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가변 샘플 좌표를 사용하는 테라헤르츠 전자기파 이미징 방법 및 장치

  • 기술번호 : KST2015194733
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 제1 샘플 좌표 및 제1 샘플 영상 정보를 기초로 제2 샘플 좌표 및 제2 샘플 영상 정보를 획득하고 압축 센싱 알고리듬을 이용하여 상기 제1 샘플 영상 정보 및 제2 샘플 영상 정보로부터 이미지를 생성하는 가변 샘플 좌표를 사용하는 테라헤르츠 전자기파 이미징 방법 및 장치에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 제1 샘플 좌표 및 제1 샘플 영상 정보를 기초로 이미지를 구성하는데 중요한 요소인 경계선의 근처에 제2 샘플 영상 정보를 추가적으로 설정함으로써, 원 이미지와 더욱 흡사한 이미지를 정확하게 생성할 수 있다.
Int. CL H04N 7/24 (2011.01)
CPC G01N 21/3581(2013.01) G01N 21/3581(2013.01) G01N 21/3581(2013.01)
출원번호/일자 1020110005198 (2011.01.19)
출원인 서울시립대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1207887-0000 (2012.11.28)
공개번호/일자 10-2012-0083951 (2012.07.27) 문서열기
공고번호/일자 (20121204) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.01.19)
심사청구항수 18

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울시립대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 동대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 손주혁 대한민국 서울특별시 강남구
2 박호종 대한민국 서울특별시 강남구
3 안창범 대한민국 서울특별시 송파구
4 이상훈 대한민국 서울특별시 양천구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이창범 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로**길 **,*층 (서초동, 헤라피스빌딩)(제이엠인터내셔널)
2 박준용 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로**길 **(역삼동, 대우디오빌플러스) ***호(새론국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울시립대학교 산학협력단 서울특별시 동대문구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.01.19 수리 (Accepted) 1-1-2011-0043035-12
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.10.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.11.18 수리 (Accepted) 9-1-2011-0092018-26
4 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2012.06.26 수리 (Accepted) 1-1-2012-0508205-30
5 보정요구서
Request for Amendment		 2012.06.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0082155-68
6 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2012.07.06 수리 (Accepted) 1-1-2012-0542759-09
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.07.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0404518-56
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.09.12 수리 (Accepted) 1-1-2012-0735102-05
9 등록결정서
