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강유전체 메모리장치 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015194576
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 기판상에 다량의 메모리 셀을 적층하여 형성한 강유전체 메모리 장치와, 그 제조방법에 대한 것이다. 본 발명에 있어서는 기판(10)상에 제1 메모리 셀(20)이 형성되고, 이 제1 메모리 셀(20)의 상측에 절연층(30)을 통해서 제2 메모리 셀(40)이 형성된다. 이때, 상기 절연층(30)으로서는 폴리이미드(PI) 등의 유기물이 이용된다. 또한, 제1 및 제 2 메모리 셀(20, 40)은 강유전체층(23, 43)이나 게이트 전극(21, 41)이 상호 인접하게 배치됨으로써, 한 메모리 셀의 게이트 전압에 의해 다른 메모리 셀의 분극 특성이 영향을 받게 되는 현상을 제거하게 된다.강유전체 메모리, 적층, 데이터 유지특성
Int. CL H01L 27/11507 (2017.01.01) H01L 29/78 (2006.01.01) H01L 29/66 (2006.01.01) H01L 29/51 (2006.01.01) H01L 27/11585 (2017.01.01)
CPC H01L 27/11507(2013.01) H01L 27/11507(2013.01) H01L 27/11507(2013.01) H01L 27/11507(2013.01) H01L 27/11507(2013.01)
출원번호/일자 1020060115846 (2006.11.22)
출원인 서울시립대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1250882-0000 (2013.03.29)
공개번호/일자 10-2008-0046417 (2008.05.27) 문서열기
공고번호/일자 (20130404) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.11.22)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울시립대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 동대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박병은 대한민국 서울특별시 양천구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 홍성훈 대한민국 전라북도 전주시 덕진구 안덕원로 **, *층 ***호(진북동,오피스밸리)(드림인국제특허법률사무소)
2 김유 대한민국 서울특별시 서초구 강남대로 ***, **층, **층(서초동, 태우빌딩)(특허법인세림)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울시립대학교 산학협력단 서울특별시 동대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.11.22 수리 (Accepted) 1-1-2006-0856875-10
2 [출원인코드정정]출원인코드 정보변경(경정), 정정신고서
[Applicant Code Correction] Report on Change (Correction), Correction to Applicant Code Information		 2007.09.28 수리 (Accepted) 1-1-2007-0698574-55
3 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status		 2007.10.26 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2007-0769274-17
4 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status		 2007.11.08 수리 (Accepted) 1-1-2007-0803366-07
5 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status		 2008.08.25 수리 (Accepted) 1-1-2008-0605118-36
6 [복대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Sub-agent] Report on Agent (Representative)		 2009.01.30 수리 (Accepted) 1-1-2009-5003870-62
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.01.05 수리 (Accepted) 4-1-2011-5002044-04
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.11.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0926169-32
9 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2011.11.22 수리 (Accepted) 1-1-2011-0926176-52
10 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.09.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
11 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.10.24 수리 (Accepted) 9-1-2012-0080274-17
12 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.11.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0693757-51
13 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2013.01.21 수리 (Accepted) 1-1-2013-0055217-19
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.02.19 수리 (Accepted) 1-1-2013-0149277-75
15 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.02.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0149276-29
16 등록결정서
