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나노 미터의 스케일로서 자기장을 발생시키거나 주위의 자기장을 검출하는 나노 변환기에 있어서,기판;상기 기판 위에 형성된 제1 절연층;상기 제1 절연층 위에 형성된 제1 단자부;그 일 단부가 상기 제1 절연층 위에서 상기 제1 단자부와 연결되어, 상기 제1 절연층 위에서 상기 제1 단자부로부터 상기 기판의 중앙부를 향하여 말아지는 형상으로 형성된 말이부;상기 제1 절연층, 상기 제1 단자부 및 상기 말이부 위에 형성된 제2 절연층;상기 제2 절연층 위에 형성된 제2 단자부; 및상기 제2 절연층을 뚫고 상기 말이부의 타 단부와 상기 제2 단자부를 연결하는 접촉부를 포함한 나노 변환기
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제1항에 있어서, 상기 기판이 실리콘 기판이고,상기 제1 절연층과 상기 제2 절연층이 각각 실리콘 옥사이드 층인 나노 변환기
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제1항에 있어서, 서로 연결된 상기 제1 단자부, 상기 말이부, 상기 접촉부 및 상기 제2 단자부가 전도체로 형성된 나노 변환기
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제3항에 있어서, 상기 제1 단자부, 상기 말이부, 상기 접촉부 및 상기 제2 단자부가 금속 재질로 형성된 나노 변환기
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제3항에 있어서, 상기 제1 단자부, 상기 말이부, 상기 접촉부 및 상기 제2 단자부가 초전도체 재질로 형성된 나노 변환기
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기판;상기 기판 위에 형성된 제1 절연층;나노 미터의 스케일로서 상기 제1 절연층 위에 형성된 나노 소자;상기 제1 절연층과 상기 나노 소자 위에 형성된 제2 절연층;상기 제2 절연층 위에 형성된 제1 단자부;그 일 단부가 상기 제2 절연층 위에서 상기 제1 단자부와 연결되어, 상기 제2 절연층 위에서 상기 제1 단자부로부터 상기 기판의 중앙부를 향하여 말아지는 형상으로 형성된 말이부;상기 제2 절연층, 상기 제1 단자부 및 상기 말이부 위에 형성된 제3 절연층;상기 제3 절연층 위에 형성된 제2 단자부; 및상기 제3 절연층을 뚫고 상기 말이부의 타 단부와 상기 제2 단자부를 연결하는 접촉부를 포함한 나노 소자 조립체
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제6항에 있어서, 상기 기판이 실리콘 기판이고,상기 제1 절연층, 상기 제2 절연층 및 상기 제3 절연층이 각각 실리콘 옥사이드 층인 나노 소자 조립체
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