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기판과,상기 기판에 형성되는 소스 및 드레인 영역,상기 소스 영역과 드레인 영역의 사이에 형성되는 채널 영역,상기 채널 영역에 대응되는 기판의 상측에 형성되는 버퍼층,상기 버퍼층의 상측에 형성되는 강유전체층,상기 소스 및 드레인 영역과 강유전체층의 상측에 각각 형성되는 소스 전극, 드레인 전극 및 게이트 전극을 구비하고,상기 버퍼층은 전기석을 포함하는 물질로 구성되는 것을 특징으로 하는 엠에프아이에스형 강유전체 메모리 장치
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제1항에 있어서,상기 버퍼층을 구성하는 물질이 철 또는 영구자석 분말을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 엠에프아이에스형 강유전체 메모리 장치
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3
제1항에 있어서,상기 강유전체층이 무기물 강유전 물질로 구성되는 것을 특징으로 하는 엠에프아이에스형 강유전체 메모리 장치
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4
제3항에 있어서,상기 강유전 물질이 금속을 추가로 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 엠에프아이에스형 강유전체 메모리 장치
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5
제4항에 있어서,상기 금속이 철인 것을 특징으로 하는 엠에프아이에스형 강유전체 메모리 장치
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6
제1항에 있어서,상기 강유전체층이 유기물 강유전 물질로 구성되는 것을 특징으로 하는 엠에프아이에스형 강유전체 메모리 장치
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7
제6항에 있어서,상기 강유전 물질이 금속을 추가로 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 엠에프아이에스형 강유전체 메모리 장치
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8
제7항에 있어서,상기 금속이 철인 것을 특징으로 하는 엠에프아이에스형 강유전체 메모리 장치
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9
제1항에 있어서,상기 강유전체층이 무기물 강유전 물질과 유기물 강유전 물질의 혼합물로 구성되는 것을 특징으로 하는 엠에프아이에스형 강유전체 메모리 장치
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10
제9항에 있어서,상기 강유전 물질이 금속을 추가로 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 엠에프아이에스형 강유전체 메모리 장치
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11
제10항에 있어서,상기 금속이 철인 것을 특징으로 하는 엠에프아이에스형 강유전체 메모리 장치
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12
기판과,상기 기판에 형성되는 소스 및 드레인 영역,상기 소스 영역과 드레인 영역의 사이에 형성되는 채널 영역,상기 채널 영역에 대응되는 기판의 상측에 형성되는 버퍼층,상기 버퍼층의 상측에 형성되는 강유전체층,상기 소스 및 드레인 영역과 강유전체층의 상측에 각각 형성되는 소스 전극, 드레인 전극 및 게이트 전극을 구비하고,상기 버퍼층은 전기석을 포함하는 물질로 구성되는 것을 특징으로 하는 엠에프아이에스형 전계효과 트랜지스터
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13
제12항에 있어서,상기 버퍼층을 구성하는 물질이 철 또는 영구자석 분말을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 엠에프아이에스형 전계효과 트랜지스터
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14
제12항에 있어서,상기 강유전체층이 무기물 강유전 물질, 유기물 강유전 물질, 또는 무기물 강유전 물질과 유기물 강유전 물질의 혼합물 중 적어도 하나를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 엠에프아이에스형 전계효과 트랜지스터
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15
제14항에 있어서,상기 강유전체층이 금속을 추가로 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 엠에프아이에스형 전계효과 트랜지스터
