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엠에프엠에스형 전계효과 트랜지스터 및 강유전체 메모리 장치와 이들의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015194603
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 MFMS(Metal-Ferroelectric-Metal-Substrate) 구조를 갖는 전계효과 트랜지스터와 강유전체 메모리 장치 및 이들의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 MFMS형 전계효과 트랜지스터 및 강유전체 메모리 장치는 소오스 및 드레인 영역과 그 사이에 채널영역이 형성되는 기판과, 상기 기판의 채널영역 상측에 형성되는 버퍼층, 상기 버퍼층 상에 형성되는 강유전체층 및, 상기 강유전체층상에 형성되는 게이트전극을 구비하여 구성되고, 상기 버퍼층이 도전성 재질로 구성되는 것을 특징으로 한다.강유전체, 메모리, MFMS
Int. CL H01L 27/105 (2006.01.01) G11C 11/15 (2006.01.01) H01L 27/115 (2017.01.01)
CPC H01L 21/28291(2013.01) H01L 21/28291(2013.01) H01L 21/28291(2013.01) H01L 21/28291(2013.01) H01L 21/28291(2013.01) H01L 21/28291(2013.01) H01L 21/28291(2013.01)
출원번호/일자 1020080105121 (2008.10.27)
출원인 서울시립대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1559995-0000 (2015.10.06)
공개번호/일자 10-2009-0042747 (2009.04.30) 문서열기
공고번호/일자 (20151015) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020070108508   |   2007.10.26
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.10.28)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울시립대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 동대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박병은 대한민국 서울특별시 양천구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 아이퍼스 대한민국 서울특별시 강남구 삼성로**길*, *층(대치동 삼성빌딩)
2 김유 대한민국 서울특별시 서초구 강남대로 ***, **층, **층(서초동, 태우빌딩)(특허법인세림)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울시립대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 동대문구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.10.27 수리 (Accepted) 1-1-2008-0741845-67
2 [복대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Sub-agent] Report on Agent (Representative)		 2009.01.30 수리 (Accepted) 1-1-2009-5003870-62
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.01.05 수리 (Accepted) 4-1-2011-5002044-04
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2013.10.28 수리 (Accepted) 1-1-2013-0974809-94
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.03 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000287-10
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.09.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0664124-71
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2014.11.27 수리 (Accepted) 1-1-2014-1149813-17
8 보정요구서
Request for Amendment		 2014.12.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2014-0217860-30
9 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)		 2014.12.29 수리 (Accepted) 1-1-2014-1180199-42
10 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2014.12.29 수리 (Accepted) 1-1-2014-1274560-59
11 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2015.04.10 수리 (Accepted) 1-1-2015-0353147-03
12 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2015.06.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0384377-59
13 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)		 2015.07.06 수리 (Accepted) 7-1-2015-0030529-94
14 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2015.08.10 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2015-0036238-42
15 등록결정서
