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태양전지 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015194845
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 발명은 외부로부터 유입되는 광의 이용 효율을 대폭 향상시킬 수 있도록 된 태본양전지 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 태양전지는 외부 광을 이용하여 광전변환을 실행하는 태양전지에 있어서, 태양전지의 상부 기판상에 형성되는 제1 물질층과, 상기 제1 물질층의 상측에 형성되는 제2 물질층을 구비하여 구성되고, 상기 제1 물질층은 제2 물질층에 비해 물질 밀도가 높은 물질로 구성되는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 31/04 (2014.01)
CPC H01L 31/022466(2013.01) H01L 31/022466(2013.01) H01L 31/022466(2013.01) H01L 31/022466(2013.01) H01L 31/022466(2013.01) H01L 31/022466(2013.01) H01L 31/022466(2013.01)
출원번호/일자 1020110022370 (2011.03.14)
출원인 서울시립대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2012-0104763 (2012.09.24) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.12.15)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울시립대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 동대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박병은 대한민국 서울특별시 양천구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 아이퍼스 대한민국 서울특별시 강남구 삼성로**길*, *층(대치동 삼성빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울시립대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 동대문구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.03.14 수리 (Accepted) 1-1-2011-0183557-72
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.03 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000287-10
3 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2015.04.13 수리 (Accepted) 1-1-2015-0355881-33
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2015.12.15 수리 (Accepted) 1-1-2015-1227348-29
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2016.06.21 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2016.08.10 수리 (Accepted) 9-1-2016-0034994-97
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.10.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0724758-62
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.12.09 수리 (Accepted) 1-1-2016-1208844-19
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.12.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-1208845-54
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.01.17 수리 (Accepted) 4-1-2017-5009116-18
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2017.02.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0124063-77
12 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2017.03.21 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2017-0279083-23
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.03.21 수리 (Accepted) 1-1-2017-0279082-88
14 등록결정서
Decision to Grant Registration
2017.04.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0257353-98
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.09.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5191631-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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외부 광을 이용하여 광전변환을 실행하는 태양전지에 있어서,태양전지의 상부 기판상에 형성됨과 더불어 다층 구조로 이루어지는 제1 물질층; 및 상기 제1 물질층의 상측에 실리콘, 탄소나노튜브(CNT), 및 그래핀 중 적어도 어느 하나의 물질로 형성되며 80% 이상의 광투과율을 갖는 제2 물질층을 포함하되, 상기 제1 물질층은 제2 물질층에 비해 물질 밀도가 높은 물질로 구성되고, 상기 제1 물질층은 상부 기판상에 형성되는 제1 투명전극층; 상기 제 1 투명전극층상에 형성됨과 더불어 산화물 반도체 물질과 금속의 혼합물을 포함하는 물질로 구성되는 제1 도전형의 제1 반도체층;상기 제1 반도체층상에 형성됨과 더불어 산화물 반도체 물질과 금속의 혼합물을 포함하는 물질로 구성되는 제2 도전형의 제2 반도체층; 및,상기 제2 반도체층상에 형성되는 제2 투명전극층을 포함하되, 상기 제2 투명전극층은 도전성 유기물 또는 도전성 유기물과 도전성 무기물의 혼합물로 구성되는 것을 특징으로 하는 태양전지
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상부 기판과, 상부 기판의 하측에 형성된 투명전극층을 구비하는 태양전지의 제조방법에 있어서,상기 상부 기판의 상측에 제1 물질 밀도를 갖는 제1 물질층을 형성하는 단계; 및상기 제1 물질층의 상측에 제1 물질 밀도 보다 낮은 제2 물질 밀도를 갖고, 실리콘, 탄소나노튜브(CNT), 및 그래핀 중 적어도 어느 하나의 물질로 형성되며 80% 이상의 광투과율을 갖는 제2 물질층을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 제1 물질층을 형성하는 단계는상기 상부 기판 상에 제1 투명전극층을 형성하는 단계; 상기 제 1 투명전극층상에 형성됨과 더불어 산화물 반도체 물질과 금속의 혼합물을 포함하는 물질로 구성되는 제1 도전형의 제1 반도체층을 형성하는 단계;상기 제1 반도체층상에 형성됨과 더불어 산화물 반도체 물질과 금속의 혼합물을 포함하는 물질로 구성되는 제2 도전형의 제2 반도체층을 형성하는 단계; 및,상기 제2 반도체층상에 형성되는 제2 투명전극층을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 제2 투명전극층은 도전성 유기물 또는 도전성 유기물과 도전성 무기물의 혼합물로 구성되는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
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