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적어도 피검사체를 수용하는 챔버;상기 챔버에 수용된 상기 피검사체에 테라헤르츠 전자기파를 조사하는 테라헤르츠 조사부;상기 챔버에 수용된 상기 피검사체로부터 반사된 테라헤르츠 전자기파를 검출하여 전기적 신호를 생성하는 테라헤르츠 검출부;상기 테라헤르츠 검출부가 생성한 상기 전기적 신호를 기초로 이미지를 생성하는 제어부; 및상기 제어부의 제어에 따라 상기 챔버 내의 온도를 조절하는 온도 조절부;를 포함하고, 상기 제어부는 기준 피검사체로부터 반사된 테라헤르츠 전자기파에 기초하여 테라헤르츠 검출부가 생성한 기준 신호를 상기 전기적 신호와 비교하여 상기 이미지를 생성하는 테라헤르츠 검사 장치
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제1항에 있어서,상기 챔버는 상기 테라헤르츠 조사부 및 상기 테라헤르츠 검출부를 수용하는 테라헤르츠 검사 장치
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제1항에 있어서,상기 챔버 내에 설치되며 상기 피검사체를 재치(載置)하는 수평 이동 가능한 플레이트를 더 포함하는 테라헤르츠 검사 장치
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제1항에 있어서,상기 테라헤르츠 조사부는레이저 빔을 생성하는 레이저 광원; 및상기 레이저 빔에 의해 여기되어 테라헤르츠 전자기파를 생성하는 테라헤르츠 생성부를 포함하는 테라헤르츠 검사 장치
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제4항에 있어서,상기 테라헤르츠 생성부는 비화인듐(InAs) 반도체를 포함하는 테라헤르츠 검사 장치
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제1항에 있어서,상기 테라헤르츠 검출부는 저온 비화갈륨(LT-GaAs) 반도체를 포함하는 테라헤르츠 검사 장치
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제6항에 있어서,상기 테라헤르츠 검출부는 상기 저온 비화갈륨 반도체 상에 구비된 스트립 라인을 더 포함하는 테라헤르츠 검사 장치
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삭제
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제1항에 있어서,상기 기준 피검사체는 알루미늄 필름을 포함하는 테라헤르츠 검사 장치
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제1항에 있어서,상기 온도 조절부는 상기 제어부의 제어에 따라 상기 챔버 내로 냉매를 주입하여 상기 챔버 내의 온도를 조절하는 테라헤르츠 검사 장치
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(a) 피검사체를 챔버 내에 재치하는 단계;(b) 상기 챔버 내의 온도를 상온보다 낮은 온도로 조절하는 단계;(c) 상기 챔버 내에 재치된 상기 피검사체에 테라헤르츠 전자기파를 조사하는 단계;(d) 상기 챔버 내에 재치된 상기 피검사체로부터 반사된 테라헤르츠 전자기파에 기초하여 전기적 신호를 생성하는 단계; 및(e) 상기 전기적 신호를 기준 신호와 비교하여 이미지를 생성하는 단계를 포함하는 테라헤르츠 검사 방법
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제11항에 있어서,상기 온도는 0℃ 이하인 테라헤르츠 검사 방법
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제12항에 있어서,상기 온도는 -20℃인 테라헤르츠 검사 방법
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제11항에 있어서,상기 (b) 단계는 상기 챔버 내에 냉매를 주입하는 단계를 포함하는 테라헤르츠 검사 방법
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제12항에 있어서,상기 (c) 단계는(c-1) 레이저 빔에 의해 테라헤르츠 생성 소자를 여기하는 단계; 및(c-2) 상기 테라헤르츠 생성 소자에 의하여 생성된 테라헤르츠 전자기파를 상기 피검사체에 송출하는 단계를 포함하는 테라헤르츠 검사 방법
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제15항에 있어서,상기 테라헤르츠 생성 소자는 비화인듐(InAs) 반도체를 포함하는 테라헤르츠 검사 방법
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제11항에 있어서,상기 (e) 단계는(e-1) 기준 피검사체에 테라헤르츠 전자기파를 조사하는 단계; 및(e-2) 상기 기준 피검사체로부터 반사된 테라헤르츠 전자기파에 기초하여 상기 기준 신호를 생성하는 단계를 포함하는 테라헤르츠 검사 방법
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제17항에 있어서,상기 기준 피검사체는 알루미늄 필름을 포함하는 테라헤르츠 검사 방법
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