Decision to grant		 2015.09.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0657658-10
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.01.17 수리 (Accepted) 4-1-2017-5009116-18
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.09.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5191631-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
소오스 및 드레인 영역과 그 사이에 채널영역이 형성되는 기판과,상기 기판의 채널영역 상측에 형성되는 버퍼층,상기 버퍼층 상에 형성되는 강유전체층 및,상기 강유전체층상에 형성되는 게이트전극을 구비하여 구성되고,상기 버퍼층이 도전성 재질로 구성되며,상기 버퍼층이 다층 구조로 구성되고,상기 소오스 및 드레인 영역과 상기 버퍼층을 차폐시키기 위한 절연층을 추가로 포함하여 구성되며,상기 절연층이 강유전물질을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 MFMS형 강유전체 메모리 장치
2 2
제1항에 있어서,상기 도전성 재질이 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 MFMS형 강유전체 메모리 장치
3 3
제1항에 있어서,상기 도전성 재질이 전도성 금속 산화물과 전도성 금속 산화물의 합금 또는 화합물 중 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 MFMS형 강유전체 메모리 장치
4 4
제1항에 있어서,상기 도전성 재질이 전도성 유기물을 포함하는 것을 특징으로 하는 MFMS형 강유전체 메모리 장치
5 5
제1항에 있어서,상기 도전성 재질이 실리사이드를 포함하는 것을 특징으로 하는 MFMS형 강유전체 메모리 장치
6 6
삭제
7 7
제1항에 있어서,상기 강유전체층이 산화물 강유전체, 고분자 강유전체, 불화물 강유전체, 강유전체 반도체 또는 이들 강유전체의 고형체 중 적어도 하나를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 MFMS형 강유전체 메모리 장치
8 8
제1항에 있어서,상기 버퍼층이 TiN이고, 상기 강유전체층이 BLT를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 MFMS형 강유전체 메모리 장치
9 9
삭제
10 10
삭제
11 11
소오스 및 드레인 영역과 그 사이에 채널영역이 형성되는 기판과,상기 기판의 채널영역 상측에 형성되는 버퍼층,상기 버퍼층 상에 형성되는 강유전체층 및,상기 강유전체층상에 형성되는 게이트전극을 구비하여 구성되고,상기 버퍼층이 도전성 재질로 구성되며,상기 버퍼층이 다층 구조로 구성되고,상기 소오스 및 드레인 영역과 상기 버퍼층을 차폐시키기 위한 절연층을 추가로 포함하여 구성되며,상기 절연층이 강유전물질을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 MFMS형 전계효과 트랜지스터
12 12
삭제
13 13
삭제
14 14
삭제
15 15
제11항에 있어서,상기 버퍼층이 TiN이고, 상기 강유전체층이 BLT를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 MFMS형 전계효과 트랜지스터
16 16
강유전체 메모리 장치를 제조하는 방법에 있어서,기판에 소오스, 드레인 및 채널 영역을 형성하는 단계와,상기 기판상의 채널영역에 대응하는 부분에 도전성 재질로 구성되는 버퍼층을 형성하는 단계,상기 버퍼층 상측에 강유전체층을 형성하는 단계 및,상기 강유전체층 상측에 게이트전극을 형성하는 단계를 포함하여 구성되고,상기 버퍼층은 다층 구조로 구성되며,상기 소오스 및 드레인 영역과 상기 버퍼층을 차폐시키기 위한 절연층을 형성하는 단계를 추가로 포함하여 구성되고,상기 강유전체층 형성단계는 강유전체층이 버퍼층을 전체적으로 피복하도록 강유전체층을 형성하는 것을 특징으로 하는 MFMS형 강유전체 메모리 장치의 제조방법
17 17
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18 18
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19 19
전계효과 트랜지스터를 제조하는 방법에 있어서,기판에 소오스, 드레인 및 채널 영역을 형성하는 단계와,상기 기판상의 채널영역에 대응하는 부분에 도전성 재질로 구성되는 버퍼층을 형성하는 단계,상기 버퍼층 상측에 강유전체층을 형성하는 단계 및,상기 강유전체층 상측에 게이트전극을 형성하는 단계를 포함하되,상기 버퍼층은 다층 구조로 구성되고,상기 소오스 및 드레인 영역과 상기 버퍼층을 차폐시키기 위한 절연층을 형성하는 단계를 추가로 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 MFMS형 전계효과 트랜지스터의 제조방법
20 20
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순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN101919055 CN 중국 FAMILY
2 JP05440803 JP 일본 FAMILY
3 JP23501461 JP 일본 FAMILY
4 US20100252867 US 미국 FAMILY
5 WO2009054707 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
6 WO2009054707 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN101919055 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 JP2011501461 JP 일본 DOCDBFAMILY
3 JP2011501461 JP 일본 DOCDBFAMILY
4 JP5440803 JP 일본 DOCDBFAMILY
5 US2010252867 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.