| 1 |
1
광 신호를 지연시키도록 동작 가능한 연결된 비대칭 양자 구속 구조로서,제 1 양자 구속 구조로서, 상기 제 1 양자 구속 구조는 제 1 클래딩 층, 상기 제 1 클래딩 층 상에 형성된 내부 층, 상기 내부 층 상에 형성된 제 2 클래딩 층, 상기 제 1 클래딩 층에 형성된 n+ 영역 및 p+ 영역, 및 상기 제 2 클래딩 층 상에 형성된 제 1 게이트 전극을 포함하고, 상기 내부 층 및 상기 제 1 게이트 전극으로 전하 운반자들을 주입하는 상기 n+ 영역 및 p+ 영역은 제 1 게이트 전압을 전달하도록 구성되는, 상기 제 1 양자 구속 구조; 및 상기 제 1 양자 구속 구조와 직렬로 연결된 제 2 양자 구속 구조로서, 상기 제 2 양자 구속 구조는 제 1 클래딩 층, 상기 제 1 클래딩 층 상에 형성된 내부 층, 상기 내부 층 상에 형성된 제 2 클래딩 층, 상기 제 1 클래딩 층에 형성된 n+ 영역 및 p+ 영역, 및 상기 제 2 클래딩 층 상에 형성된 제 2 게이트 전극을 포함하고, 상기 내부 층 및 상기 제 2 게이트 전극으로 전하 운반자들을 주입하는 상기 n+ 영역 및 p+ 영역은 제 2 게이트 전압을 전달하도록 구성되고, 상기 제 2 양자 구속 구조는 상기 제 1 양자 구속 구조와 비교하여 적어도 하나의 비대칭 물리적 치수를 포함하는, 상기 제 2 양자 구속 구조를 포함하고, 연결된 상기 제 1 양자 구속 구조 및 상기 제 2 양자 구속 구조는, 상기 제 1 게이트 전압에 응답하여 상기 제 1 양자 구속 구조에서 또는 상기 제 2 게이트 전압에 응답하여 상기 제 2 양자 구속 구조에서, 상기 광 신호의 양자 구속에 의해 상기 광 신호를 지연시키는, 연결된 비대칭 양자 구속 구조
|
| 2 |
2
제 1 항에 있어서, 상기 제 1 양자 구속 구조와 직렬로 연결된 하나 이상의 추가적인 양자 구속 구조들을 더 포함하는, 연결된 비대칭 양자 구속 구조
|
| 3 |
3
제 1 항에 있어서, 상기 제 1 양자 구속 구조 및 상기 제 2 양자 구속 구조는 3개 레벨 에너지 상태 시스템들을 포함하는, 연결된 비대칭 양자 구속 구조
|
| 4 |
4
제 1 항에 있어서, 상기 비대칭 물리적 치수는 상기 광신호의 지연에 영향을 미치는, 연결된 비대칭 양자 구속 구조
|
| 5 |
5
제 1 항에 있어서, 상기 제 2 양자 구속 구조는 상기 제 1 양자 구속 구조와 비교하여 적어도 하나의 비대칭 반도체 재료를 포함하는, 연결된 비대칭 양자 구속 구조
|
| 6 |
6
제 1 항에 있어서, 상기 제 2 양자 구속 구조는 상기 제 1 양자 구속 구조와 비교하여 적어도 하나의 비대칭 반도체 재료를 포함하고, 상기 비대칭 반도체 재료는 상기 광신호의 지연에 영향을 미치는, 연결된 비대칭 양자 구속 구조
|
| 7 |
7
제 1 항에 있어서, 상기 제 1 양자 구속 구조 및 상기 제 2 양자 구속 구조는, 제 1 양자 우물 및 제 2 양자 우물, 제 1 양자 선 및 제 2 양자 선, 또는 제 1 양자 점 및 제 2 양자 점 중에서 하나를 포함하는, 연결된 비대칭 양자 구속 구조
|
| 8 |
8
삭제
|
| 9 |
9
삭제
|
| 10 |
10
삭제
|
| 11 |
11
삭제
|
| 12 |
12
삭제
|
| 13 |
13
삭제
|
| 14 |
14
삭제
|
| 15 |
15
삭제
|
| 16 |
16
삭제
|
| 17 |
17
삭제
|
| 18 |
18
삭제
|
| 19 |
19
삭제
|
| 20 |
20
삭제
|
| 21 |
21
제 1 항에 있어서,상기 제 2 게이트 전압은 상기 제 1 게이트 전압에 비해 비대칭이고,상기 비대칭 게이트 전압은 상기 광 신호의 지연에 영향을 미치는, 연결된 비대칭 양자 구속 구조
|
| 22 |
22
제 4 항에 있어서,상기 제 2 양자 구속 구조는 상기 제 1 양자 구속 구조와 비교하여 적어도 하나의 비대칭 반도체 재료를 포함하고,상기 비대칭 반도체 재료는 상기 광신호의 지연에 영향을 미치는, 연결된 비대칭 양자 구속 구조
|
| 23 |
23
