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종이를 기판으로 하는 트랜지스터와 메모리 장치 및 이들의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015194783
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 기판으로서 종이를 사용하여 제조된 트랜지스터와, 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 있어서는 펄프를 원료로 하는 종이, 또는 실리콘 등의 내열성 재료가 코팅된 종이를 기판으로 하여 트랜지스터가 제조된다. 본 발명은 종이에 반도체 유기물을 침적 또는 주입하는 방법으로 소스, 드레인 및 채널 영역을 형성하고, 기판 상에 전도성 유기물층이나 강유전성 유기물층을 형성하는 방법을 통해 트랜지스터나 메모리 장치를 구현하게 된다.
Int. CL H01L 29/78 (2006.01.01) H01L 21/336 (2006.01.01) H01L 27/105 (2006.01.01)
CPC H01L 27/105(2013.01) H01L 27/105(2013.01) H01L 27/105(2013.01)
출원번호/일자 1020100130579 (2010.12.20)
출원인 서울시립대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1710726-0000 (2017.02.21)
공개번호/일자 10-2012-0069157 (2012.06.28) 문서열기
공고번호/일자 (20170227) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.06.01)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울시립대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 동대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박병은 대한민국 서울특별시 양천구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 아이퍼스 대한민국 서울특별시 강남구 삼성로**길*, *층(대치동 삼성빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울시립대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 동대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.12.20 수리 (Accepted) 1-1-2010-0838428-31
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.01.05 수리 (Accepted) 4-1-2011-5002044-04
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.03 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000287-10
4 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2015.03.23 수리 (Accepted) 1-1-2015-0279822-99
5 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2015.06.01 수리 (Accepted) 1-1-2015-0524679-36
6 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2016.01.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2016.03.10 수리 (Accepted) 9-1-2016-0013032-64
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.05.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0371758-82
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.05.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0501574-03
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.07.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0532869-28
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.09.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0901789-83
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.09.19 수리 (Accepted) 1-1-2016-0901788-37
13 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2017.01.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0010024-12
14 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2017.01.11 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2017-0034234-08
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.01.17 수리 (Accepted) 4-1-2017-5009116-18
16 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2017.02.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0113687-99
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.09.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5191631-69
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번호 청구항
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종이 기판을 준비하는 단계와,상기 종이 기판에 전체적으로 제1 도전형의 반도체 물질을 침적시키는 단계,상기 기판의 내측에 제2 도전형의 반도체 물질을 침적 또는 주입하여 소스 및 드레인 영역을 형성하는 단계,상기 소스 및 드레인 영역의 사이 구간에 대응하는 기판상에 절연층을 형성하는 단계 및,상기 소스 및 드레인 영역과 절연층 상에 소스 및 드레인 전극과 게이트 전극을 포함하는 도전층을 형성하는 단계를 포함하고,상기 반도체 물질의 침적단계는 반도체 유기물 용액 또는 반도체 유기물과 무기물의 혼합 용액을 포함하는 반도체 용액을 준비하는 단계와,상기 반도체 용액을 기판에 침적 또는 주입하는 단계 및,기판을 건조시키는 단계를 포함하여 구성되며,상기 절연층 형성단계는 유기물 절연물질 용액 또는 유기물 절연물질과 무기물 절연물질의 혼합 용액을 포함하는 절연물질 용액을 준비하는 단계와,상기 절연물질 용액을 이용하여 절연층을 형성하는 단계 및,기판을 건조시키는 단계를 포함하여 구성되고, 상기 도전층의 형성단계는 도전성 유기물 용액 또는 도전성 유기물과 도전성 무기물의 혼합 용액을 포함하는 도전성 용액을 준비하는 단계와,상기 도전성 용액을 이용하여 도전층을 형성하는 단계 및,기판을 건조시키는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 종이를 기판으로 하는 트랜지스터의 제조방법
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