| 1 |
1
(a) 기판 상에 금속층을 증착하는 단계; 및
(b) 상기 금속층 상에 촉매 화학 기상 증착법을 이용하여 200℃ 이하의 온도에서 비정질 실리콘층을 증착하는 단계
를 포함하며,
상기 (b) 단계에서 상기 금속층 상에 상기 비정질 실리콘층이 증착되면서, 상기 금속층의 적어도 일부가 금속 실리사이드층으로 변환되고, 상기 비정질 실리콘층 중 적어도 일부가 결정질 실리콘층으로 결정화되는 것을 특징으로 하는 비정질 실리콘 결정화 방법
|
| 2 |
2
삭제
|
| 3 |
3
제1항에 있어서,
상기 기판은 글라스 웨이퍼(glass wafer)인 것을 특징으로 하는 비정질 실리콘 결정화 방법
|
| 4 |
4
제1항에 있어서,
상기 (a) 단계는 상기 기판을 세정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 비정질 실리콘 결정화 방법
|
| 5 |
5
제1항에 있어서,
상기 (a) 단계에서, 전자 빔 증착법을 이용하여 상기 금속층을 증착하는 것을 특징으로 하는 비정질 실리콘 결정화 방법
|
| 6 |
6
제1항에 있어서,
상기 금속층은 상기 비정질 실리콘층의 결정화를 촉진하는 금속 원소를 포함하는 것을 특징으로 하는 비정질 실리콘 결정화 방법
|
| 7 |
7
제6항에 있어서,
상기 금속층은 니켈(Ni), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 코발트(Co) 중 적어도 하나의 원소를 포함하는 것을 특징으로 하는 비정질 실리콘 결정화 방법
|
| 8 |
8
삭제
|
| 9 |
9
제1항에 있어서,
상기 비정질 실리콘층은 수소화된 비정질 실리콘층인 것을 특징으로 하는 비정질 실리콘 결정화 방법
|
| 10 |
10
제9항에 있어서,
상기 (b) 단계에서, 상기 금속층 상에 실란(SiH4) 및 수소(H2)을 공급하는 것을 특징으로 하는 비정질 실리콘 결정화 방법
|
| 11 |
11
제1항에 있어서,
상기 금속층 및 상기 비정질 실리콘층의 두께는 수 nm 이상 수십 nm 이하인 것을 특징으로 하는 방법
|