광 신호를 지연시키도록 동작 가능한 연결된 비대칭 양자 구속 구조로서,제 1 양자 구속 구조로서, 상기 제 1 양자 구속 구조는 제 1 클래딩 층, 상기 제 1 클래딩 층 상에 형성된 내부 층, 상기 내부 층 상에 형성된 제 2 클래딩 층, 상기 제 1 클래딩 층에 형성된 n+ 영역 및 p+ 영역, 및 상기 제 2 클래딩 층 상에 형성된 제 1 게이트 전극을 포함하고, 상기 내부 층 및 상기 제 1 게이트 전극으로 전하 운반자들을 주입하는 상기 n+ 영역 및 p+ 영역은 제 1 게이트 전압을 전달하도록 구성되는, 상기 제 1 양자 구속 구조; 및 상기 제 1 양자 구속 구조와 직렬로 연결된 제 2 양자 구속 구조로서, 상기 제 2 양자 구속 구조는 제 1 클래딩 층, 상기 제 1 클래딩 층 상에 형성된 내부 층, 상기 내부 층 상에 형성된 제 2 클래딩 층, 상기 제 1 클래딩 층에 형성된 n+ 영역 및 p+ 영역, 및 상기 제 2 클래딩 층 상에 형성된 제 2 게이트 전극을 포함하고, 상기 내부 층 및 상기 제 2 게이트 전극으로 전하 운반자들을 주입하는 상기 n+ 영역 및 p+ 영역은 제 2 게이트 전압을 전달하도록 구성되고, 상기 제 2 양자 구속 구조는 상기 제 1 양자 구속 구조와 비교하여 적어도 하나의 비대칭 반도체 재료를 포함하는, 상기 제 2 양자 구속 구조를 포함하고, 연결된 상기 제 1 양자 구속 구조 및 상기 제 2 양자 구속 구조는, 상기 제 1 게이트 전압에 응답하여 상기 제 1 양자 구속 구조에서 또는 상기 제 2 게이트 전압에 응답하여 상기 제 2 양자 구속 구조에서, 상기 광 신호의 양자 구속에 의해 상기 광 신호를 지연시키는, 연결된 비대칭 양자 구속 구조
|
| 24 |
24
제 23 항에 있어서, 상기 제 1 양자 구속 구조와 직렬로 연결된 하나 이상의 추가적인 양자 구속 구조들을 더 포함하는, 연결된 비대칭 양자 구속 구조
|
| 25 |
25
제 23 항에 있어서, 상기 제 1 양자 구속 구조 및 상기 제 2 양자 구속 구조는 3개 레벨 에너지 상태 시스템들을 포함하는, 연결된 비대칭 양자 구속 구조
|
| 26 |
26
제 23 항에 있어서, 상기 비대칭 반도체 재료는 상기 광신호의 지연에 영향을 미치는, 연결된 비대칭 양자 구속 구조
|
| 27 |
27
제 23 항에 있어서,상기 제 2 게이트 전압은 상기 제 1 게이트 전압에 비해 비대칭이고,상기 비대칭 게이트 전압은 상기 광 신호의 지연에 영향을 미치는, 연결된 비대칭 양자 구속 구조
|
| 28 |
28
제 23 항에 있어서, 상기 제 1 양자 구속 구조 및 상기 제 2 양자 구속 구조는, 제 1 양자 우물 및 제 2 양자 우물, 제 1 양자 선 및 제 2 양자 선, 또는 제 1 양자 점 및 제 2 양자 점 중에서 하나를 포함하는, 연결된 비대칭 양자 구속 구조
|
| 29 |
29
광 신호를 지연시키도록 동작 가능한 연결된 비대칭 양자 구속 구조로서,제 1 양자 구속 구조로서, 상기 제 1 양자 구속 구조는 제 1 클래딩 층, 상기 제 1 클래딩 층 상에 형성된 내부 층, 상기 내부 층 상에 형성된 제 2 클래딩 층, 상기 제 1 클래딩 층에 형성된 n+ 영역 및 p+ 영역, 및 상기 제 2 클래딩 층 상에 형성된 제 1 게이트 전극을 포함하고, 상기 내부 층 및 상기 제 1 게이트 전극으로 전하 운반자들을 주입하는 상기 n+ 영역 및 p+ 영역은 제 1 게이트 전압을 전달하도록 구성되는, 상기 제 1 양자 구속 구조; 및 제 2 양자 구속 구조로서, 상기 제 2 양자 구속 구조는 제 1 클래딩 층, 상기 제 1 클래딩 층 상에 형성된 내부 층, 상기 내부 층 상에 형성된 제 2 클래딩 층, 상기 제 1 클래딩 층에 형성된 n+ 영역 및 p+ 영역, 및 상기 제 2 클래딩 층 상에 형성된 제 2 게이트 전극을 포함하고, 상기 내부 층 및 상기 제 2 게이트 전극으로 전하 운반자들을 주입하는 상기 n+ 영역 및 p+ 영역은 제 2 게이트 전압을 전달하도록 구성되고, 상기 제 2 양자 구속 구조는 상기 제 1 양자 구속 구조와 직렬로 연결되고, 상기 제 2 게이트 전압은 상기 제 1 게이트 전압에 비해 비대칭인, 상기 제 2 양자 구속 구조를 포함하고, 연결된 상기 제 1 양자 구속 구조 및 상기 제 2 양자 구속 구조는, 상기 제 1 게이트 전압에 응답하여 상기 제 1 양자 구속 구조에서 또는 상기 제 2 게이트 전압에 응답하여 상기 제 2 양자 구속 구조에서, 상기 광 신호의 양자 구속에 의해 상기 광 신호를 지연시키는, 연결된 비대칭 양자 구속 구조
|
| 30 |
30
제 29 항에 있어서, 상기 제 1 양자 구속 구조와 직렬로 연결된 하나 이상의 추가적인 양자 구속 구조들을 더 포함하는, 연결된 비대칭 양자 구속 구조
|
| 31 |
31
제 29 항에 있어서, 상기 제 1 양자 구속 구조 및 상기 제 2 양자 구속 구조는 3개 레벨 에너지 상태 시스템들을 포함하는, 연결된 비대칭 양자 구속 구조
|
| 32 |
32
제 29 항에 있어서, 상기 비대칭 게이트 전압은 상기 광신호의 지연에 영향을 미치는, 연결된 비대칭 양자 구속 구조
|
