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게이트 구동 회로, 스위치 장치 및 이를 갖는 전원 공급 장치

  • 기술번호 : KST2015194971
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 데드 타임 제어가 필요없는 클래스 B 증폭기 구조의 게이트 구동 회로, 스위칭 장치 및 이를 갖는 전원 공급 장치에 관한 것으로, 사전에 설정된 하이 레벨과 로우 레벨의 신호 레벨을 갖는 입력 신호를 입력받고, 상기 입력 신호가 하이 레벨인 경우 턴 온하는 제1 N MOS FET와, 상기 입력 신호가 로우 레벨인 경우 턴 온하는 제1 P MOS FET를 가지며, 상기 제1 N MOS FET 및 상기 제1 P MOS FET의 턴 온에 의해 바이어스 전원을 공급하는 바이어스부; 및 상기 입력 신호가 하이 레벨인 경우 상기 제1 N MOS FET로부터 바이어스 전원을 공급받아 턴 온하는 제2 N MOS FET와, 상기 입력 신호가 로우 레벨인 경우 턴 온하는 제1 P MOS FET로부터 바이어스 전원을 공급받아 턴 온하는 제2 P MOS FET를 구비하여, 상기 제2 N MOS FET와 상기 제2 P MOS FET의 턴 온에 따라 게이트 신호를 제공하는 증폭부를 포함하는 게이트 구동 회로, 스위칭 장치 및 이를 갖는 전원 공급 장치를 제안한다.
Int. CL H03K 17/56 (2006.01.01) H02M 1/08 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020130131617 (2013.10.31)
출원인 서울시립대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2015-0050777 (2015.05.11) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.10.08)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울시립대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 동대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 차상현 대한민국 경기 수원시 영통구
2 박득희 대한민국 경기 수원시 영통구
3 이연중 대한민국 경기 수원시 영통구
4 최중호 대한민국 경기도 성남시 분당구
5 유제현 대한민국 경기 수원시 영통구
6 류현선 대한민국 경기 성남시 분당구
7 이창석 대한민국 경기 수원시 영통구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 신지 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층 ***호실(역삼동, 청원빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울시립대학교 산학협력단 서울특별시 동대문구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.10.31 수리 (Accepted) 1-1-2013-0993172-09
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.03 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000287-10
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5050935-32
4 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2015.07.03 수리 (Accepted) 1-1-2015-0647579-75
5 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2015.09.10 수리 (Accepted) 1-1-2015-0881758-74
6 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status		 2016.07.06 수리 (Accepted) 1-1-2016-0655163-63
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.01.17 수리 (Accepted) 4-1-2017-5009116-18
8 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2018.10.08 수리 (Accepted) 1-1-2018-0988905-24
9 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2018.12.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
10 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2019.02.14 수리 (Accepted) 9-1-2019-0007342-20
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2019.06.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0437728-52
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2019.08.19 수리 (Accepted) 1-1-2019-0847277-76
