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캐패시터 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015194646
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 강유전물질에 금속물질을 혼합하여 강유전박막을 형성하고, 이 강유전박막의 양측에 전극을 형성하여 제조공정이 용이하면서 양호한 강유전특성을 갖도록 된 캐패시터 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 캐패시터 및 그 제조방법은 강유전박막의 하측에는 하부전극이 형성되고 강유전박막의 상측에는 상부전극이 형성되어 이루어지는 캐패시터에 있어서,상기 강유전박막은 강유전무기물질과 금속물질의 혼합물로 이루어지는 것을 특징으로 한다. 이때, 상기 강유전박막은 강유전무기물질과 금속물질 및 유기물질의 혼합물로 이루어질 수 있다. 또한, 상기 강유전박막은 강유전무기물과 금속물질 및 강유전유기물질의 혼합물로 이루어질 수 있다. 또한, 상기 강유전박막은 강유전유기물질과 금속물질의 혼합물로 이루어질 수 있다. 또한, 상기 강유전박막은 강유전무기물질과 강유전유기물질의 혼합물로 이루어질 수 있다. 또한, 상기 강유전박막은 강유전무기물질과 강유전유기물질의 혼합물로 이루어질 수 있다. 또한, 상기 강유전무기물질은 PZT가 될 수 있다. 또한, 상기 강유전유기물질은 β상 PVDF가 될 수 있다. 또한 상기 금속물질은 철(Fe)이 될 수 있다.
Int. CL H01L 27/115 (2017.01.01) H01L 21/768 (2006.01.01) H01L 27/108 (2006.01.01) H01L 27/115 (2017.01.01) H01L 49/02 (2006.01.01)
CPC H01L 27/11502(2013.01) H01L 27/11502(2013.01) H01L 27/11502(2013.01) H01L 27/11502(2013.01) H01L 27/11502(2013.01)
출원번호/일자 1020100017766 (2010.02.26)
출원인 서울시립대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2011-0098245 (2011.09.01) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.02.10)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울시립대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 동대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박병은 대한민국 서울특별시 양천구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 아이퍼스 대한민국 서울특별시 강남구 삼성로**길*, *층(대치동 삼성빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.02.26 수리 (Accepted) 1-1-2010-0127707-98
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.01.05 수리 (Accepted) 4-1-2011-5002044-04
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.03 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000287-10
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.08.29 무효 (Invalidation) 1-1-2014-0829776-42
5 보정요구서
Request for Amendment		 2014.09.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2014-0156379-15
6 무효처분통지서
Notice for Disposition of Invalidation		 2014.10.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2014-0186481-12
7 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2015.02.10 수리 (Accepted) 1-1-2015-0138573-07
8 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2015.02.10 수리 (Accepted) 1-1-2015-0138860-06
9 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2015.11.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
10 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2016.01.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2016-0010946-15
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.02.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0086988-68
12 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2016.04.01 수리 (Accepted) 1-1-2016-0315420-17
13 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2016.05.02 수리 (Accepted) 1-1-2016-0422315-19
14 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.06.01 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0528117-27
