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반도체 기판상에 유기물을 적층하는 방법에 있어서,반도체 기판을 표면처리용액에 담그는 단계와,반도체 기판상의 표면처리용액을 건조시키는 단계 및,반도체 기판상에 유기물을 도포하는 단계를 포함하여 구성되고,상기 표면처리용액은 반도체 기판의 표면에 유기물이 반델발스결합 또는 수소결합되도록 하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판상의 유기물층 형성방법
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제1항에 있어서,상기 표면처리용액은 반도체 기판의 표면에 H-기를 생성하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판상의 유기물층 형성방법
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제2항에 있어서,상기 표면처리용액은 실란(Silianes), 아키-실란(Aki-Silianes), 아릴-실란(Aryl-Silianes), 불화 알킬-실란(Fluorinated Alkyl-Silianes), 페르플루오르 트리에톡시 실란(perfluorinated triethoxy Siliane), 헵타데카 블루오르데실 트리에톡시 실란(heptadeca fluorodecyl triethoxy Siliane) 용액 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판상의 유기물층 형성방법
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제1항에 있어서,상기 표면처리용액은 반도체 기판의 표면에 OH-기를 생성하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판상의 유기물층 형성방법
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제4항에 있어서,상기 표면처리용액은 2-프로패놀(propanol) 용액에 KOH를 포화시킨 용액인 것을 특징으로 하는 반도체 기판상의 유기물층 형성방법
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제4항에 있어서,상기 표면처리용액은 H2SO4와 H2O2 를 혼합한 용액액인 것을 특징으로 하는 반도체 기판상의 유기물층 형성방법
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반도체 기판상에 유기물을 적층하는 방법에 있어서,반도체 기판을 표면처리용액에 담그는 단계와,반도체 기판상의 표면처리용액을 건조시키는 단계 및,반도체 기판상에 유기물을 도포하는 단계를 포함하여 구성되고,상기 표면처리용액은 반도체 기판의 표면에 H-기를 생성하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판상의 유기물층 형성방법
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제7항에 있어서,상기 표면처리용액은 실란(Silianes), 아키-실란(Aki-Silianes), 아릴-실란(Aryl-Silianes), 불화 알킬-실란(Fluorinated Alkyl-Silianes), 페르플루오르 트리에톡시 실란(perfluorinated triethoxy Siliane), 헵타데카 블루오르데실 트리에톡시 실란(heptadeca fluorodecyl triethoxy Siliane) 용액 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판상의 유기물층 형성방법
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반도체 기판상에 유기물을 적층하는 방법에 있어서,반도체 기판을 표면처리용액에 담그는 단계와,반도체 기판상의 표면처리용액을 건조시키는 단계 및,반도체 기판상에 유기물을 도포하는 단계를 포함하여 구성되고,상기 표면처리용액은 반도체 기판의 표면에 OH-기를 생성하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판상의 유기물층 형성방법
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제9항에 있어서,상기 표면처리용액은 2-프로패놀(propanol) 용액에 KOH를 포화시킨 용액인 것을 특징으로 하는 반도체 기판상의 유기물층 형성방법
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제9항에 있어서,상기 표면처리용액은 H2SO4와 H2O2 를 혼합한 용액인 것을 특징으로 하는 반도체 기판상의 유기물층 형성방법
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