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비휘발성 메모리 저장장치에서 워크로드와 데이터 재사용 시간을 고려한 선택적 트림 방법

  • 기술번호 : KST2015194820
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 플래시 메모리를 저장 매체로 사용하는 SSD(Solid State Drive)는 그 내부에 플래시 변환 계층(Flash Translation Layer, FTL)을 구현하고, 트림 명령이 주어질 때 이를 처리하는 비휘발성 메모리 저장장치에서 워크로드와 데이터 재사용 시간을 고려한 선택적 트림 방법을 개시한다. 일실시예로서 운영체제 또는 데이터베이스와 같이 일정한 양의 저장 공간을 관리하는 소프트웨어가 트림 명령의 비용과 이득을 고려하여 최적화된 트림 명령 호출 방법을 제시하고, 그 결과 메모리 저장장치의 성능 향상 및 프로그램 수행 속도를 증가시킨다. 아울러 트림 대상이 되는 섹터가 존재할 때, 섹터 재사용 거리를 기반으로 이들의 최적화된 트림 순서를 결정하는 기준을 제시한다.
Int. CL G06F 12/00 (2006.01)
CPC G06F 11/1068(2013.01) G06F 11/1068(2013.01)
출원번호/일자 1020110096863 (2011.09.26)
출원인 서울시립대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1335177-0000 (2013.11.25)
공개번호/일자 10-2013-0033046 (2013.04.03) 문서열기
공고번호/일자 (20131129) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.09.26)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울시립대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 동대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 현철승 대한민국 서울특별시 동대문구
2 이동희 대한민국 서울특별시 동대문구
3 최종무 대한민국 경기도 용인시 수지구
4 노삼혁 대한민국 서울특별시 마포구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 무한 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(역삼동,화물재단빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울시립대학교 산학협력단 서울특별시 동대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.09.26 수리 (Accepted) 1-1-2011-0747468-80
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.04.02 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.05.09 수리 (Accepted) 9-1-2013-0036805-19
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.05.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0353649-88
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.07.18 수리 (Accepted) 1-1-2013-0648976-97
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.07.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0648977-32
7 등록결정서
Decision to grant
2013.11.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0803566-75
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.03 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000287-10
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.01.17 수리 (Accepted) 4-1-2017-5009116-18
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.09.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5191631-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
유효한 섹터 또는 유효하지 않은 섹터의 리스트 또는 통계를 가공하여, 메모리 저장장치 내부의 유틸라이제이션(utilization)을 연산하는 단계; 및상기 연산된 유틸라이제이션에 기반하여, 트림 명령을 호출할지의 여부에 관한 트림(TRIM) 정책을, 상기 메모리 저장장치에 적용하는 단계를 포함하는 비휘발성 메모리 저장장치에서 워크로드와 데이터 재사용 시간을 고려한 선택적 트림 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 트림 정책을, 상기 메모리 저장장치에 적용하는 단계는,상한선(high watermark) 및 하한선(low watermark)을 설정하는 단계; 및상기 유틸라이제이션의 값이 상기 상한선 이상인 ⅰ)경우, 상기 유틸라이제이션의 값이 상기 하한선 이하인 ⅱ)경우, 및 상기 유틸라이제이션의 값이 상기 상한선 보다 작고 상기 하한선 보다 큰 ⅲ)경우 중 어느 하나에 따라 서로 다른 트림 정책을 적용하는 단계를 포함하는 비휘발성 메모리 저장장치에서 워크로드와 데이터 재사용 시간을 고려한 선택적 트림 방법
3 3
제2항에 있어서,상기 트림 정책을, 상기 메모리 저장장치에 적용하는 단계는,상기 ⅰ)경우이면, 모든 섹터를 대상으로 상기 트림 명령을 호출하는 올-트림(ALL-TRIM) 정책을 적용하는 단계;상기 ⅱ)경우이면, 상기 트림 명령을 호출하지 않는 노-트림(NO-TRIM) 정책을 적용하는 단계; 및상기 ⅲ)경우이면, 상기 트림 명령을 선택적으로 호출하는 선택적 트림을 적용하는 단계를 포함하는 비휘발성 메모리 저장장치에서 워크로드와 데이터 재사용 시간을 고려한 선택적 트림 방법
4 4
제3항에 있어서,상기 선택적 트림을 적용하는 단계는,파일시스템 내부 데이터 총량이 증가하면, 상기 트림 명령을 호출하지 않고, 상기 파일시스템 내부 데이터 총량이 감소하면, 상기 트림 명령을 호출하는 단계를 포함하는 비휘발성 메모리 저장장치에서 워크로드와 데이터 재사용 시간을 고려한 선택적 트림 방법
5 5
제3항에 있어서,상기 선택적 트림을 적용하는 단계는,시스템의 부하 상태, 입출력의 양, 및 입출력의 종류 중 적어도 하나의 컴퓨터 시스템 내부에서 획득 가능한 정보를 바탕으로, 상기 트림 명령을 선택적으로 호출하는 단계를 포함하는 비휘발성 메모리 저장장치에서 워크로드와 데이터 재사용 시간을 고려한 선택적 트림 방법
6 6
제1항에 있어서,상기 트림 정책을, 상기 메모리 저장장치에 적용하는 단계는,섹터 재사용 거리의 경계값을 설정하는 단계; 및섹터 재사용 거리가 경계값 이상이면 트림 명령을 호출하는 단계; 또는섹터 재사용 거리가 경계값 미만이면 트림 명령을 호출하지 않는 단계를 포함하는 비휘발성 메모리 저장장치에서 워크로드와 데이터 재사용 시간을 고려한 선택적 트림 방법
7 7
제1항에 있어서,상기 트림 정책을, 상기 메모리 저장장치에 적용하는 단계는,트림의 대상이 되는 섹터들이 존재할 때, 섹터 재사용 거리에 비례하여 트림 순서를 결정하는 단계; 및상기 결정된 트림 순서에 따라 트림 명령을 호출하는 단계를 포함하는 비휘발성 메모리 저장장치에서 워크로드와 데이터 재사용 시간을 고려한 선택적 트림 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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