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종이 기판을 준비하는 단계와,상기 종이 기판상에 게이트 전극을 형성하는 단계,상기 게이트 전극상에 강유전체층을 형성하는 단계,상기 강유전체층상에 채널형성층을 형성하는 단계 및,상기 채널형성층상에 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하여 구성되고,상기 종이 기판을 준비하는 단계는 종이 조직내에 포함되어 있는 수분 또는 공기를 제거하는 단계를 추가로 포함하고,상기 수분 또는 공기를 제거하는 단계는 상기 종이 기판을 진공상태 또는 비활성 가스분위기 내에서 열처리함으로써 종이에 흡착되어 있는 수분 또는 공기를 제거하는 것을 특징으로 하는 종이를 기판으로 하는 메모리 장치의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 게이트 전극을 형성하는 단계는 도전성 금속을 진공증착하는 방법을 통해 실행되는 것을 특징으로 하는 종이를 기판으로 하는 메모리 장치의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 채널형성층이 유기물 반도체 또는 절연층으로 구성되는 것을 특징으로 하는 종이를 기판으로 하는 메모리 장치의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 강유전체층이 무기물 강유전 물질, 유기물 강유전 물질, 무기물 강유전 물질과 유기물의 혼합물, 무기물 강유전 물질과 유기물 강유전 물질의 혼합물, 무기물 강유전 물질과 금속의 혼합물 중 적어도 하나를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 메모리 장치의 제조방법
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종이 기판을 준비하는 단계와,상기 종이 기판상에 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계,상기 종이 기판과 소스 및 드레인 전극 상에 채널형성층을 형성하는 단계,상기 채널형성층상에 강유전체층을 형성하는 단계 및,상기 강유전체층상에 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하여 구성되고,상기 종이 기판을 준비하는 단계는 종이 조직내에 포함되어 있는 수분 또는 공기를 제거하는 단계를 추가로 포함하고,상기 수분 또는 공기를 제거하는 단계는 상기 종이 기판을 진공상태 또는 비활성 가스분위기 내에서 열처리함으로써 종이에 흡착되어 있는 수분 또는 공기를 제거하는 것을 특징으로 하는 종이를 기판으로 하는 메모리 장치의 제조방법
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제6항에 있어서,상기 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계는 도전성 금속을 진공증착하는 방법을 통해 실행되는 것을 특징으로 하는 종이를 기판으로 하는 메모리 장치의 제조방법
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제6항에 있어서,상기 채널형성층이 유기물 반도체 또는 절연층으로 구성되는 것을 특징으로 하는 종이를 기판으로 하는 메모리 장치의 제조방법
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제6항에 있어서,상기 강유전체층이 무기물 강유전 물질, 유기물 강유전 물질, 무기물 강유전 물질과 유기물의 혼합물, 무기물 강유전 물질과 유기물 강유전 물질의 혼합물, 무기물 강유전 물질과 금속의 혼합물 중 적어도 하나를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 메모리 장치의 제조방법
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종이 기판을 준비하는 단계와,상기 종이 기판상에 채널형성층을 형성하는 단계,상기 채널형성층상에 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계,상기 채널형성층상의 소스 및 드레인 전극 사이에 강유전체층을 형성하는 단계 및,상기 강유전체층상에 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하여 구성되고,상기 종이 기판을 준비하는 단계는 종이 조직내에 포함되어 있는 수분 또는 공기를 제거하는 단계를 추가로 포함하고,상기 수분 또는 공기를 제거하는 단계는 상기 종이 기판을 진공상태 또는 비활성 가스분위기 내에서 열처리함으로써 종이에 흡착되어 있는 수분 또는 공기를 제거하는 것을 특징으로 하는 종이를 기판으로 하는 메모리 장치의 제조방법
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제11항에 있어서,상기 채널형성층이 유기물 반도체 또는 절연층으로 구성되는 것을 특징으로 하는 종이를 기판으로 하는 메모리 장치의 제조방법
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제11항에 있어서,상기 강유전체층이 무기물 강유전 물질, 유기물 강유전 물질, 무기물 강유전 물질과 유기물의 혼합물, 무기물 강유전 물질과 유기물 강유전 물질의 혼합물, 무기물 강유전 물질과 금속의 혼합물 중 적어도 하나를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 메모리 장치의 제조방법