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16
제15항에 있어서,상기 금속이 철인 것을 특징으로 하는 엠에프아이에스형 전계효과 트랜지스터
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반도체 기판을 준비하는 단계와,상기 반도체 기판에 소오스 영역, 드레인 영역 및 채널 영역을 형성하는 단계,상기 채널 영역에 대응하는 반도체 기판의 상측에 전기석을 이용하여 버퍼층을 형성하는 단계,상기 버퍼층의 상측에 강유전체층을 형성하는 단계 및,상기 소오스 영역, 드레인 영역 및 강유전체층의 상측에 각각 전극을 형성하는 단계를 구비하여 구성되는 것을 특징으로 하는 엠에프아이에스형 강유전체 메모리 장치의 제조방법
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18
제17항에 있어서,상기 버퍼층 형성단계는 전기석 분말을 이용하여 타겟을 형성하는 단계와,스터퍼법을 이용하여 반도체 기판의 상측에 버퍼층을 형성하는 단계를 구비하여 구성되는 것을 특징으로 하는 엠에프아이에스형 강유전체 메모리 장치의 제조방법
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19
제17항에 있어서,상기 강유전체층의 형성단계는 무기물 강유전 물질과 유기물 강유전 물질을 혼합하여 혼합 용액을 형성하는 단계와,상기 혼합 용액을 이용하여 강유전체층을 형성하는 단계를 구비하여 구성되는 것을 특징으로 하는 엠에프아이에스형 강유전체 메모리 장치의 제조방법
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제17항에 있어서,상기 강유전체층의 형성단계는 강유전 물질과 금속을 혼합하여 혼합물을 형성하는 단계와,상기 혼합물을 이용하여 강유전체층을 형성하는 단계를 구비하여 구성되는 것을 특징으로 하는 엠에프아이에스형 강유전체 메모리 장치의 제조방법
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반도체 기판을 준비하는 단계와,상기 반도체 기판에 소오스 영역, 드레인 영역 및 채널 영역을 형성하는 단계,상기 채널 영역에 대응하는 반도체 기판의 상측에 전기석과 철 또는 영구자석의 혼합물을 이용하여 버퍼층을 형성하는 단계,상기 버퍼층의 상측에 강유전체층을 형성하는 단계 및,상기 소오스 영역, 드레인 영역 및 강유전체층의 상측에 각각 전극을 형성하는 단계를 구비하여 구성되는 것을 특징으로 하는 엠에프아이에스형 강유전체 메모리 장치의 제조방법
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제21항에 있어서,상기 버퍼층 형성단계는 전기석 분말과 철 또는 영구자석 분말의 혼합물을 이용하여 타겟을 형성하는 단계와,스터퍼법을 이용하여 반도체 기판의 상측에 버퍼층을 형성하는 단계를 구비하여 구성되는 것을 특징으로 하는 엠에프아이에스형 강유전체 메모리 장치의 제조방법
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제21항에 있어서,상기 강유전체층의 형성단계는 무기물 강유전 물질과 유기물 강유전 물질을 혼합하여 혼합 용액을 형성하는 단계와,상기 혼합 용액을 이용하여 강유전체층을 형성하는 단계를 구비하여 구성되는 것을 특징으로 하는 엠에프아이에스형 강유전체 메모리 장치의 제조방법
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제21항에 있어서,상기 강유전체층의 형성단계는 강유전 물질과 금속을 혼합하여 혼합물을 형성하는 단계와,상기 혼합물을 이용하여 강유전체층을 형성하는 단계를 구비하여 구성되는 것을 특징으로 하는 엠에프아이에스형 강유전체 메모리 장치의 제조방법
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반도체 기판을 준비하는 단계와,상기 반도체 기판에 소오스 영역, 드레인 영역 및 채널 영역을 형성하는 단계,상기 채널 영역에 대응하는 반도체 기판의 상측에 전기석을 이용하여 버퍼층을 형성하는 단계,상기 버퍼층의 상측에 강유전체층을 형성하는 단계 및,상기 소오스 영역, 드레인 영역 및 강유전체층의 상측에 각각 전극을 형성하는 단계를 구비하여 구성되는 것을 특징으로 하는 엠에프아이에스형 전계효과 트랜지스터의 제조방법
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반도체 기판을 준비하는 단계와,상기 반도체 기판에 소오스 영역, 드레인 영역 및 채널 영역을 형성하는 단계,상기 채널 영역에 대응하는 반도체 기판의 상측에 전기석과 철 또는 영구자석의 혼합물을 이용하여 버퍼층을 형성하는 단계,상기 버퍼층의 상측에 강유전체층을 형성하는 단계 및,상기 소오스 영역, 드레인 영역 및 강유전체층의 상측에 각각 전극을 형성하는 단계를 구비하여 구성되는 것을 특징으로 하는 엠에프아이에스형 전계효과 트랜지스터의 제조방법
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