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종이 기판을 준비하는 단계와,상기 종이 기판상에 150nm 이상의 두께를 갖는 게이트 전극을 형성하는 단계,상기 게이트 전극상에 절연층을 형성하는 단계,상기 절연층상에 채널형성층을 형성하는 단계 및,상기 채널형성층상에 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 종이를 기판으로 하는 트랜지스터의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 종이 기판을 준비하는 단계는 종이의 평탄도를 증가시키는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 종이를 기판으로 하는 트랜지스터의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 게이트 전극을 형성하는 단계는 도전성 금속을 진공증착하는 방법을 통해 실행되는 것을 특징으로 하는 종이를 기판으로 하는 트랜지스터의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 채널형성층이 유기물 반도체 또는 절연층으로 구성되는 것을 특징으로 하는 종이를 기판으로 하는 트랜지스터의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 절연층이 무기물 강유전 물질, 유기물 강유전 물질, 무기물 강유전 물질과 유기물의 혼합물, 무기물 강유전 물질과 유기물 강유전 물질의 혼합물, 무기물 강유전 물질과 금속의 혼합물 중 적어도 하나를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 트랜지스터의 제조방법
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종이 기판을 준비하는 단계와,상기 종이 기판상에 150nm 이상의 두께로 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계,상기 종이 기판과 소스 및 드레인 전극 상에 채널형성층을 형성하는 단계,상기 채널형성층상에 절연층을 형성하는 단계 및,상기 절연층상에 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 종이를 기판으로 하는 트랜지스터의 제조방법
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제6항에 있어서,상기 종이 기판을 준비하는 단계는 종이의 평탄도를 증가시키는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 종이를 기판으로 하는 트랜지스터의 제조방법
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제6항에 있어서,상기 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계는 도전성 금속을 진공증착하는 방법을 통해 실행되는 것을 특징으로 하는 종이를 기판으로 하는 트랜지스터의 제조방법
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제6항에 있어서,상기 채널형성층이 유기물 반도체 또는 절연층으로 구성되는 것을 특징으로 하는 종이를 기판으로 하는 트랜지스터의 제조방법
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제6항에 있어서,상기 절연층이 무기물 강유전 물질, 유기물 강유전 물질, 무기물 강유전 물질과 유기물의 혼합물, 무기물 강유전 물질과 유기물 강유전 물질의 혼합물, 무기물 강유전 물질과 금속의 혼합물 중 적어도 하나를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 트랜지스터의 제조방법
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종이 기판을 준비하는 단계와,상기 종이의 평탄도를 증가시키는 단계,상기 종이 기판 상에 채널형성층을 형성하는 단계,상기 채널형성층상에 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계,상기 채널형성층상의 소스 및 드레인 전극 사이에 절연층을 형성하는 단계 및,상기 절연층상에 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 종이를 기판으로 하는 트랜지스터의 제조방법
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제11항에 있어서,상기 종이 기판을 준비하는 단계는 종이 조직내에 포함되어 있는 수분 또는 공기를 제거하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 종이를 기판으로 하는 트랜지스터의 제조방법
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제11항에 있어서,상기 채널형성층이 유기물 반도체 또는 절연층으로 구성되는 것을 특징으로 하는 종이를 기판으로 하는 트랜지스터의 제조방법
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제11항에 있어서,상기 절연층이 무기물 강유전 물질, 유기물 강유전 물질, 무기물 강유전 물질과 유기물의 혼합물, 무기물 강유전 물질과 유기물 강유전 물질의 혼합물, 무기물 강유전 물질과 금속의 혼합물 중 적어도 하나를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 트랜지스터의 제조방법
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종이 기판과,상기 종이 기판상에 형성됨과 더불어 150nm 이상의 두께를 갖는 게이트 전극,상기 게이트 전극상에 형성되는 절연층,상기 절연층상에 형성되는 채널형성층 및,상기 채널형성층상에 형성되는 소스 및 드레인 전극을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 종이를 기판으로 하는 트랜지스터
