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제1 레이저 빔에 의해 여기되어 테라헤르츠 전자기파를 방사하는 발생부;상기 발생부가 방사한 상기 테라헤르츠 전자기파를 상방의 대상체로 반사시키는 제1 반사부;상기 제1 반사부의 상부에 설치되어 하방의 상기 대상체를 투과한 테라헤르츠 전자기파를 반사시키는 제2 반사부; 및제2 레이저 빔 및 상기 제2 반사부에 의해 반사된 테라헤르츠 전자기파를 기초로 이미징을 위한 전기적 신호를 생성하는 검출부를 포함하되,상기 제2 반사부는, 하방의 상기 대상체를 투과한 테라헤르츠 전자기파를 상기 검출부 방향으로 반사시키는 반사면; 및 상기 제2 레이저 빔의 진행 경로 상에 위치하여, 상기 제2 레이저 빔을 통과시키는 쓰루홀을 포함하는 것을 특징으로 하는 성분 분석 장치
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제1항에 있어서,상기 쓰루홀은 상기 제2 레이저 빔이 입사되는 입사면에서부터 상기 반사면까지 연장되며, 상기 쓰루홀의 길이 방향은 상기 제2 레이저 빔의 진행 방향에 일치하는 것을 특징으로 하는 성분 분석 장치
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제1항에 있어서,상기 제1 반사부의 반사면은 상기 제2 반사부의 반사면에 대향하도록 설치되는 것을 특징으로 하는 성분 분석 장치
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제3항에 있어서,상기 제1 반사부 및 상기 제2 반사부 사이에 설치되며, 상기 대상체가 상기 제1 반사부의 반사면과 상기 제2 반사부의 반사면의 사이에 위치하도록 상기 대상체를 일정 방향으로 이동시키는 컨베이어를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 성분 분석 장치
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제1항에 있어서,상기 제1 반사부와 대향하도록 설치되어 상기 테라헤르츠 전자기파를 상기 제1 반사부로 반사시키는 제3 반사부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 성분 분석 장치
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제5항에 있어서,상기 제1 반사부의 반사면은 상기 제3 반사부의 반사면에 대향하도록 설치되는 것을 특징으로 하는 성분 분석 장치
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제6항에 있어서,상기 제2 반사부와 대향하도록 설치되어 상기 테라헤르츠 전자기파를 상기 제2 반사부로 반사시키는 제4 반사부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 성분 분석 장치
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제7항에 있어서,상기 제2 반사부의 반사면은 상기 제4 반사부의 반사면에 대향하도록 설치되는 것을 특징으로 하는 성분 분석 장치
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제8항에 있어서,상기 제1 반사부의 반사면은 상기 제4 반사부의 반사면에 대향하도록 설치되는 것을 특징으로 하는 성분 분석 장치
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제1항에 있어서,레이저 빔을 생성하는 광원; 및 상기 광원으로부터 생성된 상기 레이저 빔을 상기 제1 레이저 빔 및 상기 제2 레이저 빔으로 분리하여 상기 발생부 및 상기 제2 반사부로 입사시키는 광 스플리터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 성분 분석 장치
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제1항에 있어서,상기 검출부가 생성한 전기적 신호 및 기준 신호를 비교하여 상기 대상체의 성분을 분석하는 제어부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 성분 분석 장치
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