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그래핀(graphene) 물질로 형성되어, 소오스 영역, 드레인 영역 및 상기 소오스 영역과 드레인 영역 사이의 채널 영역을 구비한 그래핀 나노 리본; 및상기 그래핀 나노 리본 위에서 상기 그래핀 나노 리본의 채널 영역의 길이 방향에 대하여 교차한 방향으로 형성되되, 기둥들에 의하여 상기 채널 영역과 이격되면서 지지되는 풍교(風橋, air-bridge) 게이트를 포함하고,상기 풍교(風橋, air-bridge) 게이트가 전도체 선으로 되며,상기 풍교 게이트에 전류가 흐름에 따라 상기 소오스 영역 측의 자기장 방향과 상기 드레인 영역 측의 자기장 방향이 반대가 되고, 상기 그래핀 나노 리본에서 상기 드레인 영역으로부터 상기 소오스 영역으로 흐르는 전류가 상기 풍교 게이트에 흐르는 전류에 의하여 제어되는 나노 트랜지스터
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제4항에 있어서, 실리콘 웨이퍼 위에 절연층이 형성되고,상기 절연층 위에 상기 그래핀 나노 리본이 형성되는 나노 트랜지스터
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제5항에 있어서, 상기 절연층이 실리콘 옥사이드 층으로 된 나노 트랜지스터
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제4항에 있어서, 상기 풍교 게이트가 금속 재질로 된 나노 트랜지스터
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제4항에 있어서, 상기 풍교 게이트가 초전도체 재질로 된 나노 트랜지스터
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(a) 소오스 영역, 드레인 영역 및 상기 소오스 영역과 드레인 영역 사이의 채널 영역이 구비된 그래핀(graphene) 물질의 그래핀 나노 리본을 기판 위에 형성하는 단계; 및(b) 상기 그래핀 나노 리본 위에서 상기 그래핀 나노 리본의 채널 영역의 길이 방향에 대하여 교차한 방향을 가지고, 기둥들에 의하여 상기 채널 영역과 이격되면서 지지되는 풍교(風橋, air-bridge) 게이트를 형성하는 단계를 포함하고,상기 단계 (b)가, (b1) 제1 전자-빔(electron beam) 레지스트로써 상기 기판에 대한 상기 풍교(風橋, air-bridge) 게이트의 기둥들의 패턴을 형성하는 단계;(b2) 상기 풍교(風橋, air-bridge) 게이트의 기둥들의 패턴이 형성된 상태에서, 제2 전자-빔(electron beam) 레지스트로써 상기 풍교(風橋, air-bridge) 게이트의 평면 패턴을 형성하는 단계;(b3) 상기 풍교(風橋, air-bridge) 게이트의 기둥들의 패턴 및 평면 패턴이 형성된 상태에서, 전도체를 증착하는 단계; 및(b4) 상기 제1 전자-빔(electron beam) 레지스트 및 상기 제2 전자-빔(electron beam) 레지스트를 제거하는 단계를 포함한 나노 트랜지스터의 제조 방법
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제12항에 있어서, 상기 단계 (b1)이, (b1a) 상기 제1 전자-빔(electron beam) 레지스트를 상기 기판 및 상기 그래핀 나노 리본 위에 도포하는 단계; 및(b1b) 전자-빔(electron beam) 식각에 의하여 상기 제1 전자-빔(electron beam) 레지스트를 현상함으로써, 상기 풍교(風橋, air-bridge) 게이트의 기둥들의 패턴을 형성하는 단계를 포함한 나노 트랜지스터의 제조 방법
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제13항에 있어서, 상기 단계 (b1a)에서,상기 기판으로부터의 상기 제1 전자-빔(electron beam) 레지스트의 도포 두께가, 상기 그래핀 나노 리본과 상기 풍교(風橋, air-bridge) 게이트의 이격 거리에 상기 그래핀 나노 리본의 두께가 합쳐진 결과인 나노 트랜지스터의 제조 방법
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제12항에 있어서, 상기 단계 (b2)가, (b2a) 상기 풍교(風橋, air-bridge) 게이트의 기둥들의 패턴이 형성된 상태에서, 상기 제2 전자-빔(electron beam) 레지스트를 상기 기둥들의 패턴에 도포하는 단계; 및(b2b) 전자-빔(electron beam) 식각에 의하여 상기 제2 전자-빔(electron beam) 레지스트를 현상함으로써, 상기 풍교(風橋, air-bridge) 게이트의 평면 패턴을 형성하는 단계를 포함한 나노 트랜지스터의 제조 방법
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제15항에 있어서, 상기 단계 (b2a)에서,상기 제1 전자-빔(electron beam) 레지스트로부터의 상기 제2 전자-빔(electron beam) 레지스트의 두께가 상기 풍교(風橋, air-bridge) 게이트의 두께와 같고,상기 제1 전자-빔(electron beam) 레지스트와 상기 제2 전자-빔(electron beam) 레지스트의 총 두께가 상기 풍교(風橋, air-bridge) 게이트의 높이와 같은 나노 트랜지스터의 제조 방법
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제16항에 있어서, 상기 단계 (b2b)에서,상기 제1 전자-빔(electron beam) 레지스트의 전자-빔 감도가 상기 제2 전자-빔(electron beam) 레지스트의 전자-빔 감도에 비하여 낮음에 따라, 상기 제1 전자-빔(electron beam) 레지스트에 의한 상기 기둥들의 패턴이 식각되지 않은 상태에서 상기 풍교(風橋, air-bridge) 게이트의 평면 패턴과 합쳐지는 나노 트랜지스터의 제조 방법
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제12항에 있어서, 상기 단계 (b4)에서,상기 제2 전자-빔(electron beam) 레지스트 위에 증착된 전도체가 상기 제2 전자-빔(electron beam) 레지스트와 함께 제거되지만,상기 기둥들에 연결되고 상기 제1 전자-빔(electron beam) 레지스트 위에 증착된 상기 풍교(風橋, air-bridge) 게이트의 전도체는, 상기 제1 전자-빔(electron beam) 레지스트가 제거됨에도 불구하고 제거되지 않는 나노 트랜지스터의 제조 방법
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