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2019.08.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0847278-11
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.09.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5191631-69
15 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2019.12.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0918819-13
16 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2020.02.17 수리 (Accepted) 1-1-2020-0164510-58
17 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2020.02.17 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2020-0164509-12
18 등록결정서
Decision to grant		 2020.05.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0359251-92
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
사전에 설정된 정전류를 제공하는 복수의 정전류원을 갖는 정전류원부와;사전에 설정된 하이 레벨과 로우 레벨의 신호 레벨을 갖는 입력 신호를 입력받고, 상기 입력 신호가 하이 레벨인 경우 턴 온하는 제1 N MOS FET와, 상기 입력 신호가 로우 레벨인 경우 턴 온하는 제1 P MOS FET를 가지며, 상기 제1 N MOS FET 및 상기 제1 P MOS FET의 턴 온에 의해 바이어스 전원을 공급하는 바이어스부; 및상기 입력 신호가 하이 레벨인 경우 상기 제1 N MOS FET로부터 바이어스 전원을 공급받아 턴 온하는 제2 N MOS FET와, 상기 입력 신호가 로우 레벨인 경우 턴 온하는 제1 P MOS FET로부터 바이어스 전원을 공급받아 턴 온하는 제2 P MOS FET를 구비하여, 상기 제2 N MOS FET와 상기 제2 P MOS FET의 턴 온에 따라 게이트 신호를 제공하는 증폭부를;포함하되,상기 제1 N MOS FET 및 상기 제1 P MOS FET는 상기 복수의 정전류원 사이에 서로 직렬 연결되고, 상기 제1 N MOS FET의 소스 및 상기 제1 P MOS FET의 소스는 저항을 통해 상기 입력 신호를 전달받으며, 상기 제1 N MOS FET의 게이트 및 상기 제1 P MOS FET의 게이트는 각각 바이어스 전원을 공급하는 게이트 구동 회로
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
제1항에 있어서,상기 제2 N MOS FET 및 상기 제2 P MOS FET는 구동 전원단과 접지 사이에 서로 직렬 연결되고, 상기 제2 N MOS FET의 게이트는 상기 제1 N MOS FET로부터 바이어스 전원을 공급받으며, 상기 제2 P MOS FET의 게이트는 상기 제1 P MOS FET로부터 바이어스 전원을 공급받고, 상기 제2 N MOS FET의 소스와 상기 제2 P MOS FET의 소스는 공통 연결되어 게이트 신호를 출력하는 게이트 구동 회로
5 5
제1항에 있어서,입력 전원의 신호 레벨을 쉬프트하여 상기 저항을 통해 상기 바이어스부의 상기 제1 N MOS FET의 소스 및 상기 제1 P MOS FET의 소스에 각각 전달하는 레벨 쉬프터를 더 포함하는 게이트 구동 회로
6 6
제4항에 있어서,상기 증폭부의 게이트 신호 출력단에 연결되어 외부의 제어 신호에 따라 상기 게이트 신호의 출력 여부를 제어하는 인에이블 스위치를 더 포함하는 게이트 구동 회로
7 7
사전에 설정된 정전류를 제공하는 복수의 정전류원을 갖는 정전류원부와, 사전에 설정된 하이 레벨과 로우 레벨의 신호 레벨을 갖는 입력 신호를 입력받고, 상기 입력 신호가 하이 레벨인 경우 턴 온하는 제1 N MOS FET와, 상기 입력 신호가 로우 레벨인 경우 턴 온하는 제1 P MOS FET를 가지며, 상기 제1 N MOS FET 및 상기 제1 P MOS FET의 턴 온에 의해 바이어스 전원을 공급하는 바이어스부와, 상기 입력 신호가 하이 레벨인 경우 상기 제1 N MOS FET로부터 바이어스 전원을 공급받아 턴 온하는 제2 N MOS FET와, 상기 입력 신호가 로우 레벨인 경우 턴 온하는 제1 P MOS FET로부터 바이어스 전원을 공급받아 턴 온하는 제2 P MOS FET를 구비하여, 상기 제2 N MOS FET와 상기 제2 P MOS FET의 턴 온에 따라 게이트 신호를 제공하는 증폭부를 갖는 게이트 구동 회로; 및상기 게이트 구동 회로로부터의 게이트 신호에 따라 스위칭 온 및 오프하여 사전에 설정된 신호의 전달 경로를 개폐하는 스위치를,포함하되, 상기 제1 N MOS FET 및 상기 제1 P MOS FET는 상기 복수의 정전류원 사이에 서로 직렬 연결되고, 상기 제1 N MOS FET의 소스 및 상기 제1 P MOS FET의 소스는 저항을 통해 상기 입력 신호를 전달받으며, 상기 제1 N MOS FET의 게이트 및 상기 제1 P MOS FET의 게이트는 각각 바이어스 전원을 공급하는 스위치 장치
