| 1 |
1
강유전체 및 3차원 금속 게이트를 사용한 3차원 구조 트랜지스터의 일함수 분산 결정 장치로서, 상기 장치는 프로그램을 저장하는 저장 수단 및 상기 프로그램을 실행하는 프로세서를 포함하며,상기 프로그램은,상기 3차원 금속 게이트의 치수를 입력받아 상기 3차원 금속 게이트의 환산 면적을 산출하고 상기 3차원 금속 게이트를 형성하는 금속 물질의 성질 정보를 입력받는 제1 인스트럭션;상기 금속 물질의 성질 정보를 기초로 상기 3차원 금속 게이트의 상기 환산 면적 내의 그레인의 총 갯수 및 상기 그레인 각각의 오리엔테이션을 랜덤 생성하는 제2 인스트럭션;상기 제2 인스트럭션에서 랜덤 생성된 상기 그레인의 총 갯수 및 상기 그레인 각각의 오리엔테이션을 기초로 일함수를 산출하는 제3 인스트럭션; 및상기 제2 인스트럭션 및 상기 제3 인스트럭션을 미리 지정된 횟수만큼 반복하여 상기 3차원 구조 트랜지스터의 상기 3차원 금속 게이트의 상기 환산 면적에 대한 일함수 분산을 산출하는 제4 인스트럭션;을 포함하는 3차원 구조 트랜지스터의 일함수 분산 결정 장치
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 3차원 구조 트랜지스터는 FinFET을 포함하는 것이고,상기 치수는 상기 FinFET의 핀(Fin)의 폭(Wfin), 상기 핀의 높이(Hfin), 상기 3차원 금속 게이트의 게이트 길이(Lgate)를 포함하는 것이고,상기 제1 인스트럭션은GA=(Wfin+4×Hfin)×Lgate로부터 상기 환산 면적(GA)를 산출하는 제1-1 인스트럭션을 포함하는 것인 3차원 구조 트랜지스터의 일함수 분산 결정 장치
|
| 3 |
3
제1항에 있어서,상기 제3 인스트럭션은,로부터 상기 일함수를 산출하는 제3-1 인스트럭션;[단, WF는 상기 일함수, n은 상기 그레인이 가질 수 있는 오리엔테이션의 갯수, N은 상기 그레인의 총 갯수, xi는 i번째 오리엔테이션을 가지는 상기 그레인의 갯수, Φxi는 상기 i번째 오리엔테이션에 따른 일함수값을 각각 나타냄]을 포함하는 것인 3차원 구조 트랜지스터의 일함수 분산 결정 장치
|
| 4 |
4
제1항에 있어서,상기 성질 정보는, 상기 금속 물질의 평균 그레인 크기를 포함하는 것이고,상기 제2 인스트럭션은, 상기 평균 그레인 크기의 레일리(Rayleigh) 분포를 기초로 상기 그레인의 총 갯수를 랜덤 생성하는 제2-1 인스트럭션;을 포함하는 것인 3차원 구조 트랜지스터의 일함수 분산 결정 장치
|
| 5 |
5
제1항에 있어서,상기 성질 정보는, 상기 금속 물질의 평균 그레인 크기 및 그레인 오리엔테이션 확률을 포함하는 것이고,상기 제2 인스트럭션은, 상기 평균 그레인 크기의 레일리 분포를 기초로 상기 그레인의 총 갯수를 랜덤 생성하고, 상기 그레인 오리엔테이션 확률을 기초로 상기 그레인 각각의 오리엔테이션을 랜덤 생성하는 제2-2 인스트럭션;을 포함하는 것인 3차원 구조 트랜지스터의 일함수 분산 결정 장치
|
| 6 |
6
제1항에 있어서,상기 일함수 분산을 기초로 상기 3차원 구조 트랜지스터의 상기 3차원 금속 게이트의 상기 환산 면적에 대한 문턱 전압 변화를 산출하는 제5 인스트럭션;을 더 포함하는 3차원 구조 트랜지스터의 일함수 분산 결정 장치
|
| 7 |
7
제1항에 있어서,상기 금속 물질은 TiN인 것인 3차원 구조 트랜지스터의 일함수 분산 결정 장치
|
| 8 |
8
