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강유전 물질

  • 기술번호 : KST2015194582
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 강유전 물질과, 이를 이용한 강유전체 메모리장치 및 전계효과 트랜지스터와 이들의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 있어서는 강유전 물질이 유기물 강유전 물질과 금속의 혼합물로 구성된다. 따라서, 유기물 강유전 물질과 금속의 혼합 용액을 이용하여 강유전체층을 형성하게 되므로, 잉크젯, 스핀코팅법 또는 스크린 인쇄 등을 이용하여 용이하게 강유전체층을 형성할 수 있게 된다. 또한, 강유전체층의 형성온도가 대략 200도 이하로 낮아지게 되므로 실리콘 기판상에 데이터 유지특성이 우수한 강유전체층을 형성할 수 있게 된다. 또한, 강유전체층의 형성온도가 낮아지게 되므로 압전소자, 초전소자, 전계효과 트랜지스터, 강유전체 메모리를 기존의 실리콘 기판 대신에 유기물이나 종이 등과 같은 다양한 종류의 기판 상에 형성할 수 있게 된다. 유기물 강유전 물질, 금속
Int. CL H01L 27/105 (2006.01.01) H01L 27/115 (2017.01.01) H01L 21/28 (2006.01.01) H01B 3/18 (2006.01.01)
CPC H01L 27/105(2013.01) H01L 27/105(2013.01) H01L 27/105(2013.01) H01L 27/105(2013.01)
출원번호/일자 1020080055949 (2008.06.13)
출원인 서울시립대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2009-0129838 (2009.12.17) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020140090102;
심사청구여부/일자 Y (2013.06.11)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울시립대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 동대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박병은 대한민국 서울특별시 양천구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 아이퍼스 대한민국 서울특별시 강남구 삼성로**길*, *층(대치동 삼성빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.06.13 수리 (Accepted) 1-1-2008-0424907-08
2 [복대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Sub-agent] Report on Agent (Representative)		 2009.01.30 수리 (Accepted) 1-1-2009-5003870-62
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.01.05 수리 (Accepted) 4-1-2011-5002044-04
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2013.06.11 수리 (Accepted) 1-1-2013-0515290-00
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.03 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000287-10
6 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2014.01.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2014.02.11 수리 (Accepted) 9-1-2014-0011280-54
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.03.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0203189-93
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2014.06.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0412420-93
10 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2014.07.16 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2014-0026964-57
11 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2014.07.16 수리 (Accepted) 1-1-2014-0670367-08
12 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.08.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0598706-51
13 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2014.09.17 수리 (Accepted) 1-1-2014-0879500-75
14 [복대리인해임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Dismissal of Sub-agent] Report on Agent (Representative)		 2014.09.17 수리 (Accepted) 1-1-2014-0879501-10
15 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.10.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0966910-00
16 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.10.10 수리 (Accepted) 1-1-2014-0966909-53
17 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2014.10.28 무효 (Invalidation) 1-1-2014-1037371-89
18 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.11.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0750373-73
19 보정요구서
Request for Amendment		 2014.11.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2014-0195600-71
20 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.11.26 수리 (Accepted) 1-1-2014-1145926-74
21 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.11.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-1145927-19
22 무효처분통지서
