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제 1 장벽층(barrier layer); 상기 제 1 장벽층 상에 위치되는 우물층(well layer); 및 상기 우물층 상에 위치되는 제 2 장벽층을 포함하는 양자 구조(quantum structure); 및상기 양자 구조의 상기 제 1 장벽층, 상기 우물층 및 상기 제 2 장벽층에 인접하고 직접적으로 접촉하여 위치되는 금속층(metal layer)을 포함하는 장치
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제1항에 있어서,상기 양자 구조는 2-6족(Group II-VI) 반도체를 포함하는, 장치
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제2항에 있어서,상기 2-6족 반도체는 육방정계(hexagonal) 구조인, 장치
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제1항에 있어서,상기 우물층은 CdxZn1-xS를 포함하고, x는 0
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제1항에 있어서,상기 제 1 장벽층 및 제 2 장벽층은 ZnS, MgZnS, MgCdZnS, ZnO, MgZnO 및 MgCdZnO로 필수적으로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 반도체를 포함하는, 장치
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6
제1항에 있어서,상기 양자 구조는 100nm보다 작은 폭을 가지고, 상기 금속층은 100nm보다 작은 폭을 가지는, 장치
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7
제1항에 있어서,상기 금속층은 Ag, Al, Au, Ni 및 Ti로 필수적으로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 금속 물질을 포함하는, 장치
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8
제1항에 있어서,상기 제 1 장벽층 아래에 위치되는 제 1 도핑층; 및상기 제 2 장벽층 상에 위치되는 제 2 도핑층을 더 포함하고,상기 금속층은 상기 제 1 도핑층 상에 위치되고, 상기 제 2 도핑층의 측면에 인접하여(laterally adjacent) 위치되는, 장치
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9
제8항에 있어서,상기 제 1 도핑층 아래에 위치되는 기판을 더 포함하는 장치
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제9항에 있어서,상기 기판은 GaAs를 포함하는, 장치
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11
제1항에 있어서,상기 금속층은 상기 양자 구조의 양측에 인접하여 위치되는(laterally adjacent), 장치
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12
제1항에 있어서,상기 우물층은 서브밴드(subband)들 상에 전자들을 가져, 상기 서브밴드들 간의 하나 이상의 전이들이 청색 스펙트럼(blue spectrum)을 갖는 광자에 대응하는, 장치
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삭제
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삭제
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삭제
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제 1 장벽층을 형성하는 단계; 상기 제 1 장벽층 상에 우물층을 형성하는 단계; 및 상기 우물층 상에 제 2 장벽층을 형성하는 단계에 의하여 양자 구조를 형성하는 단계;상기 양자 구조가 미리 정해진 폭을 가질 때까지 상기 양자 구조의 일부를 제거하는 단계; 및상기 양자 구조의 상기 제 1 장벽층, 상기 우물층 및 상기 제 2 장벽층에 인접하고 직접적으로 접촉하여 금속층을 형성하는 단계를 포함하는 방법
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제16항에 있어서,제 1 도핑층을 형성하는 단계; 및상기 제 2 장벽층 상에 제 2 도핑층을 형성하는 단계를 더 포함하고,상기 제 1 장벽층을 형성하는 단계는, 상기 제 1 도핑층 상에 제 1 장벽층을 형성하는 단계를 포함하며,상기 양자 구조의 일부를 제거하는 단계는, 상기 제 2 도핑층이 상기 양자 구조와 동일한 폭을 갖도록, 상기 제 2 도핑층에 대응하는 상기 양자 구조의 일부를 제거하는 단계를 더 포함하고,상기 금속층을 형성하는 단계는, 상기 제 2 도핑층 및 상기 양자 구조의 측면에 인접하여 상기 제 1 도핑층 상에 금속층을 형성하는 단계를 더 포함하는, 방법
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제17항에 있어서,기판을 제공하는 단계를 더 포함하며,상기 제 1 도핑층을 형성하는 단계는, 상기 기판 상에 상기 제 1 도핑층을 형성하는 단계를 포함하는, 방법
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제16항에 있어서,상기 금속층을 형성하는 단계는, 상기 양자 구조의 양측에 인접하여 위치되는 금속층을 형성하는 단계를 포함하는, 방법
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제16항에 있어서,상기 우물층은 서브밴드들 상에 전자들을 가져 상기 서브밴드들 간 하나 이상의 전이들이 청색 스펙트럼을 갖는 광자에 대응하는, 방법
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제16항에 있어서,상기 금속층은 상기 양자 구조의 폭보다 작은 폭을 갖는, 방법
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제 1 장벽층; 상기 제 1 장벽층 상에 위치되는 우물층; 및 상기 우물층 상에 위치되는 제 2 장벽층을 포함하는 양자 구조; 및상기 양자 구조 내 전기적 및 광학적 필드(electrical and optical field)를 집중시키도록 구성된 표면 플라즈몬 도파관(surface plasmon waveguide)을 포함하고, 상기 제 1 장벽층, 상기 우물층 및 상기 제 2 장벽층의 측면에 인접하고 직접적으로 접촉하여 위치되는 금속층을 포함하는 장치
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제22항에 있어서,상기 양자 구조 상에 형성된 도핑층을 더 포함하고,상기 금속층은 상기 양자 구조 상의 상기 도핑층 상에 형성되는, 장치
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제22항에 있어서,상기 제 1 장벽층 아래에 위치된 제 1 도핑층; 및상기 제 2 장벽층 상에 위치된 제 2 도핑층을 더 포함하고,상기 금속층은 상기 제 1 도핑층 상에 위치되고 제 2 도핑층에 인접하는, 장치
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제22항에 있어서, 상기 양자 구조는 2-6족(Group II-VI) 반도체를 포함하는, 장치
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제25항에 있어서,상기 2-6족 반도체는 육방정계(hexagonal) 구조인, 장치
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제22항에 있어서,상기 제 1 장벽층 및 제 2 장벽층은 ZnS, MgZnS, MgCdZnS, ZnO, MgZnO 및 MgCdZnO로 필수적으로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 반도체를 포함하는, 장치
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제 1 장벽층; 상기 제 1 장벽층 상에 위치되는 우물층; 및 상기 우물층 상에 위치되는 제 2 장벽층을 포함하는 양자 구조;상기 양자 구조의 상기 제 1 장벽층, 상기 우물층 및 상기 제 2 장벽층의 양측에 인접하여 위치되고 직접적으로 접촉하여 위치되는 금속층;상기 제 1 장벽층 아래에 위치되는 제 1 도핑층;상기 제 2 장벽층 상에 위치되는 제 2 도핑층; 및상기 제 1 도핑층 아래에 위치되는 기판(substrate)을 포함하고,상기 금속층은 상기 제 1 도핑층 상에 위치되고, 상기 제 2 도핑층에 인접하는, 장치
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제28항에 있어서,상기 제 1 장벽층 및 제 2 장벽층은 ZnS, MgZnS, MgCdZnS, ZnO, MgZnO 및 MgCdZnO로 필수적으로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 반도체를 포함하는, 장치
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