강유전체 및 3차원 금속 게이트를 사용한 3차원 구조 트랜지스터의 일함수 분산 결정 장치로서, 상기 장치는 프로그램을 저장하는 저장 수단 및 상기 프로그램을 실행하는 프로세서를 포함하며,상기 프로그램은,상기 3차원 구조 트랜지스터를 구성하는 3차원 금속 게이트의 제1 치수 내지 제k 치수(k는 2 이상의 자연수임)를 입력받아 상기 3차원 금속 게이트의 제1 환산 면적 내지 제k 환산 면적을 산출하고 상기 3차원 금속 게이트를 형성하는 금속 물질의 성질 정보를 입력받는 제1 인스트럭션;제x 환산 면적(단 x는 1 이상 k이하의 자연수임)에 대해서, 상기 금속 물질의 성질 정보를 기초로 상기 제x 환산 면적 내의 그레인의 총 갯수 및 상기 그레인 각각의 오리엔테이션을 랜덤 생성하는 제2-1 인스트럭션과, 상기 제2-1 인스트럭션에서 랜덤 생성된 상기 그레인의 총 갯수 및 상기 그레인 각각의 오리엔테이션을 기초로 상기 제x 환산 면적에 대한 일함수를 산출하는 제2-2 인스트럭션과, 상기 제2-1 인스트럭션 및 상기 제2-2 인스트럭션을 미리 지정된 횟수만큼 반복하여 상기 3차원 구조 트랜지스터의 상기 3차원 금속 게이트의 상기 제x 환산 면적에 대한 일함수 분산을 산출하는 제2-3 인스트럭션을 포함하는 제2 인스트럭션; 및상기 제x 환산 면적에 대한 일함수 분산을 기초로 RGG[평균 그레인 크기/(게이트 환산 면적의 제곱근)]와 상기 3차원 구조 트랜지스터의 일함수 분산에 대한 대응 관계를 산출하는 제3 인스트럭션;을 포함하는 3차원 구조 트랜지스터의 일함수 분산 결정 장치
|
| 9 |
9
제8항에 있어서,상기 3차원 구조 트랜지스터는 FinFET을 포함하는 것이고,상기 제1 치수 내지 제k 치수 중의 제x 치수는 제x 핀(Finx)의 폭(Wfinx), 상기 제x 핀의 높이(Hfinx), 상기 제x 핀에 대응하는 3차원 금속 게이트의 게이트 길이(Lgatex)를 포함하는 것이고,상기 제1 인스트럭션은,GAx=(Wfinx+4×Hfinx)×Lgatex로부터 상기 제1 환산 면적 내지 제k 환산 면적 중의 상기 제x 환산 면적(GAx)을 산출하는 제1-1 인스트럭션을 포함하는 것인 3차원 구조 트랜지스터의 일함수 분산 결정 장치
|
| 10 |
10
제8항에 있어서,상기 제2-2 인스트럭션은,로부터 상기 제x 환산 면적에 대한 상기 일함수를 산출하는 제2-2-1 인스트럭션;[단, WF는 상기 일함수, n은 상기 그레인이 가질 수 있는 오리엔테이션의 갯수, N은 상기 그레인의 총 갯수, xi는 i번째 오리엔테이션을 가지는 상기 그레인의 갯수, Φxi는 상기 i번째 오리엔테이션에 따른 일함수값을 각각 나타냄]을 포함하는 것인 3차원 구조 트랜지스터의 일함수 분산 결정 장치
|
| 11 |
11
제8항에 있어서,상기 성질 정보는, 상기 금속 물질의 상기 평균 그레인 크기를 포함하는 것이고,상기 제2-1 인스트럭션은, 상기 평균 그레인 크기의 레일리 분포를 기초로 상기 그레인의 총 갯수를 랜덤 생성하는 제2-1-1 인스트럭션;을 포함하는 것인 3차원 구조 트랜지스터의 일함수 분산 결정 장치
|
| 12 |
12
제8항에 있어서,상기 성질 정보는, 상기 금속 물질의 상기 평균 그레인 크기 및 그레인 오리엔테이션 확률을 포함하는 것이고,상기 제2-1 인스트럭션은, 상기 평균 그레인 크기의 레일리 분포를 기초로 상기 그레인의 총 갯수를 랜덤 생성하고, 상기 그레인 오리엔테이션 확률을 기초로 상기 그레인 각각의 오리엔테이션을 랜덤 생성하는 제2-1-2 인스트럭션;을 포함하는 것인 3차원 구조 트랜지스터의 일함수 분산 결정 장치
|
| 13 |
13
제8항에 있어서,상기 제2 인스트럭션은,상기 제x 환산 면적에 대한 일함수 분산을 기초로 상기 3차원 구조 트랜지스터의 상기 3차원 금속 게이트의 상기 제x 환산 면적에 대한 문턱 전압 변화를 산출하는 제2-4 인스트럭션;을 더 포함하는 것인 3차원 구조 트랜지스터의 일함수 분산 결정 장치
|
| 14 |
14
제8항에 있어서,상기 RGG와 상기 일함수 분산에 대한 대응 관계를 기초로 상기 RGG와 상기 3차원 구조 트랜지스터의 문턱 전압 변화에 대한 대응 관계를 산출하는 제4 인스트럭션;를 더 포함하는 3차원 구조 트랜지스터의 일함수 분산 결정 장치
