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씨아이지에스 태양전지 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015194732
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 유연성이 있고 제조비용을 절감할 수 있도록 된 CIGS 태양전지 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 CIGS 태양전지는 종이 또는 유기물로 구성되는 기판과, 상기 기판상에 형성되는 이면전극, 상기 이면전극상에 형성되는 CIGS층, 상기 CIGS층상에 형성되는 버퍼층 및, 상기 버퍼층상에 형성되는 윈도우층을 구비하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 31/0445 (2014.01.01) H01L 31/0216 (2014.01.01) H01L 31/18 (2006.01.01)
CPC H01L 31/0445(2013.01) H01L 31/0445(2013.01) H01L 31/0445(2013.01) H01L 31/0445(2013.01) H01L 31/0445(2013.01)
출원번호/일자 1020100138411 (2010.12.30)
출원인 서울시립대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1796789-0000 (2017.11.06)
공개번호/일자 10-2012-0076732 (2012.07.10) 문서열기
공고번호/일자 (20171201) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.07.03)
심사청구항수 18

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울시립대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 동대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박병은 대한민국 서울특별시 양천구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 아이퍼스 대한민국 서울특별시 강남구 삼성로**길*, *층(대치동 삼성빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울시립대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 동대문구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.12.30 수리 (Accepted) 1-1-2010-0874339-10
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.01.05 수리 (Accepted) 4-1-2011-5002044-04
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.03 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000287-10
4 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2015.03.23 수리 (Accepted) 1-1-2015-0279822-99
5 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2015.07.03 수리 (Accepted) 1-1-2015-0648497-08
6 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2015.12.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2016.01.08 수리 (Accepted) 9-1-2016-0001348-50
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.01.17 수리 (Accepted) 4-1-2017-5009116-18
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.04.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0296909-21
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.06.26 수리 (Accepted) 1-1-2017-0610334-10
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.06.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0610335-66
12 등록결정서
Decision to grant
2017.10.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0751470-86
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.09.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5191631-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
종이 또는 유기물로 구성되는 기판과,상기 기판상에 형성되는 이면전극,상기 이면전극상에 형성되는 광흡수층,상기 광흡수층상에 형성되는 버퍼층 및,상기 버퍼층상에 형성되는 윈도우층을 구비하여 구성되며,상기 종이는 내열성 물질이 포함되거나 또는 코팅되며, 상기 광흡수층은 CIGS 층이거나, CIGS 화합물과 염료의 혼합물을 구비하여 구성되거나 또는, CIGS 화합물과 p형 반도체 물질의 혼합물을 구비하여 구성되며,상기 p형 반도체 물질이 유기물인 것을 특징으로 하는 CIGS 태양전지
