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염료 감응 태양전지 및 그의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015194825
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 염료감응 태양전지 및 그의 제조 방법에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명은 산을 포함하는 페이스트로 형성된 나노입자 산화물층을 포함시킴으로써 나노입자 간의 분산도와 염료의 흡착량을 높여 에너지 변환 효율을 높였다.
Int. CL H01L 31/04 (2014.01)
CPC H01G 9/2031(2013.01) H01G 9/2031(2013.01) H01G 9/2031(2013.01)
출원번호/일자 1020110037892 (2011.04.22)
출원인 서울시립대학교 산학협력단, 영동테크윈 주식회사
등록번호/일자 10-1212101-0000 (2012.12.07)
공개번호/일자 10-2012-0119736 (2012.10.31) 문서열기
공고번호/일자 (20121218) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.04.22)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울시립대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 동대문구
2 영동테크윈 주식회사 대한민국 서울특별시 금천구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김정현 대한민국 서울특별시 성북구
2 송슬기 대한민국 서울특별시 동대문구
3 서영미 대한민국 서울특별시 강서구
4 모상신 대한민국 서울특별시 강서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인아주 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, **,**층(역삼동, 동희빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울시립대학교 산학협력단 서울특별시 동대문구
2 영동테크윈 주식회사 서울특별시 금천구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.04.22 수리 (Accepted) 1-1-2011-0302410-84
2 보정요구서
Request for Amendment		 2011.04.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2011-0035436-67
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2011.04.26 수리 (Accepted) 1-1-2011-0309991-96
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.02.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.03.21 수리 (Accepted) 9-1-2012-0021196-26
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.05.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0306252-30
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.07.17 수리 (Accepted) 1-1-2012-0571062-64
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.07.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0571063-10
9 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2012.10.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0654935-23
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.11.23 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2012-0970579-59
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.11.23 수리 (Accepted) 1-1-2012-0970578-14
12 등록결정서
Decision to grant		 2012.11.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0723501-29
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.09.09 수리 (Accepted) 4-1-2013-5122448-96
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.03 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000287-10
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.10.29 수리 (Accepted) 4-1-2014-5128500-47
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.06.09 수리 (Accepted) 4-1-2015-5076934-29
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.01.17 수리 (Accepted) 4-1-2017-5009116-18
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.09.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5191631-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
전도성 제 1 기판, 상기 전도성 제1 기판의 일면에 형성되어 있고 산을 포함하는 페이스트로 형성된 나노입자 산화물층 및 상기 나노입자 산화물층 상에 흡착된 염료를 포함하는 반도체 전극; 전도성 제 2 기판상에 상기 반도체 전극쪽을 향하여 형성된 전극층을 포함하는 대향전극; 및 상기 반도체 전극과 상기 대향전극 사이에 개재된 전해질 용액을 포함하고,상기 나노입자 산화물층은 나노 입자, 고분자 바인더, 계면활성제 및 산을 포함하는 페이스트로 형성되고,상기 나노입자는 이산화티탄(TiO2), 이산화주석(SnO2) 및 산화아연(ZnO)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하고, 상기 산을 포함하는 페이스트에서 산 농도는 0
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
제 1항에 있어서, 상기 강산은 염산, 질산 또는 황산이고, 상기 약산은 아세트산, 발레르산, 포름산, 벤조산 및 인산으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 염료 감응 태양 전지
5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
산을 포함하는 페이스트로 형성된 나노입자 산화물층을 전도성 제1 기판 위에 형성하는 단계; 상기 나노입자 산화물층 상에 염료를 흡착시켜 반도체 전극을 형성하는 단계;전도성 제2 기판 상에 상기 반도체 전극쪽을 향하여 전극층을 형성시킨 대향 전극을 형성하는 단계; 및상기 반도체 전극과 대향 전극 사이에 전해질 용액을 개재시키는 단계를 포함하고,상기 나노입자 산화물층은 나노 입자, 고분자 바인더, 계면활성제 및 산을 포함하는 페이스트로 형성되고,상기 나노입자는 이산화티탄(TiO2), 이산화주석(SnO2) 및 산화아연(ZnO)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하고, 상기 산을 포함하는 페이스트에서 산 농도는 0
8 8
제7항에 있어서, 상기 제조 방법은 상기 나노입자 산화물층이 형성된 전도성 제1 기판을 TiCl4을 포함하는 수용액에 침지하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 염료 감응 태양 전지의 제조 방법
9 9
제8항에 있어서, 상기 TiCl4을 포함하는 수용액의 농도는 0
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.