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표면 플라스몬 커플러를 가지는 포토다이오드

  • 기술번호 : KST2015194830
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 광자를 수신할 수 있는 표면을 구비하는 신호 생성 유닛, 신호 생성 유닛의 표면 상에 위치하는 제 1 금속 구조물, 신호 생성 유닛의 표면 상에 위치하는 제 2 금속 구조물을 포함하는 디바이스이다. 제 2 금속 구조물과 제 1 구조물은 공간적으로 이격되어 있다.
Int. CL H01L 31/10 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020117028107 (2011.11.25)
출원인 서울시립대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1322364-0000 (2013.10.21)
공개번호/일자 10-2012-0013407 (2012.02.14) 문서열기
공고번호/일자 (20131028) 문서열기
국제출원번호/일자 PCT/KR2010/002651 (2010.04.27)
국제공개번호/일자 WO2010126287 (2010.11.04)
우선권정보 미국  |   12/430,447   |   2009.04.27
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국제출원
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.11.25)
심사청구항수 23

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울시립대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 동대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 안도열 대한민국 서울특별시 송파구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인엠에이피에스 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층 (역삼동, 한동빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울시립대학교 산학협력단 서울특별시 동대문구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허법 제203조에 따른 서면
[Patent Application] Document according to the Article 203 of Patent Act
2011.11.25 수리 (Accepted) 1-1-2011-0934442-35
2 수리안내서
Notice of Acceptance
2011.12.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2011-0113400-32
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.03.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0188979-13
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.05.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0438900-13
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.05.20 수리 (Accepted) 1-1-2013-0438897-63
6 등록결정서
Decision to grant
2013.09.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0672738-92
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.03 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000287-10
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.01.17 수리 (Accepted) 4-1-2017-5009116-18
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.09.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5191631-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
광자를 수신할 수 있는 표면을 구비하는 신호 생성 유닛;상기 신호 생성 유닛의 상기 표면 상에 형성된 제 1 반사방지층;상기 신호 생성 유닛의 상기 표면 주변의 상기 제 1 반사방지층의 제 1 홀 영역 내에 위치하는 제 1 금속 구조물;상기 신호 생성 유닛의 상기 표면 주변의 상기 제 1 반사방지층의 제 2 홀 영역 내에 위치하는 제 2 금속 구조물; 및상기 제 1 반사방지층 및 상기 제 1 및 제 2 금속 구조물의 상기 표면 상에 형성된 제 2 반사방지층을 포함하고,상기 제 2 금속 구조물은 상기 제 1 금속 구조물과 이격되는, 디바이스
2 2
제 1 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 금속 구조물은 상기 광자의 파장 이하의 거리만큼 이격되는, 디바이스
3 3
제 1 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 금속 구조물은 상기 광자의 파장의 1/4 이하의 거리만큼 이격되는, 디바이스
4 4
제 1 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 금속 구조물의 두께는 상기 광자의 파장 이하인, 디바이스
5 5
제 1 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 금속 구조물의 두께는 상기 광자의 파장의 1/4 이하인, 디바이스
6 6
삭제
7 7
제 1 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 금속 구조물은 Ag, Al, Au, Ni, 및 Ti로 필수적으로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 적어도 하나의 물질로 만들어지는, 디바이스
8 8
제 1 항에 있어서,상기 신호 생성 유닛은 pn 포토다이오드, 핀(pin) 포토다이오드, 쇼트키(schottky) 포토다이오드, 애벌랜치(avalanche) 포토다이오드로 필수적으로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는, 디바이스
9 9
제 1 항에 있어서,상기 신호 생성 유닛의 상기 표면 상에 위치하는 금속 구조물의 배열을 더 포함하는, 디바이스
10 10
제 1 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 금속 구조물 각각은 가늘고 긴 금속 구조물인, 디바이스
11 11
제 1 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 금속 구조물 각각은 직사각형의 금속 구조물인, 디바이스
12 12
제 1 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 금속 구조물 각각은 쐐기 모양의 금속 구조물인, 디바이스
13 13
신호 생성 유닛의 표면 상에 제 1 반사방지층을 형성하는 단계 - 상기 신호 생성 유닛의 상기 표면은 광자를 수신할 수 있음 -;상기 제 1 반사방지층을 패터닝하여 제 1 및 제 2 홀을 정의하는 단계 - 상기 제 1 및 제 2 홀은 각각 상기 신호 생성 유닛의 상기 표면의 일부분을 노출함 -;상기 제 1 홀에 제 1 금속 구조물을 형성하는 단계;상기 제 2 홀에 상기 제 1 금속 구조물과 이격되는 제 2 금속 구조물을 형성하는 단계; 및상기 제 1 및 제 2 금속 구조물 및 상기 제 1 반사방지층 상에 제 2 반사방지층을 형성하는 단계를 포함하는 디바이스 제작 방법
14 14
제 13 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 금속 구조물을 형성하는 단계는, 상기 신호 생성 유닛의 상기 표면 상에 금속층을 형성하는 단계; 및 상기 금속층을 패터닝하여 상기 제 1 및 제 2 금속 구조물을 형성하는 단계를 포함하는, 디바이스 제작 방법
15 15
제 13 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 금속 구조물을 둘러싸는 반사방지층을 형성하는 단계를 더 포함하는, 디바이스 제작 방법
16 16
삭제
17 17
삭제
18 18
제 13 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 금속 구조물은 상기 광자의 파장 이하의 거리만큼 이격되는, 디바이스 제작 방법
19 19
제 13 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 금속 구조물은 상기 광자의 파장의 1/4 이하의 거리만큼 이격되는, 디바이스 제작 방법
20 20
제 13 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 금속 구조물의 두께는 상기 광자의 파장 이하인, 디바이스 제작 방법
21 21
제 13 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 금속 구조물의 두께는 상기 광자의 파장의 1/4 이하인, 디바이스 제작 방법
22 22
제 13 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 금속 구조물은 Ag, Al, Au, Ni, 및 Ti로 필수적으로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 물질로 만들어지는, 디바이스 제작 방법
23 23
제 13 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 금속 구조물을 형성하는 단계는, 상기 신호 생성 유닛의 상기 표면 상에 위치하는 금속 구조물의 배열을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 금속 구조물의 배열은 상기 제 1 및 제 2 금속 구조물을 포함하는, 디바이스 제작 방법
24 24
제 13 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 금속 구조물은 각각 가늘고 긴 금속 구조물인, 디바이스 제작 방법
25 25
제 13 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 금속 구조물은 각각 직사각형의 금속 구조물인, 디바이스 제작 방법
26 26
제 13 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 금속 구조물은 각각 쐐기 모양의 금속 구조물인, 디바이스 제작 방법
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US08247881 US 미국 FAMILY
2 US20100270638 US 미국 FAMILY
3 WO2010126287 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2010270638 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US8247881 US 미국 DOCDBFAMILY
3 WO2010126287 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.