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유전율 측정을 위한 프로브와 유전율 측정 시스템 및 방법

  • 기술번호 : KST2015194669
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 공진 주파수를 이용하여 유전율 변화를 측정할 수 있도록 한 유전율 측정을 위한 프로브와 유전율 측정 시스템 및 방법에 관한 것으로, 측정 대상 매질이 충진되어 전자파 급전시 공진을 형성하는 공진부; 상기 공진부 내로 돌출되어 전자파를 방사하고, 반사파를 수신하는 안테나 로드; 및 상기 안테나 로드로 상기 전자파를 급전하고, 상기 반사파를 전달받는 연결포트를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL G01R 27/26 (2006.01.01) G01R 1/067 (2006.01.01) G01H 13/00 (2006.01.01) G01R 1/04 (2006.01.01)
CPC G01R 27/26(2013.01) G01R 27/26(2013.01) G01R 27/26(2013.01) G01R 27/26(2013.01)
출원번호/일자 1020100027456 (2010.03.26)
출원인 서울시립대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1102575-0000 (2011.12.28)
공개번호/일자 10-2011-0108132 (2011.10.05) 문서열기
공고번호/일자 (20120103) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.03.26)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울시립대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 동대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 천창율 대한민국 서울특별시 영등포구
2 박상복 대한민국 서울특별시 마포구
3 정용식 대한민국 서울특별시 양천구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인아주 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, **,**층(역삼동, 동희빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울시립대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 동대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.03.26 수리 (Accepted) 1-1-2010-0194951-71
2 보정요구서
Request for Amendment
2010.04.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2010-0030197-43
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2010.04.20 수리 (Accepted) 1-1-2010-0250801-34
4 보정요구서
Request for Amendment
2010.04.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2010-0036546-14
5 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2010.04.28 수리 (Accepted) 1-1-2010-0274318-44
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.01.05 수리 (Accepted) 4-1-2011-5002044-04
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.06.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0302286-54
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.08.01 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0595472-97
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.08.01 수리 (Accepted) 1-1-2011-0595473-32
10 등록결정서
Decision to grant
2011.11.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0712081-52
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.03 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000287-10
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.01.17 수리 (Accepted) 4-1-2017-5009116-18
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.09.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5191631-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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측정 대상 매질이 충진되어 전자파 급전시 공진을 형성하는 공진부;상기 공진부 내로 돌출되어 전자파를 방사하고, 반사파를 수신하는 안테나 로드; 및상기 안테나 로드로 상기 전자파를 급전하고, 상기 반사파를 전달받는 연결포트를 포함하되,상기 공진부는 상기 전자파 급전시 도미넌트 모드에서의 공진주파수가 측정될 수 있도록 육면체의 도체 벽으로 구성하고, 상기 도체 벽에는 측정 대상 매질의 흐름을 안내하는 유로를 형성하되,상기 유로는 상기 전자파 급전시 전계 형성에 영향을 주지 않도록 전면과 후면의 양단의 일부를 절개하여 구성한 것을 특징으로 하는 유전율 측정을 위한 프로브
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삭제
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삭제
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전자파를 발생하는 전자파 발생부;상기 전자파를 급전받아 공진을 형성하고, 반사파를 수신하는 프로브;상기 반사파에서 공진주파수를 검출하는 주파수 검출부; 및유전율을 알고 있는 매질로부터 검출되는 제1공진주파수와 측정 대상 매질로부터 검출되는 제2공진주파수를 비교하여 공진주파수의 변화율을 산출하고, 상기 공진주파수의 변화율을 이용하여 유전율을 산출하는 유전율 산출부를 포함하는 것을 특징으로 하는 유전율 측정 시스템
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제 4 항에 있어서, 상기 프로브는측정 대상 매질을 충진하여 전자파 급전시 공진을 형성하는 공진부;상기 공진부 내로 돌출되어 전자파를 방사하고, 반사되는 전자파를 수신하는 안테나 로드; 및상기 안테나 로드로 상기 전자파를 급전하고, 상기 반사되는 전자파를 전달받는 연결포트를 포함하는 것을 특징으로 하는 유전율 측정 시스템
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유전율을 알고 있는 매질에 전자파를 급전하여 제1공진주파수를 측정하는 단계;측정 대상 매질에 상기 전자파를 급전하여 제2공진주파수를 측정하는 단계; 상기 제1공진주파수와 상기 제2공진주파수를 비교하여 공진주파수의 변화율을 산출하는 단계; 및상기 공진주파수의 변화율을 이용하여 유전율을 산출하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유전율 측정 방법
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제 6 항에 있어서, 상기 제1공진주파수와 상기 제2공진주파수는도미넌트 모드에서의 공진주파수인 것을 특징으로 하는 유전율 측정 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.