|
| 15 |
15
제8항에 있어서,상기 금속 물질은 TiN인 것인 3차원 구조 트랜지스터의 일함수 분산 결정 장치
|
| 16 |
16
강유전체 및 3차원 금속 게이트를 사용한 3차원 구조 트랜지스터의 일함수 분산 결정 방법으로서,(a) 상기 3차원 금속 게이트의 치수를 입력받아 상기 3차원 금속 게이트의 환산 면적을 산출하고 상기 3차원 금속 게이트를 형성하는 금속 물질의 성질 정보를 입력받는 단계;(b) 상기 금속 물질의 성질 정보를 기초로 상기 3차원 금속 게이트의 상기 환산 면적 내의 그레인의 총 갯수 및 상기 그레인 각각의 오리엔테이션을 랜덤 생성하는 단계;(c) 상기 단계 (b)에서 랜덤 생성된 상기 그레인의 총 갯수 및 상기 그레인 각각의 오리엔테이션을 기초로 일함수를 산출하는 단계; 및(d) 상기 단계 (b) 및 상기 단계 (c)를 미리 지정된 횟수만큼 반복하여 상기 3차원 구조 트랜지스터의 상기 3차원 금속 게이트의 상기 환산 면적에 대한 일함수 분산을 산출하는 단계;를 포함하는 3차원 구조 트랜지스터의 일함수 분산 결정 방법
|
| 17 |
17
제16항에 있어서,상기 3차원 구조 트랜지스터는 FinFET을 포함하는 것이고,상기 치수는 상기 FinFET의 핀(Fin)의 폭(Wfin), 상기 핀의 높이(Hfin), 상기 3차원 금속 게이트의 게이트 길이(Lgate)를 포함하는 것이고,상기 단계 (a)는,GA=(Wfin+4×Hfin)×Lgate로부터 상기 환산 면적(GA)를 산출하는 단계를 포함하는 것인 3차원 구조 트랜지스터의 일함수 분산 결정 방법
|
| 18 |
18
제16항에 있어서,상기 단계 (c)는,로부터 상기 일함수를 산출하는 단계;[단, WF는 상기 일함수, n은 상기 그레인이 가질 수 있는 오리엔테이션의 갯수, N은 상기 그레인의 총 갯수, xi는 i번째 오리엔테이션을 가지는 상기 그레인의 갯수, Φxi는 상기 i번째 오리엔테이션에 따른 일함수값을 각각 나타냄]를 포함하는 것인 3차원 구조 트랜지스터의 일함수 분산 결정 방법
|
| 19 |
19
제16항에 있어서,상기 성질 정보는, 상기 금속 물질의 평균 그레인 크기를 포함하는 것이고,상기 단계 (b)는, 상기 평균 그레인 크기의 레일리 분포를 기초로 상기 그레인의 총 갯수를 랜덤 생성하는 단계;를 포함하는 것인 3차원 구조 트랜지스터의 일함수 분산 결정 방법
|
| 20 |
20
제16항에 있어서,상기 성질 정보는, 상기 금속 물질의 평균 그레인 크기 및 그레인 오리엔테이션 확률을 포함하는 것이고,상기 단계 (b)는, 상기 평균 그레인 크기의 레일리 분포를 기초로 상기 그레인의 총 갯수를 랜덤 생성하고, 상기 그레인 오리엔테이션 확률을 기초로 상기 그레인 각각의 오리엔테이션을 랜덤 생성하는 단계;를 포함하는 것인 3차원 구조 트랜지스터의 일함수 분산 결정 방법
|
| 21 |
21
제16항에 있어서,(e) 상기 일함수 분산을 기초로 상기 3차원 구조 트랜지스터의 상기 3차원 금속 게이트의 상기 환산 면적에 대한 문턱 전압 변화를 산출하는 단계;를 더 포함하는 3차원 구조 트랜지스터의 일함수 분산 결정 방법
|
| 22 |
22
제16항에 있어서,상기 금속 물질은 TiN인 3차원 구조 트랜지스터의 일함수 분산 결정 방법
|
| 23 |
23
