19 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.09.29 수리 (Accepted) 1-1-2008-0682918-84
20 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.09.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0682915-47
21 등록결정서
Decision to grant		 2008.11.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0578437-19
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.01.05 수리 (Accepted) 4-1-2011-5002044-04
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.03 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000287-10
24 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.01.17 수리 (Accepted) 4-1-2017-5009116-18
25 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.09.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5191631-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
소오스 및 드레인 영역과 그 사이에 채널영역이 형성되는 기판과,상기 기판의 채널영역 상측에 형성되는 하부전극층,상기 하부전극층상에 형성되는 강유전체층 및,상기 강유전체층상에 형성되는 상부전극층을 구비하여 구성되고,상기 강유전체층은 무기물 강유전 물질과 유기물을 포함하는 혼합물로 구성되는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리 장치
2 2
제1항에 있어서,상기 하부전극층이 데이터 전극인 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리 장치
3 3
제1항에 있어서,상기 상부전극층이 접지 전극인 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리 장치
4 4
삭제
5 5
제1항에 있어서,상기 하부전극층과 상부전극층은 상호 직교하는 방향으로 연장되면서 배설되는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리 장치
6 6
제1항에 있어서,상기 하부전극층이 접지 전극이고 상부전극층이 데이터 전극인 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리 장치
7 7
제1항에 있어서,상기 무기물 강유전 물질이 산화물 강유전체, 불화물 강유전체, 강유전체 반도체나 이들 무기물의 혼합물 중 적어도 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리 장치
8 8
삭제
9 9
제1항에 있어서,상기 혼합물에 실리사이트, 실리케이트 또는 금속이 추가로 혼합되어 있는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리 장치
10 10
제1항에 있어서,상기 유기물이 고분자 강유전체인 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리 장치
11 11
삭제
12 12
삭제
13 13
제1항에 있어서,상기 강유전체층이 무기물 강유전 물질의 용액과 유기물 용액의 혼합 용액을 가열 소성시켜 생성된 것임을 특징으로 하는 강유전체 메모리 장치
14 14
소오스 및 드레인 영역과 그 사이에 채널영역이 형성되는 기판과,상기 기판의 채널영역 상측에 형성되는 하부전극층,상기 하부전극층상에 형성되는 강유전체층 및,상기 강유전체층상에 형성되는 상부전극층을 구비하여 구성되고,상기 강유전체층은 무기물 강유전 물질의 고용체와 유기물을 포함하는 혼합물로 구성되는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리 장치
15 15
소오스 및 드레인 영역과 그 사이에 채널영역이 형성되는 기판과,상기 기판의 채널영역 상측에 형성되는 하부전극층,상기 하부전극층상에 형성되는 강유전체층 및,상기 강유전체층상에 형성되는 상부전극층을 구비하여 구성되고,상기 강유전체층은 무기물 강유전 물질과 유기물을 포함하는 혼합물로 구성되는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터
16 16
제15항에 있어서,상기 하부전극층이 데이터 전극인 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터
17 17
제15항에 있어서,상기 상부전극층이 접지 전극인 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터
18 18
삭제
19 19
제15항에 있어서,상기 하부전극층과 상부전극층은 상호 직교하는 방향으로 연장되면서 배설되는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터
20 20
제15항에 있어서,상기 하부전극층이 접지 전극이고 상부전극층이 데이터 전극인 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터
21 21
제15항에 있어서,상기 무기물 강유전 물질이 산화물 강유전체, 불화물 강유전체, 강유전체 반도체나 이들 무기물의 혼합물 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터