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4 4
제1항에 있어서,상기 이면전극이 도전성 유기물을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 CIGS 태양전지
5 5
제1항에 있어서,상기 이면전극이 도전성 유기물과 도전성 무기물의 혼합물로 구성되는 것을 특징으로 하는 CIGS 태양전지
6 6
제1항에 있어서,상기 버퍼층이 n형 반도체 무기물과 n형 반도체 유기물의 혼합물을 구비하여 구성되는 것을 특징으로 하는 CIGS 태양전지
7 7
제1항에 있어서,상기 윈도우층이 도전성 유기물을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 CIGS 태양전지
8 8
제1항에 있어서,상기 윈도우층이 도전성 유기물과 도전성 무기물의 혼합물로 구성되는 것을 특징으로 하는 CIGS 태양전지
9 9
기판과,상기 기판의 일측면에 형성되는 이면전극,상기 기판의 상측에 형성되는 버퍼층 및,상기 버퍼층상에 형성되는 윈도우층을 구비하여 구성되고,상기 기판에 CIGS 화합물 또는 CIGS 화합물과 염료를 포함하는 혼합물 또는 CIGS 화합물과 p형 반도체 물질의 혼합물이 주입 또는 흡착되며,상기 기판이 종이로 구성되는 것을 특징으로 하는 CIGS 태양전지
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11 11
제9항에 있어서,상기 이면전극이 도전성 유기물을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 CIGS 태양전지
12 12
제9항에 있어서,상기 이면전극이 도전성 유기물과 도전성 무기물의 혼합물로 구성되는 것을 특징으로 하는 CIGS 태양전지
13 13
제9항에 있어서,상기 버퍼층이 n형 반도체 무기물과 n형 반도체 유기물의 혼합물을 구비하여 구성되는 것을 특징으로 하는 CIGS 태양전지
14 14
제9항에 있어서,상기 윈도우층이 도전성 유기물을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 CIGS 태양전지
15 15
제9항에 있어서,상기 윈도우층이 도전성 유기물과 도전성 무기물의 혼합물로 구성되는 것을 특징으로 하는 CIGS 태양전지
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기판과,상기 기판상에 형성되는 광흡수층,상기 광흡수층상에 형성되는 버퍼층 및,상기 버퍼층상에 형성되는 윈도우층을 구비하여 구성되고,상기 기판에 도전성 유기물 또는 도전성 유기물과 도전성 무기물의 혼합물이 주입 또는 흡착되며,상기 광흡수층은 CIGS 화합물과 염료의 혼합물 또는 CIGS 화합물과 p형 반도체 물질의 혼합물로 구성되는 광흡수층,상기 기판이 종이로 구성되는 것을 특징으로 하는 CIGS 태양전지
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35 35
제33항에 있어서,상기 버퍼층이 n형 반도체 무기물과 n형 반도체 유기물의 혼합물을 구비하여 구성되는 것을 특징으로 하는 CIGS 태양전지
36 36
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종이 또는 유기물로 구성되는 기판을 준비하는 단계와,상기 기판상에 이면전극을 형성하는 단계,상기 이면전극상에 CIGS층을 형성하는 단계,상기 CIGS층상에 버퍼층을 형성하는 단계 및,상기 버퍼층상에 윈도우층을 형성하는 단계를 구비하여 구성되며,상기 이면전극을 형성하는 단계는도전성 유기물 또는 도전성 유기물과 도전성 무기물의 혼합 용액을 형성하는 단계와,상기 혼합 용액을 기판상에 도포하는 단계 및,상기 기판을 가열하는 단계를 포함하여 구성되고,상기 CIGS층을 형성하는 단계는CIGS용액 또는 CIGS 화합물과 염료의 제1CIGS 혼합용액 또는 CIGS 화합물과 p형 반도체 물질의 제2CIGS 혼합용액중 어느 하나를 생성하는 단계와,상기 제1CIGS혼합용액 또는 상기 제2CIGS혼합용액중 어느 하나를 상기 이면전극상에 도포하여 CIGS층을 형성하는 단계 및,상기 CIGS층에 열을 가하는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 CIGS 태양전지의 제조방법
43 43
제42항에 있어서,상기 종이를 진공 또는 비활성 가스 분위기내에서 가열하는 단계를 추가로 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 CIGS 태양전지의 제조방법
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제42항에 있어서,상기 버퍼층의 형성단계는 n형 반도체 무기물과 n형 반도체 유기물의 혼합물을 생성하는 단계와,상기 n형 반도체 혼합물을 CIGS층상에 도포하여 n형 반도체층을 형성하는 단계 및,상기 n형 반도체층에 열을 가하는 단계를 구비하여 구성되는 것을 특징으로 하는 CIGS 태양전지의 제조방법
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기판을 준비하는 단계와,상기 기판의 일측면에 이면전극을 형성하는 단계,상기 기판에 CIGS 화합물 또는 CIGS 화합물과 염료의 혼합물 또는 CIGS 화합물과 p형 반도체 물질의 혼합물 중에 어느 하나를 주입 또는 흡착시키는 단계,상기 기판의 타측면에 버퍼층을 형성하는 단계 및,상기 버퍼층상에 윈도우층을 형성하는 단계를 구비하여 구성되는 것을 특징으로 하는 CIGS 태양전지의 제조방법
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