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무기질 전기 절연층 내부에 다수의 클러스터를 포함하는 비휘발성 메모리의 전하저장 소자의 제조에 있어서,
챔버의 내측에 타겟 금속판 및 기저부를 설치하는 단계;
상기 타겟 금속판의 원소들을 스퍼터링을 통해 분리하여 상기 기저부에 나노미터 단위의 클러스터를 포함하는 무기질 전기 절연층을 증착하는 단계;
일정 시간 열처리 또는 상기 챔버내의 기체분압을 조절하여 상기 클러스터의 특성을 조절하는 단계를 포함하는 비휘발성 메모리의 전하저장층 제조방법
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청구항 1항에서,
상기 무기질 전기 절연층을 증착하는 단계에서 상기 무기질 전기 절연층의 증착은 상기 챔버에 마련된 윈도우를 통하여 입사되는 이온 빔 또는 전자 빔 또는 펄스형 레이저를 이용하여 상기 타깃 금속판의 원자를 추출하여 이루어지는 것이 특징인 비휘발성 메모리의 전하저장층 제조방법
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청구항 1항에서,
상기 무기질 전기 절연층을 증착하는 단계는,
상기 챔버에 아르곤 및 산소 기체를 주입하는 단계;
상기 챔버에 교류전원을 인가하여 발생된 플라즈마를 이용하여 상기 타깃 금속판의 원자를 추출하여 상기 나노미터 단위의 클러스터를 포함하는 무기질 전기 절연층을 증착하는 단계로 이루어지는 것이 특징인 비휘발성 메모리의 전하저장층 제조방법
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청구항 1항에서,
상기 클러스터의 특성을 조절하는 단계에서 상기 챔버 내로 공급되는 가스의 기체분압 또는 상기 챔버 내의 온도 또는 열처리 시간(T)의 조절을 통해 상기 클러스터의 크기를 조절하는 것이 특징인 비휘발성 메모리의 전하저장층 제조방법
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청구항 4항에 있어서,
상기 기체분압의 조절은 상기 챔버내로 공급된 산소분압의 조절을 통해 이루어지는 것이 특징인 비휘발성 메모리의 전하저장층 제조방법
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청구항 4항에 있어서,
상기 열처리 시간은 온도를 1000℃로 한 상태에서 10-30분 내의 시간으로 이루어지는 것이 특징인 비휘발성 메모리의 전하저장층 제조방법
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청구항 1항에서,
상기 무기질 전기 절연층은 이산화규소 또는 질화규소 중 어느 하나로 이루어지고,
상기 무기질 전기 절연층의 종류는 상기 챔버로 공급되는 가스 및 타겟 금속판의 변경을 통해 변경하는 것이 특징인 비휘발성 메모리의 전하저장층 제조방법
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청구항 7항에서,
상기 무기질 전기 절연층이 이산화규소로 이루어지는 경우 상기 이산화규소 전기 절연층 내부에 형성되는 실리콘 클러스터의 크기는 20 나노미터 이하로 형성되는 것이 특징인 비휘발성 메모리의 전하저장층 제조방법
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청구항 7항에서,
상기 무기질 전기 절연층이 이산화규소로 이루어지는 경우 무기질 전기 절연층을 증착하는 단계에서,
다른 물질을 실리콘과 일정 비율로 공증착하여 실리콘 공-클러스터를 생성하는 것이 특징인 비휘발성 메모리의 전하저장층 제조방법
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10
청구항 1항에서,
상기 클러스터의 특성을 조절단계 후,
상기 챔버 내에서 클러스터를 포함하는 무기질 전기 절연층의 상부 및 하부에 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 것이 특징인 비휘발성 메모리의 전하저장층 제조방법
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11
청구항 1항에 있어서,
상기 무기질 전기 절연층의 형태는 층상의 평행시트로 형성하는 것이 특징인 비휘발성 메모리의 전하저장층 제조방법
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