Decision to grant		 2012.11.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0696657-19
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.03 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000287-10
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.01.17 수리 (Accepted) 4-1-2017-5009116-18
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.09.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5191631-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) 이미지를 생성하고자 하는 이미징 영역에 대한 압축 센싱을 수행하기 위하여 제1 샘플 좌표를 설정하고, 상기 제1 샘플 좌표에 대응하는 제1 샘플 영상 정보를 획득하는 단계;(b) 상기 제1 샘플 좌표 및 상기 제1 샘플 영상 정보를 기초로 제2 샘플 좌표를 설정하는 단계;(c) 설정된 상기 제2 샘플 좌표에 대응하는 제2 샘플 영상 정보를 획득하는 단계; 및(d) 압축 센싱 알고리듬을 이용하여 상기 제1 샘플 영상 정보 및 상기 제2 샘플 영상 정보로부터 상기 이미지를 생성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 테라헤르츠 전자기파 이미징 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 (a) 단계는(a-1) 압축률을 설정하는 단계;(a-2) 상기 압축률에 따라 상기 제1 샘플 좌표를 설정하는 단계;(a-3) 상기 제1 샘플 좌표에 상기 테라헤르츠 전자기파를 조사하는 단계;(a-4) 상기 제1 샘플 좌표로부터 반사된 테라헤르츠 전자기파로부터 전기적 신호를 생성하는 단계; 및(a-5) 상기 전기적 신호로부터 상기 제1 샘플 영상 정보를 각각 생성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 테라헤르츠 전자기파 이미징 방법
3 3
제2항에 있어서,상기 (a-1) 단계는 상기 압축률에 따라 상기 제1 샘플 좌표의 개수와 상기 제2 샘플 좌표의 개수를 설정하는 단계를 포함하며,상기 (a-2) 단계는 상기 제1 샘플 좌표의 개수에 따라 상기 제1 샘플 좌표를 설정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 테라헤르츠 전자기파 이미징 방법
4 4
제3항에 있어서,상기 제1 샘플 좌표의 개수와 상기 제2 샘플 좌표의 개수는 적응적으로 설정되는 것을 특징으로 하는 테라헤르츠 전자기파 이미징 방법
5 5
제1항에 있어서,상기 (b) 단계는(b-1) 인접한 상기 제1 샘플 좌표에 대응하는 상기 제1 샘플 영상 정보로부터 영상 정보 변화량을 구하는 단계;(b-2) 상기 영상 정보 변화량이 소정의 범위에 포함되는지를 판단하는 단계; 및(b-3) 상기 영상 정보 변화량이 상기 소정의 범위에 포함되는 경우, 인접한 상기 제1 샘플 좌표로부터 형성되는 폐다각형 내에 존재하는 임의의 점을 상기 제2 샘플 좌표로 설정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 테라헤르츠 전자기파 이미징 방법
6 6
제5항에 있어서,상기 영상 정보 변화량은 상기 인접한 제1 샘플 영상 정보의 차이를 포함하는 것을 특징으로 하는 테라헤르츠 전자기파 이미징 방법
7 7
제5항에 있어서,상기 제2 샘플 좌표는 상기 인접한 제1 샘플 좌표의 무게 중심 좌표를 포함하는 것을 특징으로 하는 테라헤르츠 전자기파 이미징 방법
8 8
제1항에 있어서,상기 (c) 단계는(c-1) 상기 제2 샘플 좌표에 상기 테라헤르츠 전자기파를 조사하는 단계;(c-2) 상기 제2 샘플 좌표로부터 반사된 테라헤르츠 전자기파로부터 전기적 신호를 생성하는 단계; 및(c-3) 상기 전기적 신호로부터 상기 제2 샘플 영상 정보를 각각 생성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 테라헤르츠 전자기파 이미징 방법
9 9
