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연속적 파워조절을 통한 백색광을 갖는 실리콘 발광소자 제조방법

  • 기술번호 : KST2015194645
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 연속적 파워조절을 통해 백색광을 갖도록 하는 실리콘 발광소자 제조방법에 관한 것으로, 실리콘원 가스와 질소원 가스를 박막 성장 시스템에 함께 공급하여 실리콘 기판 위에 실리콘 질화막을 성장시키되, 상기 실리콘 질화막 성장시 단지 RF 플라즈마 파워만을 변화시킴으로써 상기 실리콘 질화막 내에 가시광 파장대에 대응되는 실리콘 나노구조를 연속적으로 형성시키는 것을 특징으로 하는 실리콘 발광소자 제조방법을 제공한다. 이와 같이 본 발명은 다른 증착 조건을 모두 제외하고 RF 플라즈마 파워만을 연속적으로 조절하여 실리콘 질화막 내에 다양하고 연속적인 실리콘 나노구조를 형성시킴으로서 원하는 파장의 발광을 실현할 수 있는 실리콘계 발광소자를 제공하는 효과가 있다.
Int. CL H01L 33/22 (2010.01.01) H01L 33/34 (2010.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01)
CPC H01L 33/22(2013.01) H01L 33/22(2013.01) H01L 33/22(2013.01) H01L 33/22(2013.01)
출원번호/일자 1020100005010 (2010.01.20)
출원인 서울시립대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1057592-0000 (2011.08.11)
공개번호/일자 10-2011-0085304 (2011.07.27) 문서열기
공고번호/일자 (20110819) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.01.20)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울시립대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 동대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 장승훈 대한민국 서울특별시 동대문구
2 고창훈 대한민국 인천광역시 부평구
3 김현승 대한민국 충청북도 제천시
4 한문섭 대한민국 서울특별시 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 한라특허법인(유한) 대한민국 서울시 서초구 강남대로 ***(서초동, 남강빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울시립대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 동대문구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.01.20 수리 (Accepted) 1-1-2010-0036978-31
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.01.05 수리 (Accepted) 4-1-2011-5002044-04
3 등록결정서
Decision to grant
2011.06.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0302753-75
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.03 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000287-10
5 대리인선임신고서
Report on Appointment of Agent
2015.12.23 수리 (Accepted) 1-1-2015-5033520-42
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.01.17 수리 (Accepted) 4-1-2017-5009116-18
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.09.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5191631-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
실리콘원 가스와 질소원 가스를 박막 성장 시스템에 함께 공급하여 실리콘 기판 위에 실리콘 질화막을 성장시키되, 상기 실리콘 질화막 성장시 단지 RF 플라즈마 파워만을 변화시킴으로 상기 실리콘 질화막 내에 가시광 파장대에 대응되는 실리콘 나노구조를 연속적으로 형성시키는 것을 특징으로 하는 연속적 파워조절을 통한 백색광을 갖는 실리콘 발광소자 제조방법
2 2
청구항 1에 있어서,상기 실리콘원 가스와 질소원 가스는 1 : 25 ~ 35 의 부피비로 공급하되, 상기 실리콘 질화막 성장시 상기 부피비 범위 내에서 선택된 한 부피비로 일정하게 유지하는 것을 특징으로 하는 연속적 파워조절을 통한 백색광을 갖는 실리콘 발광소자 제조방법
3 3
청구항 1에 있어서,상기 RF 플라즈마 파워를 증가시키거나 혹은 감소시키며 변화시키는 것을 특징으로 하는 연속적 파워조절을 통한 백색광을 갖는 실리콘 발광소자 제조방법
4 4
청구항 1에 있어서,상기 RF 플라즈마 파워를 n차 곡선 형태로 입력하여 원하는 모양의 발광 스펙트럼을 얻는 것을 특징으로 하는 연속적 파워조절을 통한 백색광을 갖는 실리콘 발광소자 제조방법
5 5
청구항 1에 있어서,상기 RF 플라즈마 파워가 초기 값에서 증감되어 다른 값으로 변화하게 될 때 하나의 값에서 머무르는 시간(holding time)을 조절하여 발광 색상의 정밀도를 높이는 것을 특징으로 하는 연속적 파워조절을 통한 백색광을 갖는 실리콘 발광소자 제조방법
6 6
청구항 1 내지 청구항 5 중 선택된 어느 하나의 실리콘 발광소자 제조방법으로 제조된 것을 특징으로 하는 실리콘계 발광소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.