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그래핀과 전도체 선을 이용한 나노 트랜지스터

  • 기술번호 : KST2015194660
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따른 나노 트랜지스터는 그래핀 나노 리본, 절연층 및 전도체 선을 포함한다. 그래핀 나노 리본은, 그래핀(graphene) 물질로 형성되어, 소오스 영역, 드레인 영역 및 상기 소오스 영역과 드레인 영역 사이의 채널 영역을 구비한다. 절연층은 그래핀 나노 리본 위에 형성된다. 전도체 선은 절연층 위에서 그래핀 나노 리본의 채널 영역의 길이 방향에 대하여 교차한 방향으로 형성된다. 전도체 선에 전류가 흐름에 따라 소오스 영역 측의 자기장 방향과 드레인 영역 측의 자기장 방향은 반대가 된다. 또한, 그래핀 나노 리본에서 드레인 영역으로부터 소오스 영역으로 흐르는 전류가 전도체 선에 흐르는 전류에 의하여 제어된다.
Int. CL H01L 29/775 (2006.01.01) H01L 29/06 (2006.01.01) H01L 29/16 (2006.01.01) H01L 29/66 (2006.01.01)
CPC H01L 29/775(2013.01) H01L 29/775(2013.01) H01L 29/775(2013.01) H01L 29/775(2013.01) H01L 29/775(2013.01)
출원번호/일자 1020100030453 (2010.04.02)
출원인 서울시립대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1101387-0000 (2011.12.26)
공개번호/일자 10-2011-0111066 (2011.10.10) 문서열기
공고번호/일자 (20120102) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.04.02)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울시립대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 동대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 안도열 대한민국 서울특별시 송파구
2 손맹호 대한민국 서울특별시 성북구
3 이용윤 대한민국 서울특별시 동대문구
4 고석남 대한민국 서울특별시 강남구
5 이문선 대한민국 서울특별시 동대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울시립대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 동대문구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.04.02 수리 (Accepted) 1-1-2010-0212594-97
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.01.05 수리 (Accepted) 4-1-2011-5002044-04
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.05.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0281635-58
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.06.21 수리 (Accepted) 1-1-2011-0472034-17
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.06.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0472035-52
6 등록결정서
Decision to grant
2011.12.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0722792-85
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.03 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000287-10
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.01.17 수리 (Accepted) 4-1-2017-5009116-18
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.09.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5191631-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
그래핀(graphene) 물질로 형성되어, 소오스 영역, 드레인 영역 및 상기 소오스 영역과 드레인 영역 사이의 채널 영역을 구비한 그래핀 나노 리본;상기 그래핀 나노 리본 위에 형성된 절연층; 및상기 절연층 위에서 상기 그래핀 나노 리본의 채널 영역의 길이 방향에 대하여 교차한 방향으로 형성된 전도체 선을 포함하여,상기 전도체 선에 전류가 흐름에 따라 상기 소오스 영역 측의 자기장 방향과 상기 드레인 영역 측의 자기장 방향이 반대가 되고,상기 그래핀 나노 리본에서 상기 드레인 영역으로부터 상기 소오스 영역으로 흐르는 전류가 상기 전도체 선에 흐르는 전류에 의하여 제어되는 나노 트랜지스터
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삭제
3 3
제1항에 있어서, 실리콘 웨이퍼 위에 제1 실리콘 옥사이드 층이 형성되고,상기 제1 실리콘 옥사이드 층 위에 상기 그래핀 나노 리본이 형성되며,상기 절연층이 제2 실리콘 옥사이드 층으로 된 나노 트랜지스터
4 4
제1항에 있어서, 상기 그래핀 나노 리본의 채널 영역과 상기 전도체 선의 교차 영역에서 상기 전도체 선에 구멍이 형성되어, 상기 전도체 선의 구멍이 양자점 영역으로 작용하는 나노 트랜지스터
5 5
제1항에 있어서, 상기 전도체 선이 금속 재질로 된 나노 트랜지스터
6 6
제1항에 있어서, 상기 전도체 선이 초전도체 재질로 된 나노 트랜지스터
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.