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경사벽을 갖는 비아홀 제조방법

  • 기술번호 : KST2015194599
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 제조공정 중 비아홀을 형성하는데 있어서 실리콘 웨이퍼 상의 포토 레지스트를 잔류시킨 채 반응성 이온에칭(RIE)을 수행하고, 포토 레지스트를 제거한 후 추가의 반응성 이온에칭을 통해 언더컷을 제거하는 경사벽을 갖는 비아홀 제조방법에 관한 것으로, (A) 실리콘 웨이퍼를 준비하는 단계; (B) 상기 실리콘 웨이퍼 상에 포토 레지스트(120)를 도포하고, 포토 레지스트의 일부 영역만을 노광 및 현상하는 단계; (C) 심도 반응성 이온에칭(DRIE)을 이용하여 상기 포토 레지스트가 도포되지 않은 실리콘 웨이퍼를 에칭하여 비아홀을 형성하는 단계; (D) 상기 포토 레지스트를 잔류시킨 채 반응성 이온에칭(RIE)을 수행하여 테이퍼 형태의 경사벽을 갖는 비아홀을 형성하는 단계; (E) 상기 (D) 단계에서 잔류해 있던 포토 레지스트를 제거하는 단계; (F) 추가의 반응성 이온에칭(RIE)을 수행하여 언더컷이 존재하는 비아홀의 상단 개구부를 제거하는 단계를 포함한다.
Int. CL H01L 21/768 (2006.01.01) G03F 7/16 (2006.01.01)
CPC H01L 21/76804(2013.01) H01L 21/76804(2013.01)
출원번호/일자 1020080102470 (2008.10.20)
출원인 서울시립대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1027390-0000 (2011.03.30)
공개번호/일자 10-2010-0043436 (2010.04.29) 문서열기
공고번호/일자 (20110411) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.10.20)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울시립대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 동대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 전지헌 대한민국 서울특별시 강서구
2 김인락 대한민국 경상북도 구미시
3 이근우 대한민국 경기도 수원시 영통구
4 정재필 대한민국 서울특별시 동대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김윤배 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로 ***, ****호(서초동, 강남빌딩)(특허법인인터브레인)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울시립대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 동대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.10.20 수리 (Accepted) 1-1-2008-0726170-50
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2009.11.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2009.12.04 수리 (Accepted) 9-1-2009-0065759-58
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.07.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0303134-67
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.09.14 수리 (Accepted) 1-1-2010-0596407-73
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.09.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0596414-93
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.01.05 수리 (Accepted) 4-1-2011-5002044-04
8 등록결정서
Decision to grant		 2011.01.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0057441-54
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.03 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000287-10
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.01.17 수리 (Accepted) 4-1-2017-5009116-18
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.09.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5191631-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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반도체 장치의 제조공정 중 테이퍼진 형태의 경사벽을 갖는 비아홀 제조방법으로서, (A) 실리콘(Si) 웨이퍼(110)를 준비하는 단계(S210); (B) 상기 실리콘 웨이퍼(110) 상에 포토 레지스트(120)를 도포하고, 포토 레지스트의 일부 영역만을 노광 및 현상하는 단계(S220); (C) 심도 반응성 이온에칭(DRIE)을 이용하여 상기 포토 레지스트(120)가 도포되지 않은 실리콘 웨이퍼(110)를 SF6 가스를 통해 에칭하여 비아홀(130)을 형성하는 단계(S230); (D) 상기 포토 레지스트(120)를 잔류시킨 채 반응성 이온에칭(RIE)을 수행하여 테이퍼 형태의 경사벽을 갖는 비아홀(130)을 형성하는 단계(S240); (E) 상기 (D) 단계에서 잔류해 있던 포토 레지스트(120)를 제거하는 단계(S250); (F) 추가의 반응성 이온에칭(RIE)을 수행하여 언더컷(135)이 존재하는 비아홀(130)의 상단 개구부를 제거하는 단계(S260)를 포함하되, 상기 추가의 반응성 이온에칭(RIE)을 수행하여 언더컷(135)이 존재하는 비아홀(130)의 상단 개구부를 제거한 후의 비아홀(130)의 깊이는 60
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