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실리콘 질화물계 발광 소자 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015194628
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 실리콘 질화물계 발광 소자(LED ; Light Emitting Diode)를 제조하는 방법 및 이러한 방법에 따라 제조된 실리콘 질화물계 발광 소자에 관한 것으로, 미세구조에 의한 양자 구속 효과(quantum confinement effect)를 이용하여, 실리콘질화물 내 형성된 실리콘 나노 구조로부터 발광을 얻을 수 있는 발광 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에서는 실리콘 질화물계 발광 소자 및 그 제조 방법에 있어서, 반응가스의 유량비와 증착 압력은 고정시켜 안정된 공정 상태를 확보하면서, RF 플라즈마 전력의 크기를 변화시킴에 따라 실리콘 나노 구조의 크기를 제어하여 가시광선 영역을 포함한 넓은 범위의 발광 파장 조절이 가능한 실리콘 질화물계 발광 소자의 제조 방법 및 이러한 방법에 따라 제조된 실리콘 질화물계 발광소자를 제공한다. 이를 위하여 본 발명에서는 실리콘 질화물계 발광 소자의 제조 방법에 있어서, 일정한 유량비의 실리콘원 가스 및 질소원 가스를 이용하여 일정한 증착 압력 하에서 실리콘 질화물 기저체를 성장시키는 단계와; 인가되는 플라즈마 전력을 변화시켜 상기 실리콘 질화물 기저체 내에 형성되는 실리콘 나노 구조의 크기를 제어하는 단계를 특징으로 하는 실리콘 질화물계 발광 소자의 제조 방법 및 이러한 방법에 따라 제조된 실리콘 질화물계 발광 소자를 제공한다. 발광 소자, 실리콘계 발광소자, 실리콘 질화물, 실리콘 질화물계 발광소자, RF 플라즈마 전력, PECVD
Int. CL H01L 33/00 (2010.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01) H01L 33/32 (2010.01.01)
CPC H01L 33/007(2013.01)H01L 33/007(2013.01)H01L 33/007(2013.01)
출원번호/일자 1020090073799 (2009.08.11)
출원인 서울시립대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1035866-0000 (2011.05.13)
공개번호/일자 10-2011-0016207 (2011.02.17) 문서열기
공고번호/일자 (20110520) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.08.11)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울시립대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 동대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 장승훈 대한민국 서울특별시 동대문구
2 고창훈 대한민국 인천광역시 부평구
3 정기영 대한민국 서울특별시 동대문구
4 김은겸 대한민국 경상남도 통영시
5 한문섭 대한민국 서울특별시 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 한라특허법인(유한) 대한민국 서울시 서초구 강남대로 ***(서초동, 남강빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울시립대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 동대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.08.11 수리 (Accepted) 1-1-2009-0489549-46
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2010.12.22 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.01.05 수리 (Accepted) 4-1-2011-5002044-04
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.01.19 수리 (Accepted) 9-1-2011-0005228-90
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.02.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0087530-67
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.04.18 수리 (Accepted) 1-1-2011-0284141-84
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.04.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0284140-38
8 등록결정서
Decision to grant
2011.04.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0233876-85
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.03 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000287-10
10 대리인선임신고서
Report on Appointment of Agent
2015.12.23 수리 (Accepted) 1-1-2015-5033520-42
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.01.17 수리 (Accepted) 4-1-2017-5009116-18
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.09.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5191631-69
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번호 청구항
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실리콘 질화물계 발광 소자의 제조 방법에 있어서, 실란 가스와 질소 가스를 1:30의 유량비로 유지하면서, 일정한 증착 압력 하에서 실리콘 질화물 기저체를 성장시키는 단계와; 인가되는 플라즈마 전력을 변화시켜 상기 실리콘 질화물 기저체 내에 형성되는 실리콘 나노 구조의 크기를 제어하되, 인가되는 플라즈마 전력 범위에 따라 적색, 녹색 및 청색 실리콘 질화물계 발광 소자를 각각 제조하는 단계; 를 포함하며, 상기 적색, 녹색 및 청색 실리콘 질화물계 발광 소자를 제조하는 단계에서는 40W 내지 60 W의 플라즈마 전력 범위에서는 적색 실리콘 질화물계 발광 소자를 얻고, 80W 내지 100W의 플라즈마 전력 범위에서는 녹색 실리콘 질화물계 발광 소자를 얻으며, 120W의 플라즈마 전력 범위에서는 청색 실리콘 질화물계 발광 소자를 얻는 것을 특징으로 하는 실리콘 질화물계 발광 소자의 제조 방법
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패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.