15 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.06.01 수리 (Accepted) 1-1-2016-0528085-54
16 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2016.10.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0740727-22
17 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)		 2016.10.26 수리 (Accepted) 7-1-2016-0060301-74
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.01.17 수리 (Accepted) 4-1-2017-5009116-18
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.09.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5191631-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
강유전박막의 하측에는 하부전극이 형성되고 강유전박막의 상측에는 상부전극이 형성되어 이루어지는 캐패시터에 있어서,상기 강유전박막은 강유전무기물질과 금속물질의 혼합물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 캐패시터
2 2
제1항에 있어서,상기 강유전무기물질은 PZT인 것을 특징으로 하는 캐패시터
3 3
제1항에 있어서,상기 금속물질은 철(Fe)을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 캐패시터
4 4
강유전박막의 하측에는 하부전극이 형성되고 강유전박막의 상측에는 상부전극이 형성되어 이루어지는 캐패시터에 있어서,상기 강유전박막은 강유전무기물질과 금속물질 및 유기물의 혼합물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 캐패시터
5 5
제4항에 있어서,상기 강유전무기물질은 PZT인 것을 특징으로 하는 캐패시터
6 6
제4항에 있어서,상기 금속물질은 철(Fe)을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 캐패시터
7 7
강유전박막의 하측에는 하부전극이 형성되고 강유전박막의 상측에는 상부전극이 형성되어 이루어지는 캐패시터에 있어서,상기 강유전박막은 강유전무기물질과 금속물질 및 강유전유기물질의 혼합물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 캐패시터
8 8
제7항에 있어서,상기 강유전무기물질은 PZT인 것을 특징으로 하는 캐패시터
9 9
제7항에 있어서,상기 금속물질은 철(Fe)을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 캐패시터
10 10
제7항에 있어서,상기 강유전유기물질은 β상 PVDF인 것을 특징으로 하는 캐패시터
11 11
강유전박막의 하측에는 하부전극이 형성되고 강유전박막의 상측에는 상부전극이 형성되어 이루어지는 캐패시터에 있어서,상기 강유전박막은 강유전유기물질과 금속물질의 혼합물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 캐패시터
12 12
제11항에 있어서,상기 강유전유기물질은 β상 PVDF인 것을 특징으로 하는 캐패시터
13 13
제11항에 있어서,상기 금속물질은 철(Fe)을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 캐패시터
14 14
강유전박막의 하측에는 하부전극이 형성되고 강유전박막의 상측에는 상부전극이 형성되어 이루어지는 캐패시터에 있어서,상기 강유전박막은 강유전무기물질과 강유전유기물질의 혼합물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 캐패시터
15 15
제14항에 있어서,상기 강유전무기물질은 PZT인 것을 특징으로 하는 캐패시터
16 16
제14항에 있어서,상기 강유전유기물질은 β상 PVDF인 것을 특징으로 하는 캐패시터
17 17
기판의 상측에 하부전극을 형성하는 제1 단계와,상기 하부전극의 상측에 강유전무기물질과 금속물질을 혼합하여 생성된 강유전박막을 형성하는 제2 단계,상기 강유전박막의 상측에 상부전극을 형성하는 제3 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 캐패시터 제조방법
18 18
제17항에 있어서,상기 제2 단계는 강유전무기물질의 파우더와 금속물질의 파우더를 혼합한 후 이를 용매에 녹여서 생성된 혼합용액으로 강유전박막을 형성하는 것을 특징으로 하는 캐패시터 제조방법
19 19
제17항에 있어서,상기 제2 단계는 강유전무기물질 용액에 금속물질의 파우더를 용해시켜 생성된 혼합용액으로 강유전박막을 형성하는 것을 특징으로 하는 캐패시터 제조방법
20 20
제17항에 있어서,상기 제2 단계는 강유전무기물질 용액에 금속물질 용액을 혼합하여 생성된 혼합용액으로 강유전박막을 형성하는 것을 특징으로 하는 캐패시터 제조방법
21 21
제17항에 있어서,상기 제2 단계는 강유전무기물질 용액에 금속물질의 파우더를 혼합 및 소결하여 강유전박막을 형성하는 것을 특징으로 하는 캐패시터 제조방법
22 22
제17항에 있어서,상기 제2 단계에서 강유전무기물질은 PZT인 것을 특징으로 하는 캐패시터 제조방법
23 23
제17항에 있어서,상기 제2 단계에서 금속물질은 철(Fe)을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 캐패시터 제조방법
24 24
기판의 상측에 하부전극을 형성하는 제11 단계와,상기 하부전극의 상측에 강유전무기물질과 금속물질 및 유기물질을 혼합하여 생성된 강유전박막을 형성하는 제12 단계,상기 강유전박막의 상측에 상부전극을 형성하는 제13 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 캐패시터 제조방법
25 25
제24항에 있어서,상기 제12 단계는 강유전무기물질의 파우더와 금속물질의 파우더 및 유기물빌의 파우더를 혼합한 후 이를 용매에 녹여서 생성된 혼합용액으로 강유전박막을 형성하는 것을 특징으로 하는 캐패시터 제조방법
