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강유전체 메모리 장치

  • 기술번호 : KST2015194579
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 메모리장치에 사용되는 강유전체의 히스테리시스(Hysteresis) 및 잔류분극 특성을 획기적으로 제고하여 안정적인 메모리 동작이 가능하도록 된 강유전체를 이용한 강유전체 메모리 장치에 관한 것이다.본 발명에 따른 강유전체 메모리 장치는 전계효과 트랜지스터는 기판 상측에 게이트 전극(21)이 형성되고, 상기 게이트 전극(21)의 상측에 채널형성층(22)이 형성되며, 상기 채널형성층(22)의 상측에 강유전체층(23)이 형성된다. 이때, 강유전체층(23)은 무기물 강유전 물질이나 그 고용체와 유기물 또는 유기물 강유전체 물질의 혼합물로 구성된다.강유전체 메모리, 전계효과 트랜지스터, 무기물, 유기물
Int. CL H01L 27/105 (2006.01.01) H01L 27/115 (2017.01.01) H01L 21/8247 (2006.01.01)
CPC H01L 27/1159(2013.01) H01L 27/1159(2013.01) H01L 27/1159(2013.01) H01L 27/1159(2013.01) H01L 27/1159(2013.01) H01L 27/1159(2013.01)
출원번호/일자 1020070058170 (2007.06.14)
출원인 서울시립대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0877429-0000 (2008.12.29)
공개번호/일자 10-2008-0063032 (2008.07.03) 문서열기
공고번호/일자 (20090108) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020060138753   |   2006.12.29
대한민국  |   1020060138748   |   2006.12.29
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020080102807;1020080102808;
심사청구여부/일자 Y (2008.01.04)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울시립대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 동대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박병은 대한민국 서울특별시 양천구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김유 대한민국 서울특별시 서초구 강남대로 ***, **층, **층(서초동, 태우빌딩)(특허법인세림)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울시립대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 동대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2007.06.14 수리 (Accepted) 1-1-2007-0429877-42
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2007.07.24 수리 (Accepted) 1-1-2007-0534981-23
3 [출원인코드정정]출원인코드 정보변경(경정), 정정신고서
[Applicant Code Correction] Report on Change (Correction), Correction to Applicant Code Information
2007.09.28 수리 (Accepted) 1-1-2007-0698797-29
4 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2007.10.26 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2007-0769274-17
5 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2007.11.08 수리 (Accepted) 1-1-2007-0803366-07
6 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2008.01.04 수리 (Accepted) 1-1-2008-0007413-30
7 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2008.01.07 수리 (Accepted) 1-1-2008-0011590-42
8 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2008.01.21 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
9 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2008.02.13 수리 (Accepted) 9-1-2008-0006149-66
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2008.02.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0086627-25
11 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2008.04.21 수리 (Accepted) 1-1-2008-0281380-71
12 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2008.05.20 수리 (Accepted) 1-1-2008-0356357-67
13 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2008.06.20 수리 (Accepted) 1-1-2008-0443255-27
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2008.07.21 수리 (Accepted) 1-1-2008-0523771-29
15 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2008.08.25 수리 (Accepted) 1-1-2008-0605118-36
16 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2008.09.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0484424-99
17 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application
2008.10.20 수리 (Accepted) 1-1-2008-0728222-83
18 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2008.10.20 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2008-0047582-59
19 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application
2008.10.20 수리 (Accepted) 1-1-2008-0728223-28
20 등록결정서
Decision to grant
2008.11.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0590072-29
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.01.05 수리 (Accepted) 4-1-2011-5002044-04
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.03 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000287-10
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.01.17 수리 (Accepted) 4-1-2017-5009116-18
24 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.09.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5191631-69
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번호 청구항
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기판과, 게이트전극, 드레인 및 소오스전극, 채널형성층 및 강유전체층을 포함하여 구성되고,상기 강유전체층은 무기물 강유전 물질과 유기물의 혼합물로 구성되며,상기 게이트전극과 강유전체층 사이에 채널형성층이 형성되고,상기 혼합물에 실리사이트, 실리케이트 또는 다른 금속이 추가로 혼합되어 있는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리 장치
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기판과, 게이트전극, 드레인 및 소오스전극, 채널형성층 및 강유전체층을 포함하여 구성되고,상기 강유전체층은 무기물 강유전 물질의 고용체와 유기물의 혼합물로 구성되며,상기 게이트전극과 강유전체층 사이에 채널형성층이 형성되고,상기 혼합물에 실리사이트, 실리케이트 또는 다른 금속이 추가로 혼합되어 있는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리장치
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기판과, 게이트전극, 드레인 및 소오스전극, 채널형성층 및 강유전체층을 포함하여 구성되고,상기 강유전체층은 무기물 강유전 물질과 유기물의 혼합물로 구성되며,상기 게이트전극과 채널형성층 사이에 강유전체층이 형성되고,상기 혼합물에 실리사이트, 실리케이트 또는 다른 금속이 추가로 혼합되어 있는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리장치
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기판과, 게이트전극, 드레인 및 소오스전극, 채널형성층 및 강유전체층을 포함하여 구성되고,상기 강유전체층은 무기물 강유전 물질의 고용체와 유기물의 혼합물로 구성되며,상기 게이트전극과 채널형성층 사이에 강유전체층이 형성되는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리 장치
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제25항에 있어서,상기 혼합물에 실리사이트, 실리케이트 또는 다른 금속이 추가로 혼합되어 있는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리 장치
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