| 1 |
1
제1 전극;상기 제1 전극 상에 금속 산화물로 형성되는 제1 산화물 반도체층;상기 제1 산화물 반도체층 상에 n형/p형 실리콘 박막 또는 금속 박막으로 형성되는 제1 박막층;상기 제1 박막층 상에 Zn 산화물 또는 In 산화물로 형성되는 금속 산화물층;상기 금속 산화물층 상에 n형/p형 실리콘 박막 또는 금속 박막으로 형성되는 제2 박막층;상기 제2 박막층 상에 금속 산화물로 형성되는 제2 산화물 반도체층; 및상기 제2 산화물 반도체층 상에 형성되는 제2 전극을 포함하는 열전 성능이 우수한 산화물 반도체 열전 소자
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 제1 박막층과 상기 금속 산화물층의 사이에 금속 산화물층과 박막층으로 형성되는 제1 중간층이 하나 이상 구비되는 열전 성능이 우수한 산화물 반도체 열전 소자
|
| 3 |
3
제1항에 있어서,상기 금속 산화물층과 상기 제2 박막층의 사이에 박막층과 금속 산화물로 형성되는 제2 중간층이 하나 이상 구비되는 열전 성능이 우수한 산화물 반도체 열전 소자
|
| 4 |
4
제1항에 있어서, 상기 제1, 2 산화물 반도체층은 Zn 산화물과 In 산화물이 복합 다층으로 형성되는 열전 성능이 우수한 산화물 반도체 열전 소자
|
| 5 |
5
제1항에 있어서,상기 제1, 2 박막층에서 n형 실리콘 박막은 인(P), 비소(As)와 같은 불순물이 1016/cm3 이상의 농도로 도핑 형성되고, p형 벌크 실리콘은 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), 인듐(In)과 같은 불순물이 1016/cm3 이상의 농도로 도핑 형성되는 열전 성능이 우수한 산화물 반도체 열전 소자
|
| 6 |
6
제5항에 있어서,상기 제1, 2 박막층은 1~10㎚의 두께로 형성되는 열전 성능이 우수한 산화물 반도체 열전 소자
|
| 7 |
7
제1항에 있어서,상기 금속 산화물층은 1~100㎚의 두께로 형성되는 열전 성능이 우수한 산화물 반도체 열전 소자
|
| 8 |
8
제1 전극을 형성하는 단계;상기 제1 전극 상에 금속 산화물로 구성된 제1 산화물 반도체층을 형성하는 단계;상기 제1 산화물 반도체층 상에 n형/p형 실리콘 박막 또는 금속 박막으로 구성된 제1 박막층을 형성하는 단계;상기 제1 박막층 상에 Zn 산화물 또는 In 산화물 계통의 금속 산화물층을 형성하는 단계;상기 금속 산화물층 상에 n형/p형 실리콘 박막 또는 금속 박막으로 구성된 제2 박막층을 형성하는 단계;상기 제2 박막층 상에 금속 산화물로 구성된 제2 산화물 반도체층을 형성하는 단계; 및상기 제2 산화물 반도체층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 열전 성능이 우수한 산화물 반도체 열전 소자 제조 방법
|
| 9 |
9
제1 전극을 형성하는 단계;상기 제1 전극 상에 금속 산화물로 구성된 제1 산화물 반도체층을 형성하는 단계;상기 제1 산화물 반도체층 상에 n형/p형 실리콘 박막 또는 금속 박막으로 구성된 제1 박막층을 형성하는 단계;상기 제1 박막층 상에 Zn 산화물 또는 In 산화물 계통의 금속 산화물층을 형성하는 단계;상기 금속 산화물층 상에 n형/p형 실리콘 박막 또는 금속 박막으로 구성된 제2 박막층을 형성하는 단계;상기 금속 산화물층 상에 제2 산화물 반도체층을 형성하거나, 상기 금속 산화물층 상에 상기 제2 박막층과 상기 제2 산화물 반도체층을 순차적으로 추가 형성하는 단계; 및상기 제2 산화물 반도체층의 표면에 금속을 증착하는 단계를 포함하는 열전 성능이 우수한 산화물 반도체 열전 소자 제조 방법
|
| 10 |
10
제8항에 있어서,상기 제1 박막층과 상기 금속 산화물층의 사이에 금속 산화물층과 박막층으로 형성되는 제1 중간층이 하나 이상 구비되는 단계를 포함하는 열전 성능이 우수한 산화물 반도체 열전 소자 제조 방법
|
| 11 |
11
제8항에 있어서,상기 금속 산화물층과 상기 제2 박막층의 사이에 박막층과 금속 산화물로 형성되는 제2 중간층이 하나 이상 구비되는 단계를 포함하는 열전 성능이 우수한 산화물 반도체 열전 소자 제조 방법
|
| 12 |
12
제9항에 있어서,상기 금속 증착 단계는 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 크롬(Cr) 및 구리(Cu) 금속을 이용하여 열진공 증착(thermal evaporation) 또는 스퍼터링 기법에 의해 수행되는 열전 성능이 우수한 산화물 반도체 열전 소자 제조 방법
|
| 13 |
13
제9항에 있어서,상기 금속 증착 단계 수행 후에 질소 분위기에서 250~350℃의 온도와 30~90분의 조건으로 열처리하는 단계가 더 수행되는 열전 성능이 우수한 산화물 반도체 열전 소자 제조 방법
|
