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비아 상에 충전물을 무결점으로 충전하는 방법으로서,
(A) 실리콘(Si) 웨이퍼(110)를 준비하는 단계;
(B) 상기 실리콘 웨이퍼(110) 상에 포토 레지스트(120)를 도포하고, 상기 포토 레지스트의 일부 영역만을 노광 및 현상하는 단계;
(C) 심도 반응성 이온에칭(DRIE)을 이용하여 상기 포토 레지스트(120)가 도포되어 있지 않은 실리콘 웨이퍼(110)를 에칭하여 비아(130)를 형성하는 단계;
(D) 상기 실리콘 웨이퍼(110) 상에 잔재하는 포토 레지스트(120)를 제거하는 단계;
(E) 상기 실리콘 웨이퍼(110) 및 비아(130)의 상면에 기능성 박막(140)을 증착하는 단계; 및
(F) 상기 기능성 박막(140) 상에 Cu 충전물(150)을 충전하는 단계를 포함하되,
상기 Cu 충전물은 황산(H2SO4) 100(㎖/L) 중량부를 기준으로, 여기에 황산구리(CuSO4·5H2O) 64~65(㎖/L) 중량부와, 염산(HCI) 0
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제 1항에 있어서,
상기 Cu 충전물의 충전에는, 전류 차단시간이 적용된 역 펄스 도금 공정이 사용되는 것을 특징으로 하는 비아 상에 충전물의 무결점 충전방법
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제 1항에 있어서,
상기 Cu 충전물의 충전은 -14mA를 20초 동안 인가하고, 40mA를 1초 동안 인가한 후, 전류를 오프시킨 상태에서 20초 동안의 파형을 1사이클로 하여 1시간 동안 도금하는 것을 특징으로 하는 비아 상에 충전물의 무결점 충전방법
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비아 상에 충전물을 무결점으로 충전하는 방법으로서,
(A2) 실리콘(Si) 웨이퍼(110)를 준비하는 단계;
(B2) 상기 실리콘 웨이퍼(110) 상에 포토 레지스트(120)를 도포하고, 상기 포토 레지스트의 일부 영역만을 노광 및 현상하는 단계;
(C2) 심도 반응성 이온에칭(DRIE)을 이용하여 상기 포토 레지스트(120)가 도포되어 있지 않은 실리콘 웨이퍼(110)를 에칭하여 비아(130)를 형성하는 단계;
(D2) 상기 실리콘 웨이퍼(110) 상에 잔재하는 포토 레지스트(120)를 제거하는 단계;
(E2) 상기 실리콘 웨이퍼(110) 및 비아(130)의 상면에 기능성 박막(140)을 증착하는 단계; 및
(F2) 상기 기능성 박막(140) 상에 Cu-Ni 합금 충전물(150)을 충전하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 비아 상에 충전물의 무결점 충전방법
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제 4항에 있어서,
상기 Cu-Ni 충전물은 황산(H2SO4) 100(㎖/L) 중량부를 기준으로, 여기에 황산구리(CuSO4·5H2O) 68~69(㎖/L) 중량부와, 황산니켈(NiSO4·6H2O) 17~18(㎖/L) 중량부와, 염산(HCI) 0
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비아 상에 충전물을 무결점으로 충전하는 방법으로서,
(A3) 실리콘(Si) 웨이퍼(110)를 준비하는 단계;
(B3) 상기 실리콘 웨이퍼(110) 상에 포토 레지스트(120)를 도포하고, 상기 포토 레지스트의 일부 영역만을 노광 및 현상하는 단계;
(C3) 심도 반응성 이온에칭(DRIE)을 이용하여 상기 포토 레지스트(120)가 도포되어 있지 않은 실리콘 웨이퍼(110)를 에칭하여 비아(130)를 형성하는 단계;
(D3) 상기 실리콘 웨이퍼(110) 상에 잔재하는 포토 레지스트(120)를 제거하는 단계;
(E3) 상기 실리콘 웨이퍼(110) 및 비아(130)의 상면에 기능성 박막(140)을 증착하는 단계; 및
(F3) 상기 기능성 박막(140) 상에 Cu-Bi 합금 충전물(150)을 충전하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 비아 상에 충전물의 무결점 충전방법
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제 6항에 있어서,
상기 Cu-Bi 충전물은 황산(H2SO4) 100(㎖/L) 중량부를 기준으로, 여기에 황산구리(CuSO4·5H2O) 68~69(㎖/L) 중량부와, 비스무스 질산(NiSO4·6H2O) 17~18(㎖/L) 중량부와, 염산(HCI) 0
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