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박막 형성 방법 및 이를 수행하기 위한 박막 형성 장치

  • 기술번호 : KST2015194750
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 박막 형성 방법은 반응 챔버의 발열부를 설정된 온도로 가열함과 동시에 제1 가스를 주입한다. 반응 챔버 내에 안착된 피처리 기판의 온도가 안정화 상태인지를 검출하여 상기 피처리 기판의 온도가 안정된 상태이면 반응 챔버에 제2 가스를 주입한다. 이 후, 제1 가스 및 제2 가스는 발열부에 의해 분해 및 활성화되어 피처리 기판 상에 박막을 형성한다. 이에 따라, 피처리 기판의 온도가 상승되는 것을 억제할 수 있다. 발열부, 박막 형성, 기판 온도 상승
Int. CL H01L 21/324 (2017.01.01) C23C 16/46 (2006.01.01) C23C 16/52 (2018.01.01)
CPC H01L 21/324(2013.01) H01L 21/324(2013.01) H01L 21/324(2013.01)
출원번호/일자 1020080011449 (2008.02.05)
출원인 삼성디스플레이 주식회사, 서울시립대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2009-0085717 (2009.08.10) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.01.25)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성디스플레이 주식회사 대한민국 경기 용인시 기흥구
2 서울시립대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 동대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 양성훈 대한민국 서울특별시 성동구
2 윤갑수 대한민국 서울특별시 강서구
3 김성렬 대한민국 충청남도 천안시 서북구
4 홍완식 대한민국 서울특별시 송파구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박영우 대한민국 서울특별시 강남구 논현로 ***, *층 **세기특허법률사무소 (역삼동, 세일빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.02.05 수리 (Accepted) 1-1-2008-0092780-42
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.01.05 수리 (Accepted) 4-1-2011-5002044-04
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5132663-40
4 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2012.09.13 수리 (Accepted) 1-1-2012-0739374-99
5 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2013.01.23 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2013-0064261-29
6 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2013.01.25 수리 (Accepted) 1-1-2013-0075351-98
7 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document
2013.02.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2013-0012256-31
8 서류반려통지서
Notice for Return of Document
2013.03.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2013-0023654-57
9 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.10.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
10 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.11.05 수리 (Accepted) 9-1-2013-0090243-15
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.03 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000287-10
12 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.01.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0033940-88
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.02.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0192525-36
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.02.27 수리 (Accepted) 1-1-2014-0192565-52
15 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2014.06.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0409491-42
16 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2014.11.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0763533-86
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2015-5104722-59
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.01.17 수리 (Accepted) 4-1-2017-5009116-18
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.01.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5016605-77
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.09.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5191631-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반응 챔버의 발열부를 설정된 온도로 가열함과 동시에 제1 가스를 주입하는 단계; 상기 반응 챔버 내에 안착된 피처리 기판의 온도가 안정화 상태인지를 검출하는 단계; 상기 피처리 기판의 온도가 안정된 상태이면, 상기 반응 챔버에 제2 가스를 주입하는 단계; 및 상기 제1 가스 및 제2 가스는 상기 발열부에 의해 분해 및 활성화되어 상기 피처리 기판 상에 박막을 형성하는 단계를 포함하는 박막 형성 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 피처리 기판의 안정화된 온도는 150℃ 내지 200℃ 인 것을 특징으로 하는 박막 형성 방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 제1 가스는 캐리어 가스 또는 소스 가스인 것을 특징으로 하는 박막 형성 방법
4 4
가스를 분해 및 활성화시켜 피처리 기판 상에 박막을 형성하는 발열부를 포함하는 반응 챔버; 상기 발열부에 전원을 공급하여 상기 발열부를 설정된 온도로 발열시키는 에너지 공급부; 및 상기 발열부에 발열되는 동안 상기 반응 챔버에 제1 가스를 주입하고, 상기 피처리 기판의 온도가 안정한 상태가 되면 상기 제2 가스를 상기 반응 챔버에 주입하는 가스 공급부를 포함하는 박막 형성 장치
5 5
제4항에 있어서, 상기 반응 챔버는 상기 반응 챔버의 온도를 제어하기 위한 냉각 처리부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 형성 장치
6 6
제4항에 있어서, 상기 피처리 기판의 안정화된 온도는 150℃ 내지 200℃ 인 것을 특징으로 하는 박막 형성 장치
7 7
제4항에 있어서, 상기 제1 가스는 캐리어 가스 또는 소스 가스인 것을 특징으로 하는 박막 형성 장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.