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기판 상에 다수의 메모리 셀을 적층하여 형성하고,상기 메모리 셀은 게이트전극, 드레인 및 소스전극, 채널형성층 및 강유전체층을 포함하여 구성되며,상기 강유전체층은 무기물 강유전 물질과 유기물의 혼합물로 구성되고,상기 게이트전극과 강유전체층 사이에 채널형성층이 형성되는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리장치
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제1항에 있어서,상기 메모리 셀 사이에 절연층이 형성되고, 상기 절연층이 유기물인 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리장치
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제1항에 있어서,상기 적층된 메모리 셀은 강유전층이 상호 인접하게 배치되는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리장치
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제1항에 있어서,상기 적층된 메모리 셀은 게이트 전극이 상호 인접하게 배치되는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리장치
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5
기판 상에 다수의 메모리 셀을 적층하여 형성하고,상기 메모리 셀은 게이트전극, 드레인 및 소스전극, 채널형성층 및 강유전체층을 포함하여 구성되며,상기 강유전체층은 무기물 강유전 물질의 고용체와 유기물의 혼합물로 구성되고,상기 게이트전극과 강유전체층 사이에 채널형성층이 형성되는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리장치
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6
제5항에 있어서,상기 메모리 셀 사이에 절연층이 형성되고, 상기 절연층이 유기물인 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리장치
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7
제5항에 있어서,상기 적층된 메모리 셀은 강유전층이 상호 인접하게 배치되는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리장치
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8
제5항에 있어서,상기 적층된 메모리 셀은 게이트 전극이 상호 인접하게 배치되는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리장치
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9
기판 상에 다수의 메모리 셀을 적층하여 형성하고,상기 메모리 셀은 게이트전극, 드레인 및 소스전극, 채널형성층 및 강유전체층을 포함하여 구성되며,상기 강유전체층은 무기물 강유전 물질과 유기물의 혼합물로 구성되고,상기 게이트전극과 채널형성층 사이에 강유전체층이 형성되는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리장치
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10
제9항에 있어서,상기 적층된 메모리 셀은 강유전층이 상호 인접하게 배치되는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리장치
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11
제9항에 있어서,상기 적층된 메모리 셀은 게이트 전극이 상호 인접하게 배치되는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리장치
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기판 상에 다수의 메모리 셀을 적층하여 형성하고,상기 메모리 셀은 게이트전극, 드레인 및 소스전극, 채널형성층 및 강유전체층을 포함하여 구성되며,상기 강유전체층은 무기물 강유전 물질의 고용체와 유기물의 혼합물로 구성되며,상기 게이트전극과 채널형성층 사이에 강유전체층이 형성되는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리 장치
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13
제12항에 있어서,상기 메모리 셀 사이에 절연층이 형성되고, 상기 절연층이 유기물인 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리장치
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14
제12항에 있어서,상기 적층된 메모리 셀은 강유전층이 상호 인접하게 배치되는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리장치
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15
제12항에 있어서,상기 적층된 메모리 셀은 게이트 전극이 상호 인접하게 배치되는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리장치
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16
기판 상에 제1 메모리 셀을 형성하는 단계와,제1 메모리 셀상에 절연층을 형성하는 단계 및,상기 절연층상에 제2 메모리 셀을 형성하는 단계를 포함하여 구성되고,상기 제1 및 제2 메모리 셀을 형성하는 단계는 게이트전극을 형성하는 단계와, 채널형성층을 형성하는 단계, 무기물 강유전 물질과 유기물의 혼합물을 이용하여 강유전체층을 형성하는 단계 및, 드레인 및 소스전극을 형성하는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리장치의 제조방법
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제16항에 있어서,상기 제1 메모리 셀과 제2 메모리 셀의 강유전체층을 인접하게 형성하는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리장치의 제조방법
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18
제16항에 있어서,상기 제1 메모리 셀과 제2 메모리 셀의 게이트 전극을 인접하게 형성하는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리장치의 제조방법
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제16항에 있어서,상기 채널형성층을 게이트전극과 강유전체층 사이에 형성하는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리 장치의 제조방법
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제16항에 있어서,상기 강유전체층을 게이트전극과 채널형성층 사이에 형성하는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리 장치의 제조방법
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제16항에 있어서,상기 강유전체층이 무기물 강유전 물질의 용액과 유기물 용액의 혼합 용액을 기판상에 도포하여 강유전체막을 생성하고, 이 강유전체막을 가열 소성한 후 에칭하여 형성하는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리 장치의 제조방법
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기판 상에 제1 메모리 셀을 형성하는 단계와,제1 메모리 셀상에 절연층을 형성하는 단계 및,상기 절연층상에 제2 메모리 셀을 형성하는 단계를 포함하여 구성되고,상기 제1 및 제2 메모리 셀을 형성하는 단계는 게이트전극을 형성하는 단계와, 채널형성층을 형성하는 단계, 무기물 강유전 물질의 고용체와 유기물의 혼합물을 이용하여 강유전체층을 형성하는 단계 및, 드레인 및 소스전극을 형성하는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리장치의 제조방법
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제22항에 있어서,상기 제1 메모리 셀과 제2 메모리 셀의 강유전체층을 인접하게 형성하는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리장치의 제조방법
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제22항에 있어서,상기 제1 메모리 셀과 제2 메모리 셀의 게이트 전극을 인접하게 형성하는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리장치의 제조방법
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제22항에 있어서,상기 채널형성층을 게이트전극과 강유전체층 사이에 형성하는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리 장치의 제조방법
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제22항에 있어서,상기 강유전체층을 게이트전극과 채널형성층 사이에 형성하는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리 장치의 제조방법
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기판 상에 다수의 메모리 셀을 적층하여 형성하고,상기 메모리 셀은 게이트전극, 드레인 및 소스전극, 채널형성층 및 강유전체층을 포함하여 구성되며,상기 적층된 메모리 셀의 강유전체층은 무기물 강유전 물질과 유기물의 혼합물로 구성됨과 더불어, 상호 다른 강유전 물질로 구성되고,상기 게이트전극과 강유전체층 사이에 채널형성층이 형성되는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리장치
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기판 상에 다수의 메모리 셀을 적층하여 형성하고,상기 메모리 셀은 게이트전극, 드레인 및 소스전극, 채널형성층 및 강유전체층을 포함하여 구성되며,상기 적층된 메모리 셀의 강유전체층은 무기물 강유전 물질과 유기물의 혼합된 혼합물로 구성됨과 더불어, 상호 다른 강유전 물질로 구성되고,상기 게이트전극과 채널형성층 사이에 강유전체층이 형성되는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리장치
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