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기판과, 게이트전극, 드레인 및 소오스전극, 채널형성층 및 강유전체층을 포함하여 구성되고,상기 강유전체층은 무기물 강유전 물질과 유기물의 혼합물로 구성되며,상기 게이트전극과 강유전체층 사이에 채널형성층이 형성되는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리 장치
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제1항에 있어서,상기 채널형성층은 유기물 또는 무기물 반도체층인 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리 장치
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제1항에 있어서,상기 채널형성층은 절연층인 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리 장치
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제1항에 있어서,상기 기판은 폴리이미드(PI), 폴리카보네이트(PC), 폴리에테르설폰(PES), 폴리에테르에테르케톤(PEEK), 폴리부틸렌테레프탈레이트(PBT), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리염화비닐(PVC), 폴리에틸렌(PE), 에틸렌 공중합체, 폴리프로필렌(PP), 프로필렌 공중합체, 폴리(4-메틸-1-펜텐)(TPX), 폴리아릴레이트(PAR), 폴리아세탈(POM), 폴리페닐렌옥사이드(PPO), 폴리설폰(PSF), 폴리페닐렌설파이드(PPS), 폴리염화비닐리덴(PVDC), 폴리초산비닐(PVAC), 폴리비닐알콜(PVAL), 폴리비닐아세탈, 폴리스티렌(PS), AS수지, ABS수지, 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA), 불소수지, 페놀수지(PF), 멜라민수지(MF), 우레아수지(UF), 불포화폴리에스테르(UP), 에폭시수지(EP), 디알릴프탈레이트수지(DAP), 폴리우레탄(PUR), 폴리아미드(PA), 실리콘수지(SI) 또는 이것들의 혼합물 및 화합물 중 하나로 구성되는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리 장치
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제1항에 있어서,상기 기판이 종이를 포함하는 재질로 구성되는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리 장치
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제1항에 있어서,상기 무기물 강유전 물질이 산화물 강유전체, 불화물 강유전체, 강유전체 반도체나 이들 무기물의 혼합물 중 적어도 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리 장치
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7
제1항에 있어서,상기 유기물이 고분자 강유전체인 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리 장치
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제7항에 있어서,상기 고분자 강유전체가 폴리비닐리덴 플로라이드(PVDF), 이 PVDF를 포함하는 중합체, 공중합체, 또는 삼원공중합체, 홀수의 나일론, 시아노중합체 및 이들의 중합체나 공중합체 중 적어도 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리 장치
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9
제7항에 있어서,상기 고분자 강유전체가 PVDF-TrFE인 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리 장치
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제1항에 있어서,상기 강유전체층이 무기물 강유전 물질의 용액과 유기물 용액의 혼합 용액을 가열 소성시켜 생성된 것임을 특징으로 하는 강유전체 메모리 장치
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11
기판과, 게이트전극, 드레인 및 소오스전극, 채널형성층 및 강유전체층을 포함하여 구성되고,상기 강유전체층은 무기물 강유전 물질의 고용체와 유기물의 혼합물로 구성되며,상기 게이트전극과 강유전체층 사이에 채널형성층이 형성되는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리장치
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12
기판과, 게이트전극, 드레인 및 소오스전극, 채널형성층 및 강유전체층을 포함하여 구성되고,상기 강유전체층은 무기물 강유전 물질과 유기물의 혼합물로 구성되며,상기 게이트전극과 채널형성층 사이에 강유전체층이 형성되는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리장치
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13
제12항에 있어서,상기 채널형성층은 유기물 또는 무기물 반도체층인 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리 장치
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제13항에 있어서,상기 채널형성층은 절연층인 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리 장치
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제12항에 있어서,상기 기판은 폴리이미드(PI), 폴리카보네이트(PC), 폴리에테르설폰(PES), 폴리에테르에테르케톤(PEEK), 폴리부틸렌테레프탈레이트(PBT), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리염화비닐(PVC), 폴리에틸렌(PE), 에틸렌 공중합체, 폴리프로필렌(PP), 프로필렌 공중합체, 폴리(4-메틸-1-펜텐)(TPX), 폴리아릴레이트(PAR), 폴리아세탈(POM), 폴리페닐렌옥사이드(PPO), 폴리설폰(PSF), 폴리페닐렌설파이드(PPS), 폴리염화비닐리덴(PVDC), 폴리초산비닐(PVAC), 폴리비닐알콜(PVAL), 폴리비닐아세탈, 폴리스티렌(PS), AS수지, ABS수지, 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA), 불소수지, 페놀수지(PF), 멜라민수지(MF), 우레아수지(UF), 불포화폴리에스테르(UP), 에폭시수지(EP), 디알릴프탈레이트수지(DAP), 폴리우레탄(PUR), 폴리아미드(PA), 실리콘수지(SI) 또는 이것들의 혼합물 및 화합물 중 하나로 구성되는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리 장치
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16
제12항에 있어서,상기 기판이 종이를 포함하는 재질로 구성되는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리 장치
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제12항에 있어서,상기 무기물 강유전 물질이 산화물 강유전체, 불화물 강유전체, 강유전체 반도체나 이들 무기물의 혼합물 중 적어도 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리 장치
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18
제12항에 있어서,상기 유기물이 고분자 강유전체인 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리 장치