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종이 기판을 준비하는 단계와,상기 종이 기판상에 게이트 전극을 형성하는 단계,상기 게이트 전극상에 강유전체층을 형성하는 단계,상기 게이트 전극의 양측면에 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계 및,상기 강유전체층과 소스 및 드레인 전극상에 채널형성층을 형성하는 단계를 포함하여 구성되고,상기 종이 기판을 준비하는 단계는 종이 조직내에 포함되어 있는 수분 또는 공기를 제거하는 단계를 추가로 포함하고,상기 수분 또는 공기를 제거하는 단계는 상기 종이 기판을 진공상태 또는 비활성 가스분위기 내에서 열처리함으로써 종이에 흡착되어 있는 수분 또는 공기를 제거하는 것을 특징으로 하는 종이를 기판으로 하는 메모리 장치의 제조방법
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제15항에 있어서,상기 게이트 전극과 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계는 도전성 금속을 진공증착하는 방법을 통해 실행되는 것을 특징으로 하는 종이를 기판으로 하는 메모리 장치의 제조방법
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제15항에 있어서,상기 채널형성층이 유기물 반도체 또는 절연층으로 구성되는 것을 특징으로 하는 종이를 기판으로 하는 메모리 장치의 제조방법
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제15항에 있어서,상기 강유전체층이 무기물 강유전 물질, 유기물 강유전 물질, 무기물 강유전 물질과 유기물의 혼합물, 무기물 강유전 물질과 유기물 강유전 물질의 혼합물, 무기물 강유전 물질과 금속의 혼합물 중 적어도 하나를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 메모리 장치의 제조방법
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종이 기판을 준비하는 단계와,상기 종이 기판상에 게이트 전극을 형성하는 단계,상기 게이트 전극상에 강유전체층을 형성하는 단계,상기 강유전체층상에 채널형성층을 형성하는 단계 및,상기 채널형성층상에 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하여 구성되고,상기 종이 기판을 준비하는 단계는 종이 조직내에 포함되어 있는 수분 또는 공기를 제거하는 단계를 추가로 포함하고,상기 수분 또는 공기를 제거하는 단계는 상기 종이 기판을 진공상태 또는 비활성 가스분위기 내에서 열처리함으로써 종이에 흡착되어 있는 수분 또는 공기를 제거하는 것을 특징으로 하는 종이를 기판으로 하는 트랜지스터의 제조방법
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종이 기판을 준비하는 단계와,상기 종이 기판상에 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계,상기 종이 기판과 소스 및 드레인 전극상에 채널형성층을 형성하는 단계,상기 채널형성층상에 강유전체층을 형성하는 단계 및,상기 강유전체층상에 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하여 구성되고,상기 종이 기판을 준비하는 단계는 종이 조직내에 포함되어 있는 수분 또는 공기를 제거하는 단계를 추가로 포함하고,상기 수분 또는 공기를 제거하는 단계는 상기 종이 기판을 진공상태 또는 비활성 가스분위기 내에서 열처리함으로써 종이에 흡착되어 있는 수분 또는 공기를 제거하는 것을 특징으로 하는 종이를 기판으로 하는 트랜지스터의 제조방법
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종이 기판을 준비하는 단계와,상기 종이 기판상에 채널형성층을 형성하는 단계,상기 채널형성층상에 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계,상기 채널형성층상의 소스 및 드레인 전극 사이에 강유전체층을 형성하는 단계 및,상기 강유전체층상에 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하여 구성되고,상기 종이 기판을 준비하는 단계는 종이 조직내에 포함되어 있는 수분 또는 공기를 제거하는 단계를 추가로 포함하고,상기 수분 또는 공기를 제거하는 단계는 상기 종이 기판을 진공상태 또는 비활성 가스분위기 내에서 열처리함으로써 종이에 흡착되어 있는 수분 또는 공기를 제거하는 것을 특징으로 하는 종이를 기판으로 하는 트랜지스터의 제조방법
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종이 기판을 준비하는 단계와,상기 종이 기판상에 게이트 전극을 형성하는 단계,상기 게이트 전극상에 강유전체층을 형성하는 단계,상기 게이트 전극의 양측면에 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계 및,상기 강유전체층과 소스 및 드레인 전극상에 채널형성층을 형성하는 단계를 포함하여 구성되고,상기 종이 기판을 준비하는 단계는 종이 조직내에 포함되어 있는 수분 또는 공기를 제거하는 단계를 추가로 포함하고,상기 수분 또는 공기를 제거하는 단계는 상기 종이 기판을 진공상태 또는 비활성 가스분위기 내에서 열처리함으로써 종이에 흡착되어 있는 수분 또는 공기를 제거하는 것을 특징으로 하는 종이를 기판으로 하는 트랜지스터의 제조방법
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