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성형 대상체와 대응되는 형상으로 수지 원본을 제작하는 단계;30∼200℃ 범위의 저온 분위기에서 상기 수지 원본의 표면에 확산 방지층을 형성하는 단계;상기 확산 방지층이 형성된 상기 수지 원본을 이용하여 수지 몰드를 제작하는 단계;상기 수지 몰드를 경화시키는 단계; 및 상기 수지 몰드에서 상기 수지 원본을 제거하는 단계를 포함하며,상기 확산 방지층 형성 단계는,상기 수지 원본의 형상이 계면에서 반응하지 않고 그대로 전사되도록 하기 위해 상기 수지 원본과 상기 몰드 간의 상호확산을 방지하면서, 상기 몰드에서 수지 원본의 분리를 용이하게 하기 위해 수행되는 수지 원본용 저온코팅을 이용한 사출 몰드 제작 방법
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제1항에 있어서,상기 수지 원본 제작 단계에서의 상기 수지 원본은 광경화성 수지, 유기물 구성 수지 및 왁스 중 어느 하나로 제작되는 수지 원본용 저온코팅을 이용한 사출 몰드 제작 방법
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제1항에 있어서,상기 확산 방지층 형성 단계는 원자층 증착기에 의해 수행되는 수지 원본용 저온코팅을 이용한 사출 몰드 제작 방법
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제4항에 있어서,상기 확산 방지층은 무전해도금을 통하여 산화가 방지되는 백금족, 금, 은을 포함하는 귀금속 도금 방법으로 수행되는 수지 원본용 저온코팅을 이용한 사출 몰드 제작 방법
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제4항에 있어서,상기 확산 방지층은 저온에서 구현 가능한 ZnO, TiO2, SiO2, RuO2, TiN을 포함하는 산화물과 질화물 및 Ru, Pt, Pd, Au을 포함하는 귀금속 층 중 어느 하나인 수지 원본용 저온코팅을 이용한 사출 몰드 제작 방법
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대상체의 표면에 ZnO 박막을 형성하는 코팅 방법에 있어서,상기 대상체가 구비된 챔버(chamber) 내부에 Zn 소스를 주입시켜 상기 대상체의 표면과 반응시키는 단계; 상기 대상체가 구비된 상기 챔버 내부에 N2 가스를 주입시켜 챔버 반응 후 잔류하는 Zn 소스를 제거하도록 하며, 후에 주입되는 H2O와 반응하여 박막의 순도를 저하시키는 것을 방지하기 위해 제1 퍼지를 실시하는 단계;상기 제1 퍼지를 실시한 상기 대상체의 표면을 상기 챔버에 H2O 소스를 주입시켜 반응시키는 단계; 및 상기 챔버 내부에 N2 가스를 주입시켜 챔버 반응 후 잔류하는 H2O 소스를 제거하도록 제2 퍼지를 실시하는 단계를 포함하며,상기 Zn 소스, H2O 소스 및 질소(N2) 가스를 시분할로 주입하여 소스 간의 기상반응을 제거하고 표면에서 제한된 반응을 유도함으로써, 기상반응으로 인한 입자의 발생이 억제되되, 상기 단계들을 거친 원자층 증착(ALD)에 의해 확산 방지층인 ZnO 박막이 성형 대상체와 대응되는 형상으로 형성된 수지 원본의 표면에 형성되는 수지 원본용 저온코팅 방법
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제7항에 있어서,상기 ZnO 박막의 코팅시 사용되는 전구체는 아연디에틸(DEZn)이고, 반응기체는 H2O인 수지 원본용 저온코팅 방법
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제7항에 있어서,상기 Zn 소스와 상기 대상체의 표면과의 반응 단계 및 상기 H2O 소스와 상기 대상체의 표면과의 반응 단계에서 반응 물질의 주입은 0
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