8 8
삭제
9 9
삭제
10 10
제7항에 있어서,상기 제2 N MOS FET 및 상기 제2 P MOS FET는 구동 전원단과 접지 사이에 서로 직렬 연결되고, 상기 제2 N MOS FET의 게이트는 상기 제1 N MOS FET로부터 바이어스 전원을 공급받으며, 상기 제2 P MOS FET의 게이트는 상기 제1 P MOS FET로부터 바이어스 전원을 공급받고, 상기 제2 N MOS FET의 소스와 상기 제2 P MOS FET의 소스는 공통 연결되어 게이트 신호를 출력하는 스위치 장치
11 11
제7항에 있어서,상기 게이트 구동 회로는 입력 전원의 신호 레벨을 쉬프트하여 상기 저항을 통해 상기 바이어스부의 상기 제1 N MOS FET의 소스 및 상기 제1 P MOS FET의 소스에 각각 전달하는 레벨 쉬프터를 더 포함하는 스위치 장치
12 12
제10항에 있어서,상기 게이트 구동 회로는 상기 증폭부의 게이트 신호 출력단에 연결되어 외부의 제어 신호에 따라 상기 게이트 신호의 출력 여부를 제어하는 인에이블 스위치를 더 포함하는 스위치 장치
13 13
제공되는 게이트 신호에 따라 입력 전원을 스위칭하여 사전에 설정된 직류 전원을 공급하는 전원 공급부; 및사전에 설정된 정전류를 제공하는 복수의 정전류원을 갖는 정전류원부와, 사전에 설정된 하이 레벨과 로우 레벨의 신호 레벨을 갖는 입력 신호를 입력받고, 상기 입력 신호가 하이 레벨인 경우 턴 온하는 제1 N MOS FET와, 상기 입력 신호가 로우 레벨인 경우 턴 온하는 제1 P MOS FET를 가지며, 상기 제1 N MOS FET 및 상기 제1 P MOS FET의 턴 온에 의해 바이어스 전원을 공급하는 바이어스부와, 상기 입력 신호가 하이 레벨인 경우 상기 제1 N MOS FET로부터 바이어스 전원을 공급받아 턴 온하는 제2 N MOS FET와, 상기 입력 신호가 로우 레벨인 경우 턴 온하는 제1 P MOS FET로부터 바이어스 전원을 공급받아 턴 온하는 제2 P MOS FET를 구비하여, 상기 제2 N MOS FET와 상기 제2 P MOS FET의 턴 온에 따라 상기 전원 공급부의 스위칭을 제어하는 게이트 신호를 제공하는 증폭부를 갖는 게이트 구동 회로를 구비하는 제어부를;포함하되,상기 제1 N MOS FET 및 상기 제1 P MOS FET는 상기 복수의 정전류원 사이에 서로 직렬 연결되고, 상기 제1 N MOS FET의 소스 및 상기 제1 P MOS FET의 소스는 저항을 통해 상기 입력 신호를 전달받으며, 상기 제1 N MOS FET의 게이트 및 상기 제1 P MOS FET의 게이트는 각각 바이어스 전원을 공급하는 전원 공급 장치
14 14
제13항에 있어서,상기 전원 공급부는상기 입력 전원을 전달받는 일차 권선과, 상기 일차 권선과 사전에 설정된 권선비를 형성하여 상기 일차권선으로부터 전원을 유기받는 이차 권선과, 상기 일차 권선과 사전에 설정된 권선비를 형성하여 상기 일차 권선으로부터 전원을 유기받아 전원을 상기 제어부에 공급하는 보조 권선을 갖는 트랜스포머; 및상기 제어부로부터의 게이트 신호에 따라 상기 일차 권선으로부터의 입력 전원을 스위칭 온 및 오프하는 스위치를 포함하는 전원 공급 장치
15 15
제14항에 있어서,상기 제어부는 상기 입력 전원의 전압 레벨과, 상기 스위치에 흐르는 전류를 검출한 검출 전압 및 상기 보조 권선으로부터의 구동 전원의 전압 레벨에 기초하여 상기 게이트 구동 회로에 상기 입력 신호를 제공하는 게이트 제어부를 더 포함하는 전원 공급 장치
16 16
삭제
17 17
삭제
18 18
제13항에 있어서,상기 제2 N MOS FET 및 상기 제2 P MOS FET는 구동 전원단과 접지 사이에 서로 직렬 연결되고, 상기 제2 N MOS FET의 게이트는 상기 제1 N MOS FET로부터 바이어스 전원을 공급받으며, 상기 제2 P MOS FET의 게이트는 상기 제1 P MOS FET로부터 바이어스 전원을 공급받고, 상기 제2 N MOS FET의 소스와 상기 제2 P MOS FET의 소스는 공통 연결되어 게이트 신호를 출력하는 전원 공급 장치
19 19
제13항에 있어서,상기 게이트 구동 회로는 상기 입력 전원의 신호 레벨을 쉬프트하여 상기 저항을 통해 상기 바이어스부의 상기 제1 N MOS FET의 소스 및 상기 제1 P MOS FET의 소스에 각각 전달하는 레벨 쉬프터를 더 포함하는 전원 공급 장치
20 20
제13항에 있어서,상기 게이트 구동 회로는 상기 증폭부의 게이트 신호 출력단에 연결되어 외부의 제어 신호에 따라 상기 게이트 신호의 출력 여부를 제어하는 인에이블 스위치를 더 포함하는 전원 공급 장치
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN104600966 CN 중국 FAMILY
2 US09780771 US 미국 FAMILY
3 US20150117065 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN104600966 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 US2015117065 US 미국 DOCDBFAMILY
3 US9780771 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.