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태양전지

  • 기술번호 : KST2015194952
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 광전변환 효율이 높은 실리콘 태양전지에 관한 것이다. 본 발명에 따른 태양전지는 외부로부터 입사되는 광을 전기로 변환하는 태양전지에 있어서, 기판과, 상기 기판의 상측에 형성되는 하부 전극, 상기 기판의 상측과 하부 전극의 외측 부분에 형성되는 강유전체층, 상기 강유전체층의 상측에 형성되는 보조 전극, 상기 하부 전극과 보조 전극의 상측에 형성되는 제1 도전형 반도체층, 상기 제1 도전형의 상측에 형성됨과 더불어 제1 도전형과 반대 도전형인 제2 도전형의 반도체로 구성되는 제2 도전형 반도체층 및, 투명한 재질의 도전성 재질로 구성됨과 더불어 상기 제2 도전형 반도체층의 상측에 형성되는 상부 전극을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 31/068 (2006.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC
출원번호/일자 1020130096549 (2013.08.14)
출원인 서울시립대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1418687-0000 (2014.07.04)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20140711) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.08.14)
심사청구항수 18

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울시립대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 동대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박병은 대한민국 서울특별시 양천구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 홍성훈 대한민국 전라북도 전주시 덕진구 안덕원로 **, *층 ***호(진북동,오피스밸리)(드림인국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울시립대학교 산학협력단 서울특별시 동대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.08.14 수리 (Accepted) 1-1-2013-0738591-56
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.03 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000287-10
3 등록결정서
Decision to grant
2014.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0378823-91
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.01.17 수리 (Accepted) 4-1-2017-5009116-18
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.09.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5191631-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
외부로부터 입사되는 광을 전기로 변환하는 태양전지에 있어서,기판과,상기 기판의 상측에 형성되는 하부 전극,상기 기판의 상측과 하부 전극의 외측 부분에 형성되는 강유전체층,상기 강유전체층의 상측에 형성되는 보조 전극,상기 하부 전극과 보조 전극의 상측에 형성되는 제1 도전형 반도체층,상기 제1 도전형의 상측에 형성됨과 더불어 제1 도전형과 반대 도전형인 제2 도전형의 반도체로 구성되는 제2 도전형 반도체층 및,투명한 재질의 도전성 재질로 구성됨과 더불어 상기 제2 도전형 반도체층의 상측에 형성되는 상부 전극을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 태양전지
2 2
제1항에 있어서,상기 강유전체층이 보조 전극을 피복하면서 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지
3 3
제1항에 있어서,상기 강유전체층은 무기물 강유전 물질 또는 무기물 강유전 물질과 유기물 강유전 물질의 혼합물질 또는 유기물 강유전 물질로 구성되는 것을 특징으로 하는 태양전지
4 4
제3항에 있어서,상기 강유전 물질에 금속 물질이 혼합되는 것을 특징으로 하는 태양전지
5 5
제1항에 있어서,상기 강유전체층은 상부 전극과 보조 전극에 의해 분극화 되는 것을 특징으로 하는 태양전지
6 6
외부로부터 입사되는 광을 전기로 변환하는 태양전지에 있어서,기판과,상기 기판의 상측에 형성되는 강유전체층,상기 기판의 상측과 강유전체층의 외측 부분에 형성되는 하부 전극,상기 강유전체층의 상측에 형성되는 보조 전극,상기 하부 전극과 보조 전극의 상측에 형성되는 제1 도전형 반도체층,상기 제1 도전형의 상측에 형성됨과 더불어 제1 도전형과 반대 도전형인 제2 도전형의 반도체로 구성되는 제2 도전형 반도체층 및,투명한 재질의 도전성 재질로 구성됨과 더불어 상기 제2 도전형 반도체층의 상측에 형성되는 상부 전극을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 태양전지
7 7
제6항에 있어서,상기 강유전체층이 보조 전극을 피복하면서 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지
8 8
제6항에 있어서,상기 강유전체층은 무기물 강유전 물질 또는 무기물 강유전 물질과 유기물 강유전 물질의 혼합물질 또는 유기물 강유전 물질로 구성되는 것을 특징으로 하는 태양전지
9 9
제6항에 있어서,상기 강유전 물질에 금속 물질이 혼합되는 것을 특징으로 하는 태양전지
10 10
제1항에 있어서,상기 강유전체층은 상부 전극과 보조 전극에 의해 분극화 되는 것을 특징으로 하는 태양전지
11 11
외부로부터 입사되는 광을 전기로 변환하는 태양전지에 있어서,기판과,상기 기판의 상측에 형성되는 하부 전극,상기 하부 전극의 상측에 형성되는 제1 도전형 반도체층,상기 제1 도전형의 상측에 형성됨과 더불어 제1 도전형과 반대 도전형인 제2 도전형의 반도체로 구성되는 제2 도전형 반도체층,투명한 재질의 도전성 재질로 구성됨과 더불어 상기 제2 도전형 반도체층의 상측에 형성되는 상부 전극,상기 제2 도전형 반도체층의 상측에 형성됨과 더불어 상기 상부 전극의 외측에 형성되는 강유전체층 및,상기 강유전체층의 상측에 형성되는 보조 전극을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 태양전지
12 12
제11항에 있어서,상기 강유전체층은 무기물 강유전 물질 또는 무기물 강유전 물질과 유기물 강유전 물질의 혼합물질 또는 유기물 강유전 물질로 구성되는 것을 특징으로 하는 태양전지
13 13
제12항에 있어서,상기 강유전 물질에 금속 물질이 혼합되는 것을 특징으로 하는 태양전지
14 14
제11항에 있어서,상기 강유전체층은 하부 전극과 보조 전극에 의해 분극화 되는 것을 특징으로 하는 태양전지
15 15
외부로부터 입사되는 광을 전기로 변환하는 태양전지에 있어서,기판과,상기 기판의 상측에 형성되는 하부 전극,상기 하부 전극의 상측에 형성되는 제1 도전형 반도체층,상기 제1 도전형의 상측에 형성됨과 더불어 제1 도전형과 반대 도전형인 제2 도전형의 반도체로 구성되는 제2 도전형 반도체층,상기 제2 도전형 반도체층의 상측에 형성되는 강유전체층,투명한 재질의 도전성 재질로 구성됨과 더불어 상기 제2 도전형 반도체층의 상측에 형성되고, 상기 강유전체층의 외측에 형성되는 상부 전극 및,상기 강유전체층의 상측에 형성되는 보조 전극을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 태양전지
16 16
제15항에 있어서,상기 강유전체층은 무기물 강유전 물질 또는 무기물 강유전 물질과 유기물 강유전 물질의 혼합물질 또는 유기물 강유전 물질로 구성되는 것을 특징으로 하는 태양전지
17 17
제16항에 있어서,상기 강유전 물질에 금속 물질이 혼합되는 것을 특징으로 하는 태양전지
18 18
제15항에 있어서,상기 강유전체층은 하부 전극과 보조 전극에 의해 분극화 되는 것을 특징으로 하는 태양전지
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN105531830 CN 중국 FAMILY
2 US20160163468 US 미국 FAMILY
3 WO2015023096 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
4 WO2015023096 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN105531830 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 CN105531830 CN 중국 DOCDBFAMILY
3 US2016163468 US 미국 DOCDBFAMILY
4 WO2015023096 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
5 WO2015023096 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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