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반응 챔버 내에 형성된 기판 상에 반응가스를 사용하고 촉매 화학기상증착(Cat-CVD)법을 이용하여 실리콘 화합물을 증착하는 단계; 상기 실리콘 화합물이 증착된 상기 기판을 수소가스(H2)를 사용하여 어닐링(annealing)하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘계 절연체 박막 형성 방법
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제1항에 있어서, 상기 실리콘 화합물은 실리콘 질화물(SiNx) 및 실리콘 산화물(SiOx)로부터 선택된 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 실리콘계 절연체 박막 형성 방법
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제2항에 있어서, 상기 실리콘 화합물을 증착하는 단계에서, 상기 실리콘 화합물이 실리콘 질화물(SiNx)인 경우, 상기 반응가스는 실란 가스와 상기 실란가스를 기준으로 암모니아(NH3)가스를 10 내지 40 배의 비율로 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘계 절연체 박막 형성 방법
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제3항에 있어서, 상기 실리콘 화합물을 증착하는 단계에서, 상기 반응가스는 상기 실란가스를 기준으로 20 배 이하의 비율로 수소가스(H2)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘계 절연체 박막 형성 방법
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제2항에 있어서, 상기 실리콘 화합물을 증착하는 단계에서, 상기 실리콘 화합물이 실리콘 산화물(SiOx)인 경우, 상기 반응가스는 상기 실란가스와 상기 실란가스를 기준으로 아산화질소(N2O) 가스를 2 내지 40배의 비율로 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘계 절연체 박막 형성 방법
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제5항에 있어서, 상기 실리콘 화합물을 증착하는 단계에서, 상기 반응가스는 상기 실란가스를 기준으로 20 배 이하의 비율로 수소가스(H2)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘계 절연체 박막 형성 방법
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제1항에 있어서, 상기 실리콘 화합물을 증착하는 단계는, 상기 반응 챔버내에서, 발열부의 필라멘트 온도는 1600℃ 내지 1850℃이고, 공정 압력은 40 mtorr 내지 300 mtorr인 공정조건에서 수행하는 것을 특징으로 하는 실리콘계 절연체 박막 형성방법
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제1항에 있어서, 상기 어닐링(annealing)하는 단계는, 상기 반응 챔버내에서, 발열부의 필라멘트 온도는 1600℃ 내지 1850℃이고, 공정 압력은 40 내지 300 mtorr인 공정조건에서 수행하는 것을 특징으로 하는 실리콘계 절연체 박막 형성방법
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제8항에 있어서, 상기 수소가스는 10 내지 50 sccm의 유량으로 공급하는 것을 특징으로 하는 실리콘계 절연체 박막 형성방법
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제1항에 있어서, 상기 기판의 온도는 150℃ 내지 200℃ 로 유지되는 것을 특징으로 하는 실리콘계 절연체 박막 형성방법
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제10항에 있어서, 상기 기판은 플렉서블(flexible)한 것을 특징으로 하는 실리콘계 절연체 박막 형성방법
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제1항에 있어서, 상기 반응챔버 내부는 진공상태인 것을 특징으로 하는 실리콘계 절연체 박막 형성방법
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기판상에 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 게이트 전극이 형성된 기판상에 반응가스를 사용하여 촉매 화학기상증착(Cat-CVD)법을 이용하여 실리콘 화합물을 증착하는 단계;상기 실리콘 화합물이 증착된 상기 기판을 수소가스(H2)를 사용하여 어닐링(annealing)하여 실리콘 화합물로 이루어진 게이트 절연막을 형성하는 단계;상기 게이트 절연막상에 반도체층을 형성하는 단계;상기 반도체층상에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 기판의 제조방법
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제13항에 있어서, 상기 게이트 절연막을 형성하는 단계에서 상기 수소가스는 10 내지 50 sccm의 유량으로 공급하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 기판의 제조방법
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제13항에 있어서, 상기 기판은 플렉서블(flexible)한 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 기판의 제조방법
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제15항에 있어서, 상기 기판의 온도는 약 150℃ 내지 약 200℃로 고정되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 기판의 제조방법
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제13항에 있어서, 상기 소스 전극 및 드레인 전극이 형성된 기판상에 패시베이션층을 형성하는 단계; 및상기 드레인 전극과 전기적으로 연결되는 화소 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 기판의 제조방법
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