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제1 광전변환부; 및상기 제1 광전변환부 상부에 배치되고, 상기 제1 광전변환부보다 큰 밴드갭을 갖는 I-VII족 반도체층들을 포함하는 제2 광전변환부를 포함하고,상기 제2 광전변환부는,상기 제1 광전변환부 상부에 배치되고, CuClxBryI(1-x-y)를 포함하는 N형 I-VII족 반도체층(0
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제1항에 있어서,상기 제1 광전변환부와 상기 제2 광전변환부 사이에, CuClxBryI(1-x-y)를 포함하는 I-VII족 터널 정션(tunel junction)층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광기전력 소자(0
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제1항에 있어서,상기 제1 광전변환부는,실리콘 기판에 형성된 N형 실리콘층; 및상기 N형 실리콘층 상부에 형성된 P형 실리콘층을 포함하는 것을 특징으로 하는 광기전력 소자
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제4항에 있어서,상기 제1 광전변환부는,상기 P형 실리콘층 상부에 형성된 N형 아몰퍼스 실리콘층; 및상기 N형 아몰퍼스 실리콘층 상부에 형성된 P형 아몰퍼스 실리콘층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광기전력 소자
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제5항에 있어서,상기 제1 광전변환부는,상기 P형 실리콘층과 상기 N형 아폴퍼스 실리콘층 사이에 아몰퍼스 실리콘 터널 정션층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광기전력 소자
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제4항에 있어서,노출된 상기 N형 실리콘층 상부에 형성된 N형 전극; 및상기 P형 I-VII족 반도체층 상부에 형성된 P형 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광기전력 소자
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제1항에 있어서,상기 제1 광전변환부는,실리콘 기판에 형성된 N형 실리콘층;상기 N형 실리콘층 상부에 형성된 진성 실리콘층; 및상기 진성 실리콘층 상부에 형성된 P형 실리콘층을 포함하는 것을 특징으로 하는 광기전력 소자
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제8항에 있어서,상기 진성 실리콘층은,아몰러스 실리콘층 및 미세결정질 실리콘층이 교대로 적층된 것을 특징으로 하는 광기전력 소자
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