Decision to grant		 2013.03.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0213133-92
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.03 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000287-10
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.01.17 수리 (Accepted) 4-1-2017-5009116-18
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.09.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5191631-69
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번호 청구항
1 1
기판 상에 적어도 하나 이상의 메모리 셀이 적층되어 형성되되,기판상에 게이트전극, 드레인 및 소오스전극, 채널형성층 및 강유전체층을 포함하여 형성된 제1 메모리 셀과,상기 제 1 메모리 셀의 강유전체층에 형성된 절연층과,상기 절연층상에 강유전체층, 채널형성층, 드레인 및 소오스 전극, 게이트전극을 포함하여 형성된 제2 메모리 셀을 포함하며,상기 강유전체층은 β상의 결정구조를 갖는 PVDF층으로 이루어지고,상기 게이트전극과 강유전체층 사이에 상기 채널형성층이 형성되고,상기 제 1 메모리 셀의 강유전체층과 제 2 메모리 셀의 강유전체 층이 상호 인접하게 배치되는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리장치
2 2
제1항에 있어서,상기 채널형성층은 유기물 반도체층인 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리장치
3 3
제1항에 있어서,상기 채널형성층은 절연층인 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리장치
4 4
삭제
5 5
제1항에 있어서,상기 기판이 종이를 포함하는 재질로 구성되는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리장치
6 6
제1항에 있어서,상기 절연층은 유기물인 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리장치
7 7
삭제
8 8
제1항에 있어서,상기 제2 메모리 셀 상에 절연층이 형성되고 이후 제 3 메모리 셀이 적층 형성되되,상기 제 3 메모리 셀은 게이트전극, 채널형성층, 강유전체층, 드레인 및 소오스전극의 순서로 형성되어, 상기 제2 메모리 셀과 제3 메모리 셀의 게이트 전극이 상호 인접하게 형성되는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리장치
9 9
기판 상에 제1 메모리 셀을 형성하는 단계와,제1 메모리 셀상에 절연층을 형성하는 단계 및,상기 절연층상에 제2 메모리 셀을 형성하는 단계를 포함하여 구성되고,상기 제1 및 제2 메모리 셀을 형성하는 단계는게이트전극을 형성하는 단계와, 채널형성층을 형성하는 단계, 강유전체층을 형성하는 단계, 드레인 및 소오스전극을 형성하는 단계 및, 상기 강유전체층을 β상으로 설정하는 강유전체층 상전이단계를 포함하여 구성되되,상기 제2 메모리 셀을 형성하는 단계는 상기 절연층상에 강유전체층, 채널형성층, 드레인 및 소오스 전극, 게이트전극의 순서로 형성되어, 상기 제1 메모리 셀과 제2 메모리 셀의 강유전체층이 상호 인접하게 형성되는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리장치의 제조방법
10 10
삭제
11 11
제9항에 있어서,상기 제2 메모리 셀 상에 절연층이 형성되고 이후 제 3 메모리 셀이 형성되되,상기 제 3 메모리 셀은 게이트전극, 채널형성층, 강유전체층, 드레인 및 소오스전극의 순서로 형성되어, 상기 제2 메모리 셀과 제3 메모리 셀의 게이트 전극이 상호 인접하게 형성되는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리장치의 제조방법
12 12
제9항에 있어서,상기 강유전체층 상전이단계는 상기 강유전체층의 온도를 β상결정을 이루는 온도 이상으로 상승시키는 제1 단계와,상기 강유전체층의 온도를 β상결정 온도까지 단조적으로 감소시키는 제2 단계 및,상기 강유전체층의 온도를 급속도로 강하시키는 제3 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리장치의 제조방법
13 13
제9항에 있어서,상기 강유전체층의 상전이단계는 상기 강유전체층의 온도를 β상결정을 이루는 온도로 상승시키는 제1 단계와,상기 강유전체층의 온도를 급속도로 강하시키는 제2 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리장치의 제조방법
14 14
삭제
15 15
제9항에 있어서,상기 강유전체층 상전이단계가 제2 메모리 셀을 형성한 이후에 실행되는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리장치의 제조방법
16 16
기판 상에 적어도 하나 이상의 메모리 셀이 적층되어 형성되되,기판상에 형성된 게이트전극, 드레인 및 소오스전극, 채널형성층 및 강유전체층을 포함하여 구성된 제1 메모리 셀과,상기 제 1 메모리 셀의 강유전체층에 형성된 절연층과,상기 절연층상에 게이트전극, 드레인 및 소오스 전극, 채널형성층 및 강유전체층을 포함하여 형성된 제2 메모리 셀을 포함하며,상기 강유전체층은 β상의 결정구조를 갖는 PVDF층으로 이루어지고,상기 제 1 및 2 메모리 셀은 게이트전극과 채널형성층 사이에 강유전체층이 형성된 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리장치
17 17
삭제
18 18
삭제
19 19
삭제
20 20
제16항에 있어서,상기 기판이 종이를 포함하는 재질로 구성되는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리장치
21 21
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22 22
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23 23
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지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.