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제18항에 있어서,상기 고분자 강유전체가 폴리비닐리덴 플로라이드(PVDF), 이 PVDF를 포함하는 중합체, 공중합체, 또는 삼원공중합체, 홀수의 나일론, 시아노중합체 및 이들의 중합체나 공중합체 중 적어도 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리 장치
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제18항에 있어서,상기 고분자 강유전체가 PVDF-TrFE인 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리 장치
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제12항에 있어서,상기 강유전체층은 무기물 강유전 물질의 용액과 유기물 용액의 혼합 용액을 가열 소성시켜 생성된 것임을 특징으로 하는 강유전체 메모리 장치
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기판과, 게이트전극, 드레인 및 소오스전극, 채널형성층 및 강유전체층을 포함하여 구성되고,상기 강유전체층은 무기물 강유전 물질과 유기물의 혼합물로 구성되며,상기 게이트전극과 강유전체층 사이에 채널형성층이 형성되는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터
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23
기판과, 게이트전극, 드레인 및 소오스전극, 채널형성층 및 강유전체층을 포함하여 구성되고,상기 강유전체층은 무기물 강유전 물질과 유기물의 혼합물로 구성되며,상기 게이트전극과 채널형성층 사이에 강유전체층이 형성되는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터
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24
기판과, 게이트전극, 드레인 및 소오스전극, 채널형성층 및 강유전체층을 포함하여 구성되고,상기 강유전체층은 무기물 강유전 물질의 고용체와 유기물의 혼합물로 구성되며,상기 게이트전극과 채널형성층 사이에 강유전체층이 형성되는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터
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25
기판과, 게이트전극, 드레인 및 소오스전극, 채널형성층 및 강유전체층을 포함하여 구성되고,상기 강유전체층은 무기물 강유전 물질의 고용체와 유기물의 혼합물로 구성되며,상기 게이트전극과 강유전체층 사이에 채널형성층이 형성되는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터
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기판과, 게이트전극, 드레인 및 소오스전극, 채널형성층 및 강유전체층을 구비하는 반도체장치의 제조방법에 있어서,게이트전극을 형성하는 단계와,채널형성층을 형성하는 단계,무기물 강유전 물질과 유기물의 혼합물을 이용하여 강유전체층을 형성하는 단계 및,드레인 및 소오스전극을 형성하는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리 장치의 제조방법
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제26항에 있어서,상기 채널형성층을 게이트전극과 강유전체층 사이에 형성하는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리 장치의 제조방법
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28
제26항에 있어서,상기 강유전체층을 게이트전극과 채널형성층 사이에 형성하는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리 장치의 제조방법
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제26항에 있어서,상기 유기물이 강유전 특성을 갖는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리 장치의 제조방법
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제26항에 있어서,상기 강유전체층이 무기물 강유전 물질의 용액과 유기물 용액의 혼합 용액을 기판상에 도포하여 강유전체막을 생성하고, 이 강유전체막을 가열 소성한 후 에칭하여 형성하는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리 장치의 제조방법
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제30항에 있어서,상기 혼합 용액이 PZT 용액과 PVDF-TrFE 용액의 혼합 용액인 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리 장치의 제조방법
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제31항에 있어서,상기 PZT용액이 PZO용액과 PTO용액을 혼합하여 생성한 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리 장치의 제조방법
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제31항에 있어서,상기 PVDF-TrFE 용액이 PVDF-TrFE 파우더를 THF(C4H5O), MEK(C4H8O), 아세톤(C3H6O), DMF(C3H7NO), DMSO(C2H6OS) 중 적어도 하나에 용해시켜 생성하는 것을 특징으로 강유전체 메모리 장치의 제조방법
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제31항에 있어서,상기 강유전체막이 스핀코팅법, 잉크젯법, 스크린 인쇄법 중 하나의 방법을 통해 형성되는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리 장치의 제조방법
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제30항에 있어서,상기 강유전체층의 에칭이 BOE를 통해 실행되는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리 장치의 제조방법
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제30항에 있어서,상기 강유전체층의 에칭이 BOE와 금 에천트를 이용하는 2단계 에칭을 통해 실행되는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리 장치의 제조방법
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제30항에 있어서,상기 강유전체층의 에칭이 RIE법을 통해 실행되는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리 장치의 제조방법
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제30항에 있어서,상기 소성 온도가 200도 이하인 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리 장치의 제조방법
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기판과, 게이트전극, 드레인 및 소오스전극, 채널형성층 및 강유전체층을 구비하는 반도체장치의 제조방법에 있어서,게이트전극을 형성하는 단계와,채널형성층을 형성하는 단계,무기물 강유전 물질의 고용체와 유기물의 혼합물을 이용하여 강유전체층을 형성하는 단계 및,드레인 및 소오스전극을 형성하는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리 장치의 제조방법
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