Notice for Disposition of Invalidation		 2014.12.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2014-0226463-28
23 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2015.01.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0042471-11
24 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.03.10 보정각하 (Rejection of amendment) 1-1-2015-0233446-68
25 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.03.10 수리 (Accepted) 1-1-2015-0233447-14
26 심사전치출원의 심사결과통지서
Notice of Result of Reexamination		 2015.04.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0234764-97
27 보정각하결정서
Decision of Rejection for Amendment		 2015.04.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0234765-32
28 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.01.17 수리 (Accepted) 4-1-2017-5009116-18
29 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.09.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5191631-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
유기물 강유전 물질과 금속의 혼합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 강유전 물질
2 2
제1항에 있어서, 상기 강유전 물질이 유기물 강유전 물질의 파우더와 금속 물질의 파우더를 혼합하여 형성되는 것을 특징으로 하는 강유전 물질
3 3
제1항에 있어서, 상기 강유전 물질이 유기물 강유전 물질 용액에 금속 물질의 파우더를 용해시켜 혼합한 혼합 용액인 것을 특징으로 하는 강유전 물질
4 4
제1항에 있어서, 상기 강유전 물질이 유기물 강유전 물질 용액에 금속 용액을 혼합한 혼합 용액인 것을 특징으로 하는 강유전 물질
5 5
제1항에 있어서, 상기 강유전 물질이 유기물 강유전 물질의 파우더와 금속 물질의 파우더를 혼합 및 소결하여 형성된 타겟인 것을 특징으로 하는 강유전 물질
6 6
기판과, 기판의 소정 영역에 형성되는 소오스 및 드레인 영역, 상기 소오스 및 드레인 영역 사이에 형성되는 채널 영역, 상기 반도체 기판상의 상기 채널 영역에 대응하는 부분에 형성되는 강유전체층 및, 상기 소오스 영역과 드레인 영역 및 유기물 강유전체층 상에 각각 형성되는 소오스 전극과 드레인 전극 및 게이트 전극을 포함하여 구성되고, 상기 강유전체층은 유기물 강유전 물질과 금속의 혼합물을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리장치
7 7
제6항에 있어서, 상기 유기물 강유전 물질은 폴리비닐리덴(PVDF), PVDF를 포함하는 중합체, PVDF를 포함하는 공중합체, PVDF를 포함하는 삼원공중합체, 홀수의 나일론, 시아노중합체 및 이들의 중합체나 공중합체 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리장치
8 8
제6항에 있어서, 상기 강유전체층은 1㎛ 이하의 막두께를 갖는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리장치
9 9
제6항에 있어서, 상기 기판은 반도체 웨이퍼, 종이, 파릴렌(Parylene)이 코팅된 종이, 또는 유기물 중 적어도 하나를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리장치
10 10
기판의 소정 영역에 소오스 및 드레인 영역을 형성하는 제1 단계와, 상기 소오스 및 드레인 영역의 사이에 채널 영역을 형성하는 제2 단계, 유기물 강유전 물질과 금속을 혼합하여 강유전 물질의 혼합물을 형성하는 제3 단계, 상기 강유전 혼합물을 이용하여 기판상의 상기 채널 영역 부분에 강유전체층을 형성하는 제4 단계 및, 상기 소오스 및 드레인 영역과 상기 유기물 강유전체층 상에 전극을 형성하는 제5 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리장치의 제조방법
11 11
제10항에 있어서, 상기 강유전 혼합물이 유기물 강유전 물질의 파우더와 금속 물질의 파우더를 혼합한 후 용매에 녹인 혼합용액인 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리장치의 제조방법
12 12
제10항에 있어서, 상기 강유전 혼합물이 유기물 강유전 물질 용액에 금속 물질의 파우더를 용해시켜 혼합한 혼합 용액인 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리장치의 제조방법
13 13
제10항에 있어서, 상기 강유전 혼합물이 유기물 강유전 물질 용액에 금속 용액을 혼합한 혼합 용액인 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리장치의 제조방법
14 14
제10항에 있어서, 상기 강유전 혼합물이 유기물 강유전 물질의 파우더와 금속 물질의 파우더를 혼합 및 소결하여 형성된 타겟인 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리장치의 제조방법
15 15
제10항에 있어서, 상기 강유전체층을 형성하는 단계는 스핀코팅법, 진공증착법, 스크린 프린팅법, 젯트 프린팅법 또는 LB(Langmuir-Blodgett)법 중 적어도 하나를 이용해서 실행되는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리장치의 제조방법
16 16
기판과, 기판의 소정 영역에 형성되는 소오스 및 드레인 영역, 상기 소오스 및 드레인 영역 사이에 형성되는 채널 영역, 상기 반도체 기판상의 상기 채널 영역에 대응하는 부분에 형성되는 강유전체층 및, 상기 소오스 영역과 드레인 영역 및 유기물 강유전체층 상에 각각 형성되는 소오스 전극과 드레인 전극 및 게이트 전극을 포함하여 구성되고, 상기 강유전체층은 유기물 강유전 물질과 금속의 혼합물을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터
17 17
기판의 소정 영역에 소오스 및 드레인 영역을 형성하는 제1 단계와, 상기 소오스 및 드레인 영역의 사이에 채널 영역을 형성하는 제2 단계, 유기물 강유전 물질과 금속을 혼합하여 강유전 물질의 혼합물을 형성하는 제3 단계, 상기 강유전 혼합물을 이용하여 기판상의 상기 채널 영역 부분에 강유전체층을 형성하는 제4 단계 및, 상기 소오스 및 드레인 영역과 상기 유기물 강유전체층 상에 전극을 형성하는 제5 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터의 제조방법
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