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태양전지 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015194688
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 유연성이 있고 제조비용을 절감할 수 있도록 된 태양전지 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 실리콘 기판 등을 사용하는 기판형 태양전지나 염료감응형 태양전지에 적용된다. 본 발명에 따른 태양전지는 기판으로서 실리콘 기판이나 유리 기판 대신에 종이 또는 유기물 기판이 사용된다. 그리고, 이 기판상에 도전층이나 반도체층 또는 전해질층을 형성함으로써 태양전지를 완성하게 된다. 본 발명에 있어서는 기판으로서 고가의 반도체 기판을 사용하지 않아도 되므로 태양전지의 제조가격을 대폭 낮출 수 있게 된다. 또한, 종이나 유기물 기판은 대면적 형성이 가능하고 제품의 두께와 무게를 대폭 줄일 수 있게 되므로 건물의 외벽이나 유리창 등에 용이하게 부착하여 사용할 수 있는 태양전지를 제공할 수 있다.
Int. CL H01L 31/04 (2014.01.01)
CPC H01L 31/04(2013.01) H01L 31/04(2013.01)
출원번호/일자 1020100062855 (2010.06.30)
출원인 서울시립대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1650580-0000 (2016.08.17)
공개번호/일자 10-2012-0002125 (2012.01.05) 문서열기
공고번호/일자 (20160823) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.04.13)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울시립대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 동대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박병은 대한민국 서울특별시 양천구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 아이퍼스 대한민국 서울특별시 강남구 삼성로**길*, *층(대치동 삼성빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울시립대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 동대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.06.30 수리 (Accepted) 1-1-2010-0424094-31
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.01.05 수리 (Accepted) 4-1-2011-5002044-04
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.03 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000287-10
4 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2015.03.23 수리 (Accepted) 1-1-2015-0279822-99
5 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2015.04.13 수리 (Accepted) 1-1-2015-0355958-50
6 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2015.10.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2015.11.10 수리 (Accepted) 9-1-2015-0068868-48
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.12.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0875929-35
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2016.02.12 수리 (Accepted) 1-1-2016-0140808-79
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.03.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0233428-81
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.03.10 수리 (Accepted) 1-1-2016-0233443-66
12 등록결정서
Decision to grant
2016.07.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0538412-17
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.01.17 수리 (Accepted) 4-1-2017-5009116-18
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.09.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5191631-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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종이 또는 내열성 물질이 코팅된 기판과,상기 기판상에 형성되는 제1 전극층,상기 제1 전극층상에 형성됨과 더불어 외부로부터 인가되는 광에 의해 전자 및 정공을 발생시키는 반도체층 및,상기 반도체층상에 형성되는 제2 전극층을 구비하여 구성되고,상기 제1 전극층은 도전성 유기물을 포함하여 구성되며,상기 반도체층은 N형 반도체층과 I형 반도체층 및 P형 반도체층의 적층구조를 포함하고, 상기 반도체층이 무기물/유기물의 이종접합층으로 구성되며, 상기 이종접합층이 TiO2/P3HT 또는 TiO2/Sb2S3/P3HT이고,상기 제2 전극층이 투명한 재질의 도전성 물질로 구성되거나 상기 제2 전극층의 상측에 투명한 재질의 박막층이 형성되며,상기 제2 전극층의 상측에 외부 광이 제2 전극층에 의해 반사되는 것을 방지하기 위한 반사 방지막이 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지
2 2
유기물로 구성되는 기판과,상기 기판상에 형성되는 제1 전극층,상기 제1 전극층상에 형성됨과 더불어 외부로부터 인가되는 광에 의해 전자 및 정공을 발생시키는 반도체층 및,상기 반도체층상에 형성되는 제2 전극층을 구비하여 구성되고,상기 제1 전극층이 도전성 유기물을 포함하여 구성되며, 상기 반도체층이 N형 반도체층과 I형 반도체층 및 P형 반도체층의 적층구조를 포함하고, 상기 반도체층이 무기물/유기물의 이종접합층으로 구성되며, 상기 이종접합층이 TiO2/P3HT 또는 TiO2/Sb2S3/P3HT 이고, 상기 제2 전극층이 투명한 재질의 도전성 물질로 구성되거나 상기 제2 전극층의 상측에 투명한 재질의 박막층이 형성되며, 상기 제2 전극층의 상측에 외부 광이 제2 전극층에 의해 반사되는 것을 방지하기 위한 반사 방지막이 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지
3 3
외부로부터 인가되는 광에 의해 전자 및 정공을 발생시키는 반도체층을 구비하는 태양전지를 제조하는 방법에 있어서,종이 또는 내열성 물질이 코팅된 기판을 준비하는 단계;상기 기판상에 제1 전극층을 형성하는 단계;상기 제1 전극층상에 반도체층을 형성하는 단계;상기 반도체층상에 제2 전극층을 형성하는 단계; 및상기 제2 전극층의 상측에 외부 광이 상기 제2 전극층에 의해 반사되는 것을 방지하기 위한 반사 방지막을 형성하는 단계;를 포함하되,상기 제1 전극층은 도전성 유기물을 포함하여 구성되며,상기 반도체층은 N형 반도체층과 I형 반도체층 및 P형 반도체층의 적층구조를 포함하고, 상기 반도체층이 무기물/유기물의 이종접합층으로 구성되며, 상기 이종접합층이 TiO2/P3HT 또는 TiO2/Sb2S3/P3HT이고,상기 제2 전극층이 투명한 재질의 도전성 물질로 구성되거나 상기 제2 전극층의 상측에 투명한 재질의 박막층이 형성되며,상기 제2 전극층의 상측에 외부 광이 제2 전극층에 의해 반사되는 것을 방지하기 위한 반사 방지막이 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
4 4
제3항에 있어서,상기 기판을 준비하는 단계는 진공 또는 비활성 가스 분위기에서 종이에 열을 가하는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
5 5
제3항에 있어서,상기 제1 전극층은 금속으로 이루어지고, 제1 전극층의 형성은 진공증착을 통해 실행되는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
6 6
외부로부터 인가되는 광에 의해 전자 및 정공을 발생시키는 반도체층을 구비하는 태양전지를 제조하는 방법에 있어서,유기물 기판을 준비하는 단계;상기 기판상에 도전성 유기물로 구성되는 제1 전극층을 형성하는 단계;상기 제1 전극층상에 반도체층을 형성하는 단계;상기 반도체층상에 제2 전극층을 형성하는 단계; 및상기 제2 전극층의 상측에 외부 광이 상기 제2 전극층에 의해 반사되는 것을 방지하기 위한 반사 방지막을 형성하는 단계;를 포함하되,상기 제1 전극층이 도전성 유기물을 포함하여 구성되며, 상기 반도체층이 N형 반도체층과 I형 반도체층 및 P형 반도체층의 적층구조를 포함하고, 상기 반도체층이 무기물/유기물의 이종접합층으로 구성되며, 상기 이종접합층이 TiO2/P3HT 또는 TiO2/Sb2S3/P3HT 이고, 상기 제2 전극층이 투명한 재질의 도전성 물질로 구성되거나 상기 제2 전극층의 상측에 투명한 재질의 박막층이 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
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