22 22
삭제
23 23
제15항에 있어서,상기 혼합물에 실리사이트, 실리케이트 또는 금속이 추가로 혼합되어 있는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터
24 24
제15항에 있어서,상기 유기물이 고분자 강유전체인 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터
25 25
삭제
26 26
삭제
27 27
제15항에 있어서,상기 강유전체층이 무기물 강유전 물질의 용액과 유기물 용액의 혼합 용액을 가열 소성시켜 생성된 것임을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터
28 28
소오스 및 드레인 영역과 그 사이에 채널영역이 형성되는 기판과,상기 기판의 채널영역 상측에 형성되는 하부전극층,상기 하부전극층상에 형성되는 강유전체층 및,상기 강유전체층상에 형성되는 상부전극층을 구비하여 구성되고,상기 강유전체층은 무기물 강유전 물질의 고용체와 유기물을 포함하는 혼합물로 구성되는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터
29 29
강유전체 메모리 장치를 제조하는 방법에 있어서,기판에 소스 및 드레인 영역을 형성하는 단계와,상기 소스 및 드레인 영역 사이에 채널영역을 형성하는 단계,상기 채널영역 상측에 하부 전극을 형성하는 단계,무기물 강유전 물질과 유기물의 혼합 용액을 만드는 단계,상기 혼합 용액을 상기 하부 전극상에 도포한 후 소성 및 에칭하여 무기물 강유전 물질과 유기물을 포함하는 혼합물로 구성되는 강유전체층을 형성하는 단계,상기 무기물 강유전 물질과 유기물을 포함하는 혼합물로 구성되는 강유전체층 상에 상부 전극을 형성하는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 강유전체 메모리 장치의 제조방법
30 30
제29항에 있어서,상기 무기물 강유전 물질이 산화물 강유전체, 불화물 강유전체, 강유전체 반도체나 이들 무기물의 혼합물 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리 장치의 제조방법
31 31
제29항에 있어서,상기 무기물 강유전 물질이 PZT인 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리 장치의 제조방법
32 32
제29항에 있어서,상기 혼합 용액에 실리사이트, 실리케이트 또는 금속이 추가로 혼합되는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리 장치의 제조방법
33 33
제29항에 있어서,상기 유기물이 고분자 강유전체인 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리 장치의 제조방법
34 34
삭제
35 35
삭제
36 36
제29항에 있어서,상기 혼합 용액이 PZT 용액과 PVDF-TrFE 용액의 혼합 용액인 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리 장치의 제조방법
37 37
제36항에 있어서,상기 PZT용액이 PZO용액과 PTO용액을 혼합하여 생성한 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리 장치의 제조방법
38 38
제36항에 있어서,상기 PVDF-TrFE 용액이 PVDF-TrFE 파우더를 THF(C4H5O), MEK(C4H8O), 아세톤(C3H6O), DMF(C3H7NO), DMSO(C2H6OS) 중 적어도 하나에 용해시켜 생성하는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리 장치의 제조방법
39 39
삭제
40 40
삭제
41 41
삭제
42 42
제29항에 있어서,상기 강유전체층의 에칭이 BOE를 통해 실행되는 것을 특징으로 강유전체 메모리 장치의 제조방법
43 43
제29항에 있어서,상기 강유전체층의 에칭이 BOE와 금 에천트를 이용하는 2단계 에칭을 통해 실행되는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리 장치의 제조방법
44 44
제29항에 있어서,상기 강유전체층의 에칭이 RIE법을 통해 실행되는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리 장치의 제조방법
45 45
제29항에 있어서,상기 소성 온도가 200도 이하인 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리 장치의 제조방법
46 46
전계효과 트랜지스터를 제조하는 방법에 있어서,기판에 소스 및 드레인 영역을 형성하는 단계와,상기 소스 및 드레인 영역 사이에 채널영역을 형성하는 단계,상기 채널영역 상측에 하부 전극을 형성하는 단계,무기물 강유전 물질과 유기물의 혼합 용액을 만드는 단계,상기 혼합 용액을 상기 하부 전극상에 도포한 후 소성 및 에칭하여 무기물 강유전 물질과 유기물을 포함하는 혼합물로 구성되는 강유전체층을 형성하는 단계,상기 무기물 강유전 물질과 유기물을 포함하는 혼합물로 구성되는 강유전체층 상에 상부 전극을 형성하는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 WO2008082044 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
DOCDB 패밀리 정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.