제1항에 있어서,상기 (d) 단계는(d-1) 상기 압축 센싱 알고리듬을 이용하여 상기 제1 샘플 영상 정보 및 상기 제2 샘플 영상 정보로부터 재구성 영상 정보를 각각 생성하는 단계; 및(d-2) 상기 재구성 영상 정보로부터 상기 이미지를 생성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 테라헤르츠 전자기파를 이용한 이미징 방법
10 10
테라헤르츠 전자기파를 대상체에 조사하는 조사부; 상기 대상체에서 반사되는 테라헤르츠 전자기파를 검출하여 전기적 신호를 생성하는 검출부; 및 상기 검출부가 생성한 전기적 신호로부터 이미지를 생성하는 제어부를 포함하되, 상기 제어부는 이미지 생성 프로그램; 상기 이미지 생성 프로그램을 저장하는 메모리; 및 상기 이미지 생성 프로그램을 실행하는 프로세서를 포함하며,상기 이미지 생성 프로그램은 상기 이미지를 생성하고자 하는 이미징 영역에 대한 압축 센싱을 수행하기 위한 제1 샘플 좌표를 설정하고, 상기 제1 샘플 좌표에 대응하는 제1 샘플 영상 정보를 획득하는 제1 인스트럭션; 상기 제1 샘플 좌표 및 상기 제1 샘플 영상 정보를 기초로 제2 샘플 좌표를 설정하는 제2 인스트럭션; 설정된 상기 제2 샘플 좌표에 대응하는 제2 샘플 영상 정보를 획득하는 제3 인스트럭션; 및 압축 센싱 알고리듬을 이용하여 상기 제1 샘플 영상 정보 및 상기 제2 샘플 영상 정보로부터 상기 이미지를 생성하는 제4 인스트럭션을 포함하는 것을 특징으로 하는 테라헤르츠 전자기파 이미징 장치
11 11
제10항에 있어서,상기 제1 인스트럭션은압축률을 설정하는 제1 서브인스트럭션;상기 압축률에 따라 상기 제1 샘플 좌표를 설정하는 제2 서브인스트럭션;상기 제1 샘플 좌표에 상기 테라헤르츠 전자기파를 조사하는 제3 서브인스트럭션;상기 제1 샘플 좌표로부터 반사된 테라헤르츠 전자기파로부터 전기적 신호를 생성하는 제4 서브인스트럭션; 및상기 전기적 신호로부터 상기 제1 샘플 영상 정보를 각각 생성하는 제5 서브인스트럭션을 포함하는 것을 특징으로 하는 테라헤르츠 전자기파 이미징 장치
12 12
제11항에 있어서,상기 제1 서브인스트럭션은 상기 압축률에 따라 상기 제1 샘플 좌표의 개수와 상기 제2 샘플 좌표의 개수를 설정하는 서브인스트럭션을 포함하며,상기 제2 서브인스트럭션은 상기 제1 샘플 좌표의 개수에 따라 상기 제1 샘플 좌표를 설정하는 서브인스트럭션을 포함하는 것을 특징으로 하는 테라헤르츠 전자기파 이미징 장치
13 13
제12항에 있어서,상기 제1 샘플 좌표의 개수와 상기 제2 샘플 좌표의 개수는 적응적으로 설정되는 것을 특징으로 하는 테라헤르츠 전자기파 이미징 장치
14 14
제10항에 있어서,상기 제2 인스트럭션은인접한 상기 제1 샘플 좌표에 대응하는 상기 제1 샘플 영상 정보로부터 영상 정보 변화량을 구하는 제1 서브인스트럭션;상기 영상 정보 변화량이 소정의 범위에 포함되는지를 판단하는 제2 서브인스트럭션; 및상기 영상 정보 변화량이 상기 소정의 범위에 포함되는 경우, 상기 인접한 제1 샘플 좌표로부터 형성되는 폐다각형 내에 존재하는 임의의 점을 상기 제2 샘플 좌표로 설정하는 제3 서브인스트럭션을 포함하는 것을 특징으로 하는 테라헤르츠 전자기파 이미징 장치
15 15
제14항에 있어서,상기 영상 정보 변화량은 상기 인접한 제1 샘플 영상 정보의 차이를 포함하는 것을 특징으로 하는 테라헤르츠 전자기파 이미징 장치
16 16
제14항에 있어서,상기 제2 샘플 좌표는 상기 인접한 제1 샘플 좌표의 무게 중심 좌표를 포함하는 것을 특징으로 하는 테라헤르츠 전자기파 이미징 장치
17 17
제10항에 있어서,상기 제3 인스트럭션은상기 제2 샘플 좌표에 상기 테라헤르츠 전자기파를 조사하는 제1 서브인스트럭션;상기 제2 샘플 좌표로부터 반사된 테라헤르츠 전자기파로부터 전기적 신호를 생성하는 제2 서브인스트럭션; 및상기 전기적 신호로부터 상기 제2 샘플 영상 정보를 각각 생성하는 제3 서브인스트럭션을 포함하는 것을 특징으로하는 테라헤르츠 전자기파 이미징 장치
18 18
제10항에 있어서,상기 제4 인스트럭션은상기 압축 센싱 알고리듬을 이용하여 상기 제1 샘플 영상 정보 및 상기 제2 샘플 영상 정보로부터 재구성 영상 정보를 각각 생성하는 제1 서브인스트럭션; 및상기 재구성 영상 정보로부터 상기 이미지를 생성하는 제2 서브인스트럭션을 포함하는 것을 특징으로 하는 테라헤르츠 전자기파 이미징 장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.