26 26
제24항에 있어서,상기 제12 단계는 강유전무기물질과 유기물질의 용액에 금속물질의 파우더를 용해시켜 생성된 혼합용액으로 강유전박막을 형성하는 것을 특징으로 하는 캐패시터 제조방법
27 27
제24항에 있어서,상기 제12 단계는 강유전무기물질과 유기물질의 용액에 금속물질 용액을 혼합하여 생성된 혼합용액으로 강유전박막을 형성하는 것을 특징으로 하는 캐패시터 제조방법
28 28
제24항에 있어서,상기 제12 단계는 강유전무기물질과 유기물질의 용액에 금속물질의 파우더를 혼합 및 소결하여 강유전박막을 형성하는 것을 특징으로 하는 캐패시터 제조방법
29 29
제24항에 있어서,상기 제12 단계에서 강유전무기물질은 PZT인 것을 특징으로 하는 캐패시터 제조방법
30 30
제24항에 있어서,상기 제12 단계에서 금속물질은 철(Fe)을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 캐패시터 제조방법
31 31
기판의 상측에 하부전극을 형성하는 제21 단계와,상기 하부전극의 상측에 강유전무기물질과 금속물질 및 강유전유기물질을 혼합하여 생성된 강유전박막을 형성하는 제22 단계,상기 강유전박막의 상측에 상부전극을 형성하는 제23 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 캐패시터 제조방법
32 32
제31항에 있어서,상기 제22 단계는 강유전무기물질의 파우더와 금속물질의 파우더 및 강유전유기물질의 파우더를 혼합한 후 이를 용매에 녹여서 생성된 혼합용액으로 강유전박막을 형성하는 것을 특징으로 하는 캐패시터 제조방법
33 33
제31항에 있어서,상기 제22 단계는 강유전무기물질과 강유전유기물질의 용액에 금속물질의 파우더를 용해시켜 생성된 혼합용액으로 강유전박막을 형성하는 것을 특징으로 하는 캐패시터 제조방법
34 34
제31항에 있어서,상기 제22 단계는 강유전무기물질과 강유전유기물질의 용액에 금속물질 용액을 혼합하여 생성된 혼합용액으로 강유전박막을 형성하는 것을 특징으로 하는 캐패시터 제조방법
35 35
제31항에 있어서,상기 제22 단계는 강유전무기물질과 강유전유기물질의 용액에 금속물질의 파우더를 혼합 및 소결하여 강유전박막을 형성하는 것을 특징으로 하는 캐패시터 제조방법
36 36
제31항에 있어서,상기 제22 단게에서 강유전무기물질은 PZT인 것을 특징으로 하는 캐패시터 제조방법
37 37
제31항에 있어서,상기 제22 단계에서 금속물질은 철(Fe)을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 캐패시터 제조방법
38 38
제31항에 있어서,상기 제22 단계에서 강유전유기물질은 β상 PVDF인 것을 특징으로 하는 캐패시터 제조방법
39 39
기판의 상측에 하부전극을 형성하는 제31 단계와,상기 하부전극의 상측에 강유전유기물질과 금속물질을 혼합하여 생성된 강유전박막을 형성하는 제32 단계,상기 강유전박막의 상측에 상부전극을 형성하는 제33 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 캐패시터 제조방법
40 40
제39항에 있어서,상기 제32 단계는 강유전유기물질의 파우더와 금속물질의 파우더를 혼합한 후 이를 용매에 녹여서 생성된 혼합용액으로 캐패시터를 형성하는 것을 특징으로 하는 캐패시터 제조방법
41 41
제39항에 있어서,상기 제32 단계는 강유전유기물질의 용액에 금속물질의 파우더를 용해시켜 생성된 혼합용액으로 강유전박막을 형성하는 것을 특징으로 하는 캐패시터 제조방법
42 42
제39항에 있어서,상기 제32 단계는 강유전유기물질의 용액에 금속물질 용액을 혼합하여 생성된 혼합용액으로 강유전박막을 형성하는 것을 특징으로 하는 캐패시터 제조방법
43 43
제39항에 있어서,상기 제32 단계는 강유전유기물질의 용액에 금속물질의 파우더를 혼합 및 소결하여 강유전박막을 형성하는 것을 특징으로 하는 캐패시터 제조방법
44 44
제39항에 있어서,상기 제32 단계에서 강유전유기물질은 β상 PVDF인 것을 특징으로 하는 캐패시터 제조방법
45 45
제39항에 있어서,상기 제32 단계에서 금속물질은 철(Fe)을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 캐패시터 제조방법
46 46
기판의 상측에 하부전극을 형성하는 제41 단계와,상기 하부전극의 상측에 강유전무기물질과 강유전유기물질을 혼합하여 생성된 강유전박막을 형성하는 제42 단계,상기 강유전박막의 상측에 상부전극을 형성하는 제43 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 캐패시터 제조방법
47 47
제46항에 있어서,상기 제42 단계에서 강유전무기물질은 PZT인 것을 특징으로 하는 캐패시터 제조방법
48 48
제46항 또는 제47항에 있어서,상기 제42단계에서 강유전유기물질은 β상 PVDF인 것을 특징으로 하는 캐패시터 제조방법
49 49
기판의 상측에 하부전극을 형성하는 제51 단계와,상기 하부전극의 상측에 강유전무기물질과 PVDF를 혼합하여 생성된 강유전박막을 형성하는 제52 단계,상기 강유전박막의 상측에 상부전극을 형성하는 제53 단계 및,상기 강유전박막의 양측에 하부전극과 상부전극이 형성된 상태에서 고온 소성 후 급속 냉각하여 β상 PVDF를 형성하는 제54단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 캐패시터 제조방법
50 50
제49항에 있어서,상기 제52 단계에서 강유전무기물질은 PZT인 것을 특징으로 하는 캐패시터 제조방법
51 51
기판의 상측에 하부전극을 형성하는 제61 단계와,강유전무기물질과 PVDF를 혼합하고 고온 소성 후 급속 냉각하여 β상 PVDF 상태로 된 강유전박막을 상기 하부전극의 상측에 형성하는 제62 단계,상기 강유전박막의 상측에 상부전극을 형성하는 제63 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 캐패시터 제조방법
52 52
제51항에 있어서,상기 제62단계에서 강유전무기물질은 PZT인 것을 특징으로 하는 캐패시터 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.