강유전체 및 3차원 금속 게이트를 사용한 3차원 구조 트랜지스터의 일함수 분산 결정 방법으로서,(a) 상기 3차원 구조 트랜지스터를 구성하는 3차원 금속 게이트의 제1 치수 내지 제k 치수(k는 2 이상의 자연수임)를 입력받아 상기 3차원 금속 게이트의 제1 환산 면적 내지 제k 환산 면적을 산출하고 상기 3차원 금속 게이트를 형성하는 금속 물질의 성질 정보를 입력받는 단계;(b) 제x 환산 면적(단 x는 1 이상 k이하의 자연수임)에 대해서, (b-1) 상기 금속 물질의 성질 정보를 기초로 상기 제x 환산 면적 내의 그레인의 총 갯수 및 상기 그레인 각각의 오리엔테이션을 랜덤 생성하는 단계와, (b-2) 상기 단계 (b-1)에서 랜덤 생성된 상기 그레인의 총 갯수 및 상기 그레인 각각의 오리엔테이션을 기초로 상기 제x 환산 면적에 대한 일함수를 산출하는 단계와, (b-3) 상기 단계 (b-1) 및 상기 단계 (b-2)를 미리 지정된 횟수만큼 반복하여 상기 3차원 구조 트랜지스터의 상기 3차원 금속 게이트의 상기 제x 환산 면적에 대한 일함수 분산을 산출하는 단계를 포함하는 단계; 및(c) 상기 제x 환산 면적에 대한 일함수 분산을 기초로 RGG[평균 그레인 크기/(게이트 환산 면적의 제곱근)]와 상기 3차원 구조 트랜지스터의 일함수 분산에 대한 대응 관계를 산출하는 단계; 를 포함하는 3차원 구조 트랜지스터의 일함수 분산 결정 방법
|
| 24 |
24
제23항에 있어서,상기 3차원 구조 트랜지스터는 FinFET을 포함하는 것이고,상기 제1 치수 내지 제k 치수 중의 제x 치수는 제x 핀(Finx)의 폭(Wfinx), 상기 제x 핀의 높이(Hfinx), 상기 제x 핀에 대응하는 3차원 금속 게이트의 게이트 길이(Lgatex)를 포함하는 것이고,상기 단계 (a)는, GAx=(Wfinx+4×Hfinx)×Lgatex로부터 상기 제1 환산 면적 내지 제k 환산 면적 중의 상기 제x 환산 면적(GAx)을 산출하는 단계를 포함하는 것인 3차원 구조 트랜지스터의 일함수 분산 결정 방법
|
| 25 |
25
제23항에 있어서,상기 단계 (b-2)는,로부터 상기 제x 환산 면적에 대한 상기 일함수를 산출하는 단계;[단, WF는 상기 일함수, n은 상기 그레인이 가질 수 있는 오리엔테이션의 갯수, N은 상기 그레인의 총 갯수, xi는 i번째 오리엔테이션을 가지는 상기 그레인의 갯수, Φxi는 상기 i번째 오리엔테이션에 따른 일함수값을 각각 나타냄]를 포함하는 것인 3차원 구조 트랜지스터의 일함수 분산 결정 방법
|
| 26 |
26
제23항에 있어서,상기 성질 정보는, 상기 금속 물질의 상기 평균 그레인 크기를 포함하는 것이고,상기 단계 (b-1)은, 상기 평균 그레인 크기의 레일리(Rayleigh) 분포를 기초로 상기 그레인의 총 갯수를 랜덤 생성하는 단계;를 포함하는 것인 3차원 구조 트랜지스터의 일함수 분산 결정 방법
|
| 27 |
27
제23항에 있어서,상기 성질 정보는, 상기 금속 물질의 상기 평균 그레인 크기 및 그레인 오리엔테이션 확률을 포함하는 것이고,상기 단계 (b-1)은, 상기 평균 그레인 크기의 레일리 분포를 기초로 상기 그레인의 총 갯수를 랜덤 생성하고, 상기 그레인 오리엔테이션 확률을 기초로 상기 그레인 각각의 오리엔테이션을 랜덤 생성하는 단계;를 포함하는 것인 3차원 구조 트랜지스터의 일함수 분산 결정 방법
|
| 28 |
28
제23항에 있어서,상기 단계 (b)는(b-4) 상기 제x 환산 면적에 대한 일함수 분산을 기초로 상기 3차원 구조 트랜지스터의 상기 3차원 금속 게이트의 상기 제x 환산 면적에 대한 문턱 전압 변화를 산출하는 단계;를 더 포함하는 것인 3차원 구조 트랜지스터의 일함수 분산 결정 방법
|
| 29 |
29
제23항에 있어서,(d) 상기 RGG와 상기 일함수 분산에 대한 대응 관계를 기초로 상기 RGG와 상기 3차원 구조 트랜지스터의 문턱 전압 변화에 대한 대응 관계를 산출하는 단계;를 더 포함하는 3차원 구조 트랜지스터의 일함수 분산 결정 방법
|
| 30 |
30
제23항에 있어서,상기 금속 물질은 TiN인 것인 3차원 구조 트랜지스터의 일함수 분산 결정 방법
|
