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금속 산화물층의 비표면적 증가 방법

  • 기술번호 : KST2015194611
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 금속 산화물층의 비표면적 증가 방법이 개시된다. 본 발명에 따른 금속 산화물층의 비표면적 증가 방법은 (a) 기판(10) 상에 금속 산화물층(20)을 형성하는 단계; 및 (b) 금속 산화물층(20)을 열처리하는 단계를 포함하며, 상기 열처리 단계를 통하여 금속 산화물층(20)이 응집됨으로써 금속 산화물층(20)의 비표면적을 증가시키는 것을 특징으로 한다. 금속 산화물, 산화 티타늄, 응집, 비표면적, 원자층 증착법(ALD), 급속 열처리법(RTA)
Int. CL H01L 21/324 (2017.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01)
CPC H01L 21/324(2013.01) H01L 21/324(2013.01) H01L 21/324(2013.01)
출원번호/일자 1020090017221 (2009.02.27)
출원인 서울시립대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2010-0098181 (2010.09.06) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.02.27)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울시립대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 동대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 송오성 대한민국 서울특별시 강남구
2 박종성 대한민국 인천광역시 연수구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김한 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.02.27 수리 (Accepted) 1-1-2009-0125059-49
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2010.07.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2010.08.17 수리 (Accepted) 9-1-2010-0053013-16
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.11.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0511578-93
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.01.05 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0006926-65
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.01.05 수리 (Accepted) 4-1-2011-5002044-04
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.01.05 수리 (Accepted) 1-1-2011-0006904-61
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.07.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0408872-52
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.09.20 수리 (Accepted) 1-1-2011-0731851-45
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.09.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0731896-99
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2011.11.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0670241-97
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.03 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000287-10
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.01.17 수리 (Accepted) 4-1-2017-5009116-18
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.09.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5191631-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
금속 산화물층의 비표면적을 증가시키는 방법으로서, (a) 기판 상에 금속 산화물층을 형성하는 단계; 및 (b) 상기 금속 산화물층을 열처리하는 단계; 를 포함하며, 상기 열처리 단계를 통하여 상기 금속 산화물층이 응집됨으로써 상기 금속 산화물층의 비표면적을 증가시키는 것을 특징으로 하는 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 기판은 실리콘, 유리 및 플라스틱 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 금속 산화물층은 TiO2, ZnO, RuO2, Al2O3 중 어느 하나의 층인 것을 특징으로 하는 방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 (a)에서 상기 금속 산화물층을 형성하는 방법은 원자층 증착법(atomic layer deposition; ALD)을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 (b)에서 상기 금속 산화물층을 열처리하는 방법은 급속 열처리법(rapid thermal annealing; RTA)을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 (b)에서 상기 금속 산화물층을 열처리하는 온도는 400 내지 700℃의 범위인 것을 특징으로 하는 방법
7 7
제1항에 있어서, 상기 열처리 단계를 통하여 상기 금속 산화물층은 결정화되는 것을 특징으로 하는 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 서울대학교 산학협력단 21세기프론티어연구개발사업 나노소재기술개발사업단 폴리머 나노템플레이트를 이용한 정렬된 나노전극 기술