| 1 |
1
그래핀(graphene) 물질로 형성되어, 소오스 영역, 드레인 영역 및 상기 소오스 영역과 드레인 영역 사이의 채널 영역을 구비한 그래핀 나노 리본;상기 그래핀 나노 리본의 채널 영역의 일측에 형성된 제1 전도체 선; 및상기 그래핀 나노 리본의 채널 영역의 타측에 형성된 제2 전도체 선을 포함하여,상기 그래핀 나노 리본의 채널 영역에 흐르는 전류가 상기 제1 전도체 선의 전류 방향과 상기 제2 전도체 선의 전류 방향에 따라 제어되는 나노 트랜지스터
|
| 2 |
2
제1항에 있어서, 상기 그래핀 나노 리본의 채널 영역에 흐르는 전류가 상기 제1 전도체 선으로부터의 자기장의 방향과 상기 제2 전도체 선으로부터의 자기장의 방향에 따라 제어되는 나노 트랜지스터
|
| 3 |
3
제2항에 있어서, 상기 제1 전도체 선의 전류 방향이 상기 드레인 영역으로부터 상기 소오스 영역까지의 방향인 상기 채널 영역의 길이 방향이고,상기 제2 전도체 선의 전류 방향이 상기 채널 영역의 길이 방향의 반대 방향이면, 상기 채널 영역 주위의 자속들이 합쳐져서 상기 채널 영역에 흐르는 전자들에 대하여 전위 장벽으로 작용하는 나노 트랜지스터
|
| 4 |
4
제3항에 있어서, 상기 제1 전도체 선의 전류 방향과 상기 제2 전도체 선의 전류 방향이 상기 채널 영역의 길이 방향 또는 상기 길이 방향의 반대 방향으로 동일하면,상기 채널 영역 주위의 자속들이 상쇄되어 상기 채널 영역에 흐르는 전자들에 대하여 전위 장벽으로 작용하지 않는 나노 트랜지스터
|
| 5 |
5
제1항에 있어서, 상기 제1 전도체 선 및 상기 제2 전도체 선 각각이 금속 재질 및 초전도체 재질 중에서 어느 하나로 된 나노 트랜지스터
|
| 6 |
6
제1항에 있어서, 상기 제1 전도체 선과 상기 제2 전도체 선이,상기 채널 영역의 길이 방향 축을 기준으로 선 대칭을 이루는 나노 트랜지스터
|
| 7 |
7
제6항에 있어서, 상기 제1 전도체 선이 상기 채널 영역의 중간 일측 부를 향하여 점점 근접되도록 휘어지고,상기 제2 전도체 선이 상기 채널 영역의 중간 타측 부를 향하여 점점 근접되도록 휘어진 나노 트랜지스터
|
| 8 |
8
제6항에 있어서, 상기 제1 전도체 선이 상기 채널 영역의 일측 전부에 근접되도록 휘어지고,상기 제2 전도체 선이 상기 채널 영역의 타측 전부에 근접되도록 휘어진 나노 트랜지스터
|
| 9 |
9
삭제
|
