1 |
1
입력 신호를 다파장 광을 이용하여 변조하는 변조부;상기 다파장 광의 파장에 따라 서로 다른 지연을 부가하는 분산부; 및상기 서로 다른 지연이 부가된 다파장 광으로부터 상기 입력 신호를 복조하는 복조부를 포함하되,상기 변조부는, 상기 다파장 광에 포함되는 제1 파장 광 및 제2 파장 광을 각각 방출하는 제1 광원 및 제2 광원; 위상이 반전된 상기 입력 신호를 상기 제1 파장 광을 이용하여 변조하는 제1 전계 흡수 광변조기; 상기 입력 신호를 상기 제2 파장 광을 이용하여 변조하는 제2 전계 흡수 광변조기; 상기 제1 전계 흡수 광변조기 및 상기 제2 전계 흡수 광변조기가 출력하는 제1 파장 광 및 제2 파장 광을 결합하는 광 결합부; 및 상기 제1 전계 흡수 광변조기 및 상기 제2 전계 흡수 광변조기에 의해 변조된 입력 신호가 동일한 파워 레벨을 가지도록 상기 제1 전계 흡수 광변조기에 입력되는 상기 입력 신호의 파워 레벨을 조절하는 파워 레벨 조절부를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토닉 마이크로파 노치 필터
|
2 |
2
제1항에 있어서,상기 입력 신호에 제1 직류 바이어스 및 제2 직류 바이어스를 각각 인가하는 바이어스부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 포토닉 마이크로파 노치 필터
|
3 |
3
제2항에 있어서,상기 제1 전계 흡수 광변조기 및 상기 제2 전계 흡수 광변조기는 각각 U자형 전기-광 전달 함수를 가지는 것을 특징으로 하는 포토닉 마이크로파 노치 필터
|
4 |
4
제3항에 있어서,상기 파워 레벨 조절부는 감쇄기를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토닉 마이크로파 노치 필터
|
5 |
5
제4항에 있어서,상기 바이어스부는 상기 파워 레벨이 조절된 입력 신호가 상기 제1 전계 흡수 광변조기의 U자형 전기-광 전달 함수의 극소점의 좌측으로 시프트되도록 상기 제1 바이어스를 상기 파워 레벨이 조절된 입력 신호에 인가하며, 상기 입력 신호가 상기 제2 전계 흡수 광변조기의 상기 U자형 전기-광 전달 함수의 극소점의 우측으로 시프트되도록 상기 제2 직류 바이어스를 상기 입력 신호에 인가하는 것을 특징으로 하는 포토닉 마이크로파 노치 필터
|
6 |
6
제4항에 있어서,상기 제1 바이어스 및 상기 제2 바이어스는 각각 -1
|
7 |
7
제1항에 있어서,상기 제1 전계 흡수 광변조기 및 상기 제2 전계 흡수 광변조기는 반도체 양자 우물(semiconductor quantum well)을 기반으로 하는 것을 특징으로 하는 포토닉 마이크로파 노치 필터
|
8 |
8
제1항에 있어서,상기 분산부는 분산 계수가 -98
|
9 |
9
제1항에 있어서,상기 제1 파장은 1547nm이며, 상기 제2 파장은 1550nm인 것을 특징으로 하는 포토닉 마이크로파 노치 필터
|