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(a) 기재 상에 금속 실리사이드층을 형성하는 단계; 및
(b) 상기 금속 실리사이드층 상에 질화갈륨층을 형성하는 단계;
를 포함하며,
상기 (b) 단계 중에 상기 금속 실리사이드층의 금속 실리사이드가 상 변화하여 상기 금속 실리사이드층의 부피가 증가함에 따라 상기 금속 실리 실리사이드층과 상기 질화갈륨층이 분리되어 상기 기재가 제거되는 것을 특징으로 하는 금속 실리사이드를 이용한 질화갈륨 기판의 제조방법
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제2항에 있어서,
상기 기재는 실리콘 단결정 웨이퍼인 것을 특징으로 하는 금속 실리사이드를 이용한 질화갈륨 기판의 제조방법
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제2항에 있어서,
상기 금속 실리사이드층은 WSix, TiSix, CoSix, NiSix, PdSix, ErSix 중에서 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 실리사이드를 이용한 질화갈륨 기판의 제조방법
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제2항에 있어서,
상기 (b) 단계는 상기 금속 실리사이드층 상에 버퍼층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 실리사이드를 이용한 질화갈륨 기판의 제조방법
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제5항에 있어서,
상기 버퍼층은 상기 금속 실리사이드층 상에 형성되는 제1 질화갈륨 버퍼층을 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 실리사이드를 이용한 질화갈륨 기판의 제조방법
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제5항에 있어서,
상기 버퍼층은 상기 금속 실리사이드층 상에 형성되는 제1 질화갈륨 버퍼층, 제1 질화갈륨 버퍼층 상에 형성되는 제2 질화갈륨 버퍼층을 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 실리사이드를 이용한 질화갈륨 기판의 제조방법
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제6항에 있어서,
상기 제1 질화갈륨 버퍼층은 상기 질화갈륨층보다 낮은 온도에서 형성되는 것을 특징으로 하는 금속 실리사이드를 이용한 질화갈륨 기판의 제조방법
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제7항에 있어서,
상기 제1 질화갈륨 버퍼층은 상기 제2 질화갈륨 버퍼층보다 낮은 온도에서 형성되고, 상기 제2 질화갈륨 버퍼층은 상기 질화갈륨층보다 낮은 온도에서 형성되는 것을 특징으로 하는 금속 실리사이드를 이용한 질화갈륨 기판의 제조방법
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제2항에 있어서,
상기 질화갈륨층은 MBE(molecular beam epitaxy)법 또는 HVPE(hydride vapor phase epitaxy)법으로 형성되는 것을 특징으로 하는 금속 실리사이드를 이용한 질화갈륨 기판의 제조방법
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제6항 또는 제7항에 있어서,
상기 질화갈륨 버퍼층은 MBE(molecular beam epitaxy)법 또는 HVPE(hydride vapor phase epitaxy)법으로 형성되는 것을 특징으로 하는 금속 실리사이드를 이용한 질화갈륨 기판의 제조방법
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