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제15항에 있어서,상기 게이트 전극이 금속을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 종이를 기판으로 하는 트랜지스터
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제15항에 있어서,상기 채널형성층이 유기물 반도체 또는 절연층으로 구성되는 것을 특징으로 하는 종이를 기판으로 하는 트랜지스터
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제15항에 있어서,상기 절연층이 무기물 강유전 물질, 유기물 강유전 물질, 무기물 강유전 물질과 유기물의 혼합물, 무기물 강유전 물질과 유기물 강유전 물질의 혼합물, 무기물 강유전 물질과 금속의 혼합물 중 적어도 하나를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 트랜지스터
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제15항에 있어서,상기 게이트 전극이 도전성 유기물로 구성되는 것을 특징으로 하는 종이를 기판으로 하는 트랜지스터
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제15항에 있어서,상기 종이 기판이 내열성 물질이 코딩된 종이인 것을 특징으로 하는 종이를 기판으로 하는 트랜지스터
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종이 기판과,상기 종이 기판상에 형성됨과 더불어 150nm 이상의 두께를 갖는 소스 및 드레인 전극,상기 소스 및 드레인 전극과 종이 기판상에 전체적으로 형성되는 채널형성층 및,상기 채널형성층상에 형성되는 절연층 및,상기 절연층상에 형성되는 게이트 전극을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 종이를 기판으로 하는 트랜지스터
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제21항에 있어서,상기 소스 및 드레인 전극이 금속을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 종이를 기판으로 하는 트랜지스터
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제21항에 있어서,상기 채널형성층이 유기물 반도체 또는 절연층으로 구성되는 것을 특징으로 하는 종이를 기판으로 하는 트랜지스터
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제21항에 있어서,상기 절연층이 무기물 강유전 물질, 유기물 강유전 물질, 무기물 강유전 물질과 유기물의 혼합물, 무기물 강유전 물질과 유기물 강유전 물질의 혼합물, 무기물 강유전 물질과 금속의 혼합물 중 적어도 하나를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 트랜지스터
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제21항에 있어서,상기 소스 및 드레인 전극이 도전성 유기물로 구성되는 것을 특징으로 하는 종이를 기판으로 하는 트랜지스터
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제21항에 있어서,상기 종이 기판이 내열성 물질이 코딩된 종이인 것을 특징으로 하는 종이를 기판으로 하는 트랜지스터
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종이 기판과,상기 종이 기판상에 형성됨과 더불어 150nm 이상의 두께를 갖는 게이트 전극,상기 게이트 전극상에 형성되는 절연층,상기 게이트 전극의 양측면에 각각 형성되는 소스 및 드레인 전극 및,상기 절연층과 소스 및 드레인 전극 상에 형성되는 채널형성층을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 종이를 기판으로 하는 트랜지스터
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제27항에 있어서,상기 게이트 전극과 소스 및 드레인 전극이 금속을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 종이를 기판으로 하는 트랜지스터
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제27항에 있어서,상기 채널형성층이 유기물 반도체 또는 절연층으로 구성되는 것을 특징으로 하는 종이를 기판으로 하는 트랜지스터
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제27항에 있어서,상기 절연층이 무기물 강유전 물질, 유기물 강유전 물질, 무기물 강유전 물질과 유기물의 혼합물, 무기물 강유전 물질과 유기물 강유전 물질의 혼합물, 무기물 강유전 물질과 금속의 혼합물 중 적어도 하나를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 트랜지스터
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제27항에 있어서,상기 게이트 전극과 소스 및 드레인 전극이 도전성 유기물로 구성되는 것을 특징으로 하는 종이를 기판으로 하는 트랜지스터
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제27항에 있어서,상기 종이 기판이 내열성 물질이 코딩된 종이인 것을 특징으로 하는 종이를 기판으로 하는 트랜지스터
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종이 기판과,상기 종이 기판상에 형성됨과 더불어 알루미늄(Al)으로 구성되는 게이트 전극,상기 게이트 전극의 상측에 형성됨과 더불어 P(VDF-TrFE)로 구성되는 절연층,상기 절연층의 상측에 형성됨과 더불어 P3HT로 구성되는 채널형성층 및,상기 채널형성층의 상측에 형성되는 소스 및 드레인 전극을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 종이를 기판으로 하는 트랜지스터
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